模擬技術(shù)
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NOR FLASH和NAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)介紹
非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者...
2023-06-29 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管Nand flashslcNOR flashEPROMNand flashNOR flashslc場(chǎng)效應(yīng)管 4565
增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么？
MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式，而術(shù)語(yǔ)MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)。...
2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 23904
BJT的傳輸特性，如何應(yīng)用肖克利方程？
在BJT或雙極晶體管中，傳遞特性可以理解為輸出電流與輸入控制幅度的關(guān)系圖，因此在圖中表示的曲線中表現(xiàn)出變量從輸入到輸出的直接“轉(zhuǎn)移”。...
MOSFET導(dǎo)通過(guò)程詳解
在設(shè)計(jì)基于 MOSFET 的電路時(shí)，您可能想知道打開(kāi) MOSFET 的正確方法是什么？或者簡(jiǎn)單地說(shuō)，應(yīng)該在器件的柵極/源極上施加什么最小電壓才能完美地打開(kāi)？...
看下怎么構(gòu)建CPU這個(gè)非0即1的開(kāi)關(guān)世界
幾乎每天都會(huì)開(kāi)燈關(guān)燈，但這簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)卻是組成CPU的基本單元。...
詳解AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器
AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器是電力電子設(shè)備中常見(jiàn)的兩種電源轉(zhuǎn)換方式。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中起到了重要的作用，下面我們來(lái)詳細(xì)解釋這兩種轉(zhuǎn)換器的工作原理和應(yīng)用。 AC/DC轉(zhuǎn)換器，即交流/直...
2023-06-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器DC/DC轉(zhuǎn)換器AC/DC轉(zhuǎn)換器 6916
芯片Signoff是通過(guò)什么機(jī)制去控制偏差帶來(lái)的不確定性風(fēng)險(xiǎn)的？
在芯片設(shè)計(jì)、制造、應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié)都不可避免地會(huì)引入偏差，其直接造成的影響是晶體管、電阻電容以及繞線等電特性的不確定性。...
2023-06-28 標(biāo)簽：放大器MOS管芯片設(shè)計(jì)晶體管電阻電容 4626
采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)
引言：無(wú)論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡(jiǎn)述采用驅(qū)動(dòng)IC加NMOS的方案做防反電路的設(shè)計(jì)及其優(yōu)點(diǎn)。...
2023-06-28 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)NMOS驅(qū)動(dòng)ICPMOS防反電路 5310
驗(yàn)證—當(dāng)前SoC芯片設(shè)計(jì)難以承受之重
芯片設(shè)計(jì)被譽(yù)為人類歷史上最細(xì)微也是最宏大的工程，芯片研發(fā)工作者需要把上千億顆晶體管集成在面積最小至指甲大小的芯片上。...
2023-06-28 標(biāo)簽：寄存器芯片設(shè)計(jì)晶體管SoC芯片硬件加速器 1199
傾斜三角形后面
由于其易于配置，運(yùn)算放大器是當(dāng)今使用最廣泛的電子元件之一。通過(guò)在正確的位置添加幾個(gè)電阻，運(yùn)算放大器可以提供不同程度的放大。它也可以配置為輸出兩個(gè)信號(hào)的總和或差。這真的是一...
2023-06-28 標(biāo)簽：傳感器轉(zhuǎn)換器運(yùn)算放大器 831
基于Simulink永磁同步電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的仿真
永磁同步電動(dòng)機(jī)（PermanentMagnets Synchronous Motor，PMSM），轉(zhuǎn)子采用永磁材料，定子為短距分布式繞組，采用三相正弦波交流電驅(qū)動(dòng)。...
2023-06-28 標(biāo)簽：永磁同步電機(jī)線性調(diào)節(jié)器續(xù)流二極管PMSMFOC控制 4723
逆變器的基本原理與電路結(jié)構(gòu)
逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的設(shè)備，它的主要原理是利用半導(dǎo)體器件（如場(chǎng)效應(yīng)管或晶閘管等）的開(kāi)關(guān)特性，通過(guò)快速切換來(lái)控制電源電壓和電流，從而實(shí)現(xiàn)將直流電轉(zhuǎn)換為相應(yīng)頻率和...
