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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
簡(jiǎn)易FM信號(hào)解調(diào)的FPGA實(shí)現(xiàn)過(guò)程講解

簡(jiǎn)易FM信號(hào)解調(diào)的FPGA實(shí)現(xiàn)過(guò)程講解

FM解調(diào)需要去掉載波得到基帶的信號(hào),考慮到FM的特殊性,使用參考資料1中的小角度近似解調(diào)算法...

2023-06-20 標(biāo)簽:濾波器FPGA設(shè)計(jì)正弦波乘法器觸發(fā)器 8656

如何計(jì)算晶體管開關(guān)電路-2

如何計(jì)算晶體管開關(guān)電路-2

開路集電極開關(guān)和開路發(fā)射極開關(guān)也叫負(fù)載串聯(lián)型開關(guān),前者是負(fù)載串聯(lián)在集電極,后者是負(fù)載串聯(lián)在發(fā)射極。...

2023-06-20 標(biāo)簽:三極管led燈MOS管晶體管VDD 1293

如何計(jì)算晶體管開關(guān)電路-1

如何計(jì)算晶體管開關(guān)電路-1

三極管是電流型元件,利用偏置電阻產(chǎn)生大于0.7V的Vbe電壓,然后通過(guò)控制電流大小,使晶體管工作在不同的區(qū)。...

2023-06-20 標(biāo)簽:三極管晶體管射極跟隨器GPIOGND 1960

從模擬濾波器到數(shù)字濾波器的設(shè)計(jì)方法

從模擬濾波器到數(shù)字濾波器的設(shè)計(jì)方法

總的來(lái)看,IIR數(shù)字濾波器的設(shè)計(jì)方法有直接法和間接法。直接設(shè)計(jì)法通過(guò)零極點(diǎn)累試進(jìn)行...

2023-06-20 標(biāo)簽:變換器數(shù)字濾波器模擬器IIR濾波器 4231

超高速電流反饋型放大器SC7508芯片介紹

超高速電流反饋型放大器SC7508芯片介紹

國(guó)產(chǎn)芯熾SC7508是一款超高速電流反饋型放大器,壓擺率高達(dá)5500V/μs,上升時(shí)間僅為545ps,因而非常適合用作脈沖放大器。...

2023-06-20 標(biāo)簽:放大器脈沖信號(hào) 1289

教你如何計(jì)算MOS管的開關(guān)電路(二)

教你如何計(jì)算MOS管的開關(guān)電路(二)

負(fù)載串聯(lián)型開關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開關(guān),使用更加廣泛,無(wú)論是輕負(fù)載還是重負(fù)載,電路幾乎沒(méi)有額外電流損耗。...

2023-06-20 標(biāo)簽:MOS管PMOSGPIOVDDGND 3044

教你如何計(jì)算MOS管的開關(guān)電路(一)

教你如何計(jì)算MOS管的開關(guān)電路(一)

分立MOS搭建的開關(guān)電路在電路設(shè)計(jì)里面非常常見,在單板的邏輯設(shè)計(jì),器件控制,供電控制,供電保護(hù)等等方面,都發(fā)揮著巨大的作用。...

2023-06-20 標(biāo)簽:led燈MOS管GPIOGNDNMOS管 10145

整體IGBT國(guó)產(chǎn)化率已提升至約30%-35%

值得注意的是,國(guó)內(nèi)在IGBT制造工藝水平,模塊封裝的散熱效率上與國(guó)外英飛凌等廠商存在一定差距。...

2023-06-20 標(biāo)簽:IGBT 950

標(biāo)準(zhǔn)頻帶FIR濾波器設(shè)計(jì)

FIR(Finite Impulse Response,有限脈沖響應(yīng))濾波器是一種數(shù)字濾波器,其輸出信號(hào)僅由輸入信號(hào)和濾波器的沖激響應(yīng)決定。FIR濾波器的名稱源于其沖激響應(yīng)是一個(gè)有限長(zhǎng)度的序列。...

2023-06-20 標(biāo)簽:數(shù)字濾波器衰減器模擬器fir濾波器python 3527

超表面—電容或變?nèi)荻O管調(diào)焦反射鏡

超表面—電容或變?nèi)荻O管調(diào)焦反射鏡

可變焦的超表面(focus tunable metasurface)類型反射鏡具有超薄、智能可控等特點(diǎn),可用于成像、顯微等應(yīng)用。...

2023-06-20 標(biāo)簽:仿真器變?nèi)荻O管RMS可變電容器 2138

MOS的電流方向是唯一的嗎?

MOS的電流方向是唯一的嗎?

在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng),但實(shí)際情況是,MOS的電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒(méi)有。...

2023-06-20 標(biāo)簽:MOS管NMOSBJTPMOS體二極管 10121

MnO2鉭固體電解電容器介紹

MnO2鉭固體電解電容器介紹

MnO2鉭電解電容器的基本結(jié)構(gòu)與鋁電解電容器大致相同,其作為陽(yáng)極的鉭金屬粉的燒結(jié)體表面形成作為電介質(zhì)的五氧化鉭,電解質(zhì)采用了二氧化錳(固體)的結(jié)構(gòu)。...

