模擬技術(shù)
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反激電源Ⅸ：輸出二極管
次級繞組輸出二極管D1通常選用肖特基二極管，或超快恢復(fù)二極管，一是因?yàn)檫@兩種二極管反向恢復(fù)時間trr短，二是因?yàn)檫@兩種二極管正向?qū)▔篤f降小。...
2023-06-25 標(biāo)簽：整流二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管反激電源變壓器 4161
晶體管/場效應(yīng)管/集成運(yùn)放恒流源電路設(shè)計(jì)
LED電源的工程師經(jīng)常提及“恒流”驅(qū)動，其實(shí)，在很多電子設(shè)備中，有許多用電設(shè)備要求供給的電流(而不是電壓)保持恒定。一般把這種能夠向負(fù)載提供恒定電流的電源稱為恒流源。所謂恒流，...
2023-06-25 標(biāo)簽：場效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)運(yùn)放晶體管恒流源 7207
電平設(shè)計(jì)基礎(chǔ)：電平匹配設(shè)計(jì)
單端邏輯電平的匹配是我們平時在硬件設(shè)計(jì)中最經(jīng)常碰到的，我們在《TTL&CMOS電平》章節(jié)中已經(jīng)對TTL和COMS電平的匹配設(shè)計(jì)做了一些分析，一般3.3V LVTTL和LVCMOS是可以直接相互驅(qū)動的。但是其它...
2023-06-25 標(biāo)簽：二極管FPGA設(shè)計(jì)MOS管電源電壓門電路 4946
科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)
科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線...
MOS管的柵極開通驅(qū)動電阻
在驅(qū)動MOS管時，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。...
2023-06-25 標(biāo)簽：驅(qū)動器振蕩器MOS管PCB設(shè)計(jì)寄生電感 9317
未來SiC在充電樁上的應(yīng)用
為了解決電動汽車補(bǔ)能痛點(diǎn)，大功率快充是大部分車企選擇的路線，在800V平臺的應(yīng)用下，充電功率可以輕松超過200kW，而一些車型通過采用更高充電倍率的電池包，快充功率可以超過400kW。...
基于51單片機(jī)的模擬舵機(jī)控制實(shí)驗(yàn)
根據(jù)上圖我們可以得知，要想控制舵機(jī)轉(zhuǎn)動指定的角度，必須要讓它在一定的周期（20ms）中，獲得一定時間(分別是0.5ms、1ms、1.5ms、2ms、2.5sm)的高電平，具體對應(yīng)關(guān)系，上圖中已給出。...
反激開關(guān)電源：RCD吸收電路
反激開關(guān)電源在MOS管關(guān)斷時，變壓器初級繞組漏感存儲的能量無法向次級繞組傳遞，初級繞組的漏感和MOS管的寄生電容產(chǎn)生了諧振電壓波形。...
2023-06-25 標(biāo)簽：RCD吸收電路MOS管電容充電反激開關(guān)電源變壓器 21591
反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式穩(wěn)態(tài)時各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形
結(jié)合著原理圖，我試著解釋一下反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式DCM穩(wěn)態(tài)時各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形，不涉及具體元件參數(shù)數(shù)值。...
2023-06-25 標(biāo)簽：RCD吸收電路MOS管鉗位電壓反激開關(guān)電源變壓器 6284
Multisim仿真—液面位置檢測及分離
為了能夠準(zhǔn)確的完成對不同成分的液體進(jìn)行分離，準(zhǔn)確地檢測到液面的位置是否必要的一個環(huán)節(jié)。...
2023-06-25 標(biāo)簽：傳感器接收器信號處理器Multisim仿真Multisim仿真傳感器信號處理器接收器紅外二極管 2266
DCM將影響反激電源哪些技術(shù)參數(shù)？
反激開關(guān)電源的連續(xù)模式CCM和不連續(xù)模式DCM的差異，主要體現(xiàn)在變壓器設(shè)計(jì)上。這篇文章展開說明DCM將影響反激電源哪些技術(shù)參數(shù)。...
