模擬技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶(hù)提供了專(zhuān)業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
PLC IO接口的詳細(xì)介紹
讓我們以匯辰H7系列PLC為例，認(rèn)識(shí)以下PLC的IO接口的位置，西門(mén)子PLC的接口位置也完全相同。...
2023-06-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器寄存器plc存儲(chǔ)器壓力變送器 11332
詳解STM32中的ADC
STM32F103系列有3個(gè)ADC，精度為12位，每個(gè)ADC最多有16個(gè)外部通道。其中ADC1和ADC2都有16個(gè)外部通道，ADC3一般有8個(gè)外部通道，各通道的A/D轉(zhuǎn)換可以單次、連續(xù)、掃描或間斷執(zhí)行，ADC轉(zhuǎn)換的結(jié)果可以左...
2023-06-26 標(biāo)簽：adcSTM32時(shí)鐘開(kāi)發(fā)板STM32F103 7838
ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器介紹
模數(shù)轉(zhuǎn)換器(analog to Digital Converter，簡(jiǎn)稱(chēng)ADC)是一種數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，它通過(guò)將模擬信號(hào)編碼為二進(jìn)制代碼，使數(shù)字電路能夠與現(xiàn)實(shí)世界進(jìn)行接口。...
2023-06-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器adc模擬信號(hào)數(shù)字電路數(shù)模轉(zhuǎn)換器 5843
DC-DC開(kāi)關(guān)電源升/降壓原理分析
BUCK型電路只能降壓，BOOST型電路可降壓也可升壓，這究竟是為什么呢？...
2023-06-26 標(biāo)簽：二極管開(kāi)關(guān)電源boost電路PWM驅(qū)動(dòng)BUCK電源 3989
開(kāi)關(guān)電源的定義及其工作原理
輸入交流電壓（AC）經(jīng)由整流濾波以后可獲得一高壓的直流電壓（DC=1.4AC），此電壓接入交換元件當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用在20KHZ~100KHZ的高頻狀態(tài)。...
2023-06-26 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源斬波器變換器濾波電容器隔離變壓器 2562
改進(jìn)的LDO吸收PECL端接電流
高速電信中使用的正發(fā)射極耦合邏輯（PECL）需要奇數(shù)電源電壓：正VCC為+3.3V，終止電壓（VTT）等于VCC -2V = +1.3V。VTT 電源相對(duì)于 VCC 進(jìn)行調(diào)節(jié)，并且必須能夠吸收電流。...
緩啟動(dòng)電路的工作原理
通信產(chǎn)品一般采用分散供電方式，各單板上采用DC/DC模塊將-48V電源轉(zhuǎn)換為其所需的5V、3.3V、2.5V等子電源。...
2023-06-26 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管濾波電容電磁輻射電源轉(zhuǎn)換器緩啟動(dòng)電路 2046
緩啟動(dòng)電路實(shí)例分析與應(yīng)用
本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測(cè)試過(guò)程的浪涌電流沖擊問(wèn)題，詳細(xì)分析了MOS管緩啟動(dòng)電路的RC參數(shù)，通過(guò)分析和實(shí)際對(duì)電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿(mǎn)足板上電源要求。...
2023-06-26 標(biāo)簽：MOS管適配器積分器RDS緩啟動(dòng)電路 3929
FFE高速串行通信中用到的均衡
高速接口SerDes為實(shí)現(xiàn)芯片間信號(hào)的有線傳輸，需要完成數(shù)字到模擬的轉(zhuǎn)化，經(jīng)過(guò)通道傳輸后，再將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)回?cái)?shù)字信號(hào)。并保證傳輸過(guò)程保持比較低的誤碼率。...
2023-06-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器fir濾波器NRZSERDES接口FFEfir濾波器NRZSERDES接口轉(zhuǎn)換器 3444
基于熒光的生物可降解微針傳感器陣列用于連續(xù)血糖監(jiān)測(cè)
連續(xù)血糖監(jiān)測(cè)（CGM）在實(shí)時(shí)跟蹤血糖水平中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，并且可以為有效預(yù)防低血糖或高血糖發(fā)作引起的糖尿病并發(fā)癥提供關(guān)鍵信息。...
全面解析MOS管封裝分析報(bào)告
DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上，其派生方式為SDIP(Shrink DIP)，即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。...
半導(dǎo)體芯片工藝節(jié)點(diǎn)演變路徑
晶體管的縮小過(guò)程中涉及到三個(gè)問(wèn)題。第一是為什么要把晶體管的尺寸縮小，以及是按照怎樣的比例縮小的，這個(gè)問(wèn)題是縮小有什么好處。...
2023-06-26 標(biāo)簽：微處理器晶體管SOI半導(dǎo)體芯片 3104
簡(jiǎn)單電路斷開(kāi)負(fù)載
本應(yīng)用筆記展示了外部功率MOSFET如何充當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，并允許開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器在重負(fù)載和低輸入電壓下啟動(dòng)。負(fù)載斷開(kāi)電路將單個(gè)NiMH電池輸出升壓至3.3V，并提供600mA輸出電流。設(shè)計(jì)采用MAX1703升壓...