2023-06-28 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管逆變器IGBT電源電壓 27291
16位CRC并行編解碼電路原理圖
接收方在接受到CRC編碼后，將該編碼與多項(xiàng)式進(jìn)行模2除運(yùn)算，得到余數(shù)r’，再根據(jù)q（假設(shè)q為總的奇偶檢驗(yàn)位,將所有數(shù)據(jù)進(jìn)行異或可得）的值進(jìn)行判斷數(shù)據(jù)是否產(chǎn)生錯(cuò)誤，及產(chǎn)生錯(cuò)誤后是一位...
Zynq高速串行CMOS接口的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
現(xiàn)在CMOS傳感器的分辨率越來(lái)越大，對(duì)應(yīng)的，對(duì)數(shù)據(jù)傳輸接口的要求也越來(lái)越高。...
2023-06-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器FPGA設(shè)計(jì)寄存器CMOS傳感器lvds接口 4670
【解決方案】不懂模擬電路設(shè)計(jì)？如何完成溫度信號(hào)采集？
溫度傳感電路是許多工業(yè)系統(tǒng)的重要組成部分，在溫度傳感元件之中，金屬鉑制成的熱電阻PT100可保證長(zhǎng)期穩(wěn)定性，寬溫度范圍內(nèi)最精確。本文介紹幾種PT100采集電路方案，分析精密溫度采集電...
2023-06-28 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)模擬 1748
精確測(cè)量我們的模擬世界
您可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)“這是一個(gè)數(shù)字世界”的說(shuō)法。問(wèn)題是這個(gè)世界真的充滿了熱、光、聲音、電壓、運(yùn)動(dòng)和成千上萬(wàn)其他自然發(fā)生的信號(hào)，這些信號(hào)都是模擬的。如圖所示，模擬信號(hào)是連續(xù)的信息流...
2023-06-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器模擬過(guò)濾器 1007
碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。...
2023-06-28 標(biāo)簽：新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器SiC碳化硅 5349
短波紅外單光子探測(cè)器的發(fā)展
單光子探測(cè)器達(dá)到了光電探測(cè)的極限靈敏度，InP/InGaAs 短波紅外單光子探測(cè)器 (SPAD) 是目前制備技術(shù)較為成熟且獲得廣泛應(yīng)用的單光子探測(cè)器。...
2023-06-28 標(biāo)簽：激光雷達(dá)半導(dǎo)體二極管光纖通訊單光子探測(cè)器 1803
開(kāi)關(guān)電源變壓器結(jié)構(gòu)和組成
最基礎(chǔ)的反激式變壓器開(kāi)關(guān)電源的簡(jiǎn)單工作原理圖。...
2023-06-28 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源振蕩器MOS管RCD反激式變壓器 2774
ADC重要的信噪比公式是怎么來(lái)的？
做過(guò)數(shù)據(jù)采集或者模擬電路的同學(xué)很可能知道下面這個(gè)關(guān)于ADC信噪比的著名公式。...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate ），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)...
2023-06-28 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率MOSFET 5914
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一個(gè)分支，叫場(chǎng)效應(yīng)管（ Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET ）,由結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（...
2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET雙極型晶體管 7451
幾種常見(jiàn)的晶體管加速電路
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施...
2023-06-27 標(biāo)簽：二極管晶體管驅(qū)動(dòng)電路電容電壓 1286
MOS管的最常見(jiàn)應(yīng)用—開(kāi)關(guān)
如下圖所示：當(dāng)PQ27控制腳G為低電平時(shí)，PQ27截止，此時(shí)PQ26的控制腳G為高電平，PQ26導(dǎo)通。...
耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品
功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。...
2023-06-27 標(biāo)簽：繼電器MOSFETsmps信號(hào)發(fā)生器 1508
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