2023-06-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOS管DCM反激開關(guān)電源變壓器 5044
三極管驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
數(shù)電和模電到底什么？單片機(jī)的IO口處理的是什么？硬件通訊是怎么來完成的？...
2023-06-25 標(biāo)簽：三極管單片機(jī)發(fā)射機(jī)驅(qū)動電路蜂鳴器 2819
高電壓LTC3892系列控制器縮減了DC/DC轉(zhuǎn)換器成本和尺寸
LTC3892 系列控制器可以在高輸入/輸出電壓、高功率應(yīng)用中成功使用。LTC3892 和 LTC3892-1 具備設(shè)計(jì)全功能型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器所需的各種保護(hù)特性。LTC3892-2 是高功率充電器應(yīng)用的理想選擇。...
2023-06-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器充電器控制器DCDC柵極電壓 1778
如何設(shè)計(jì)一個MOS管的開關(guān)電路
MOS管開關(guān)電路 但是這個電路的缺點(diǎn)也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進(jìn)來，會把前端給燒壞！...
2023-06-25 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路MOS管 2242
繼電器如何選型？繼電器原理解析
繼電器的選用原則參見表 1，在表中“必須確定”欄中有“”號的項(xiàng)目被確定之后，就可選定一款繼電器。如果有進(jìn)一步的要求，需要進(jìn)一步考慮“參考”欄中有“”號的相應(yīng)項(xiàng)目。...
碳化硅晶圓劃片技術(shù)
碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢，是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無法比擬的，應(yīng)用前景十分...
2023-06-25 標(biāo)簽：激光器發(fā)光二極管SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1220
LTspice電路圖層次化設(shè)計(jì)
使用 Voltage-controlled Voltage Source 放大器電路圖為例，開始繪制分層 (組件) 電路。...
2023-06-25 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器仿真器LTspice 2068
中國渴望使用第三代芯片
一段時間內(nèi)，中國大陸芯片企業(yè)將不得不依靠外國技術(shù)來制造新一代芯片。...
2023-06-25 標(biāo)簽：電動汽車SiC碳化硅車載充電器GaN技術(shù) 1565
運(yùn)算放大器的關(guān)鍵指標(biāo)：增益和帶寬
本期，我們接著介紹運(yùn)放關(guān)鍵指標(biāo)最后一部分，主要分為開環(huán)電壓增益、增益帶寬積和-3dB帶寬、壓擺率和建立時間。...
2023-06-25 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器運(yùn)放帶寬電壓增益 12722
九種簡易MOS管開關(guān)電路圖
電路由1顆MOS管、4只電阻、發(fā)光二極管、電池組成,電路非常簡單。...
2023-06-25 標(biāo)簽：電路圖開關(guān)電路MOS管發(fā)光二極管 12444
使用MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
在一些IO電平不匹配的情況，需要用到電平轉(zhuǎn)換電路。特別如I2C總線上，主芯片和多個外設(shè)直接，較常遇到電源域電壓不一致的情況。...
2023-06-25 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管總線SDA電平轉(zhuǎn)換電路 3043
了解網(wǎng)絡(luò)濾波器 EMI濾波器 EMC濾波器 在電子元器件中的分類關(guān)系
說說網(wǎng)絡(luò)濾波器 EMI濾波器 EMC濾波器 三者之間的關(guān)系 探討網(wǎng)絡(luò)變壓器在電子元器件中的分類關(guān)系，給在浩如煙海的電子元器件中尋找網(wǎng)絡(luò)變壓器的廣大采購人員和涉及選品工程師一點(diǎn)協(xié)助...
2023-06-24 標(biāo)簽：變壓器電子元器件EMI濾波器emc濾波器網(wǎng)絡(luò)濾波器 118159
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