2023-06-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器DC-DC 1946
基于真空管的推挽放大器電路設(shè)計(jì)
這里再次使用使用真空管的簡(jiǎn)單推挽放大器電路。這種設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單，如果構(gòu)建得當(dāng)，會(huì)帶來(lái)良好的音頻質(zhì)量。互聯(lián)網(wǎng)上電路的每個(gè)塊都有很多，所以我將對(duì)此進(jìn)行一些詳細(xì)介紹。在查看該放大...
半導(dǎo)體切割-研磨-拋光工藝簡(jiǎn)介
SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內(nèi)圓和外圓兩種。由于SiC價(jià)格高，外圓、內(nèi)圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產(chǎn)效率低，加大了襯底的成本。...
2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)SiCCMP 5813
肖特基二極管的等效電路及應(yīng)用
肖特基二極管的主要應(yīng)用領(lǐng)域是開(kāi)關(guān)電源或SMPS，其工作頻率超過(guò)20 kHz。...
永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)仿真—逆變器模型（2）
三相兩電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示，由3個(gè)H半橋組成，因此直流側(cè)正母線電流i_p為三個(gè)H半橋的正母線電流之和，直流負(fù)母線電流i_n為三個(gè)H半橋的負(fù)母線電流之和。...
2023-06-25 標(biāo)簽：永磁同步電機(jī)逆變器仿真器IGBTsimulink仿真 2306
平面柵和溝槽柵的MOSFET的導(dǎo)通電阻構(gòu)成
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱(chēng)為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)...
2023-06-25 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管SiCRCDRCS 6510
【新品發(fā)布】HA1007型軌到軌超高速單通道比較器
HA1007型軌到軌超高速單通道比較器是深圳市乾鴻微電子有限公司自主設(shè)計(jì)，并基于國(guó)內(nèi)代工廠工藝流片的模擬集成電路產(chǎn)品。該產(chǎn)品為單通道寬帶比較器，具有關(guān)斷SHDN控制端口；HA1007典型傳輸...
【世說(shuō)芯品】Microchip發(fā)布業(yè)界能效最高的中端FPGA工業(yè)邊緣協(xié)議棧、更多核心庫(kù)
隨著智能邊緣設(shè)備對(duì)能效、安全性和可靠性提出新要求，系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)工程師不得不尋找新的解決方案。MicrochipTechnologyInc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出新的開(kāi)發(fā)資源和設(shè)計(jì)服務(wù)，以幫助...
ADI高性能產(chǎn)品和應(yīng)用研討會(huì)(桂林站)
AnalogDevices,Inc.(簡(jiǎn)稱(chēng)ADI)將創(chuàng)新、業(yè)績(jī)和卓越作為企業(yè)的文化支柱，并基此成長(zhǎng)為該技術(shù)領(lǐng)域最持久高速增長(zhǎng)的企業(yè)之一。ADI公司是業(yè)界廣泛認(rèn)可的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和信號(hào)處理技術(shù)全球領(lǐng)先的供應(yīng)商，擁...
ADI高性能產(chǎn)品和應(yīng)用研討會(huì)(昆明站)
AnalogDevices,Inc.(簡(jiǎn)稱(chēng)ADI)將創(chuàng)新、業(yè)績(jī)和卓越作為企業(yè)的文化支柱，并基此成長(zhǎng)為該技術(shù)領(lǐng)域最持久高速增長(zhǎng)的企業(yè)之一。ADI公司是業(yè)界廣泛認(rèn)可的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和信號(hào)處理技術(shù)全球領(lǐng)先的供應(yīng)商，擁...
橫向型與垂直型MOSFET簡(jiǎn)介
橫向型MOSFET，又稱(chēng)之為橫向?qū)щ娦偷腗OSFET，結(jié)構(gòu)如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動(dòng)方向與晶圓襯底之間的方向。...
東沃10G（萬(wàn)兆）以太網(wǎng)Ethernet網(wǎng)口浪涌靜電防護(hù)方案設(shè)計(jì)
以太網(wǎng)Ethernet是一系列常用于局域網(wǎng)LAN、城域網(wǎng)MAN和廣域網(wǎng)WAN的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)。...
某單板TVS接地不當(dāng)造成輻射騷擾超標(biāo)問(wèn)題分析
某產(chǎn)品EMC輻射騷擾測(cè)試超標(biāo)，通過(guò)近遠(yuǎn)場(chǎng)掃描配合定位分析，逐步找出騷擾源、傳播路徑，最終通過(guò)修改 PCB 走線切斷傳播路徑解決此問(wèn)題。...
2023-06-25 標(biāo)簽：emcTVS管以太網(wǎng)接口PCB走線FPGA開(kāi)發(fā)板 1232
2023年中國(guó)新型功率半導(dǎo)體器件（IGBT）產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場(chǎng)分析
IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，其作用類(lèi)似于人類(lèi)的心臟，能夠根據(jù)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控...
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