2023-06-20 標(biāo)簽:電容器轉(zhuǎn)換器逆變器電解質(zhì)電容器電解質(zhì)轉(zhuǎn)換器逆變器鉭電解電容器 3852

AMD甩出最強(qiáng)AI芯片 單個(gè)GPU跑大模型

專為生成式AI設(shè)計(jì)的GPU:HBM密度是英偉達(dá)H100的2.4倍,帶寬是英偉達(dá)H100的1.6倍。...

2023-06-20 標(biāo)簽:amd加速器晶體管英偉達(dá)AI芯片 1832

運(yùn)算放大器的關(guān)鍵指標(biāo):干擾抑制和失真

運(yùn)算放大器的關(guān)鍵指標(biāo):干擾抑制和失真

本期,我們接著介紹運(yùn)放的關(guān)鍵指標(biāo),主要分為輸入輸出電壓范圍、共模抑制比、電源電壓抑制比和全諧波失真加噪聲。...

2023-06-20 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器運(yùn)放失真共模抑制比共模抑制比失真干擾抑制運(yùn)放運(yùn)算放大器 3930

運(yùn)放與比較器的區(qū)別

運(yùn)放與比較器的區(qū)別

運(yùn)算放大器和比較器無(wú)論外觀或圖紙符號(hào)都差不多,那么它們究竟有什么區(qū)別,在實(shí)際應(yīng)用中如何區(qū)分?今天我來(lái)圖文全面分析一下,夯實(shí)大家的基礎(chǔ),讓工程師更上一層樓。...

2023-06-20 標(biāo)簽:電路圖放大電路運(yùn)算放大器運(yùn)放比較器 1992

MOSFET基本概述和分類

MOSFET基本概述和分類

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產(chǎn)生電場(chǎng)的...

2023-06-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 2310

MOS管開關(guān)電路原理圖

MOS管開關(guān)電路原理圖

晶體管開關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見。三極管開關(guān)電路分為兩大類,一類是經(jīng)典的TTL三極管開關(guān)電路,一類是MOS管開關(guān)電路。三極管和MOS管作為開關(guān)管時(shí),有很多相似之處,也有不同之處...

2023-06-20 標(biāo)簽:開關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管晶體管開關(guān)管 5115

為什么5G頻率不利于信號(hào)完整性?

為什么5G頻率不利于信號(hào)完整性?

5G的工作頻率將比4G快得多,從而迫使PCB設(shè)計(jì)人員重新考慮其板的設(shè)計(jì)和制造方式。...

2023-06-20 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)信號(hào)完整性SNRMSAP技術(shù)PCB信號(hào)PCB設(shè)計(jì)SNR信號(hào)完整性 1428

國(guó)芯思辰|條碼掃描儀可使用雙通道運(yùn)算放大器SC7518提升信號(hào)幅度
七張圖看懂IGBT

七張圖看懂IGBT

功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域,雖不像集成電路一樣被大眾熟知,但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導(dǎo)體的一種,作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”,高效節(jié)能減排的主力軍。*免責(zé)聲...

2023-06-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT 3019

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)面臨三大痛點(diǎn),威邁斯IPO上市加速突圍

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)面臨三大痛點(diǎn),威邁斯IPO上市加速突圍

當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件,在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面,顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此,碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。面對(duì)當(dāng)前行業(yè)發(fā)...

2023-06-15 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體威邁斯 1541

PESD3V3L2BT-N 杭州二極管生產(chǎn)廠家 現(xiàn)貨直供

PESD3V3L2BT-N 杭州二極管生產(chǎn)廠家 現(xiàn)貨直供

由此可知,東沃電子推出的PESD3V3L2BT-N二極管,SOT-23封裝、工作電壓3.3V、峰值脈沖電流35A、鉗位電壓10.5V、結(jié)電容50pF,廣泛應(yīng)用于手機(jī)、筆記本、手持設(shè)備、便攜式儀器、機(jī)頂盒、服務(wù)器等產(chǎn)品...

2023-06-14 標(biāo)簽:二極管ESD 2067

觸摸屏Touch Screen靜電防護(hù)低結(jié)電容TVS二極管參數(shù)

觸摸屏Touch Screen靜電防護(hù)低結(jié)電容TVS二極管參數(shù)

當(dāng)觸控面板表面的靜電電壓與內(nèi)部感測(cè)電容元件的壓差超過(guò)臨界電場(chǎng)時(shí),靜電電流就有機(jī)會(huì)由感測(cè)元件流進(jìn)控制(Control)IC,在實(shí)際產(chǎn)品的驗(yàn)證中,時(shí)常會(huì)發(fā)現(xiàn)感測(cè)元件的故障燒毀或感測(cè)控制...

2023-06-13 標(biāo)簽:二極管TVS 1504

USB 2.0 接口靜電保護(hù) TVS二極管如何選型號(hào)?

USB 2.0 接口靜電保護(hù) TVS二極管如何選型號(hào)?

USB 2.0具有4線接口,其中VBUS 通過(guò)電纜從主機(jī)到連接的設(shè)備提供5V和 500mA電源,D+和D-引腳負(fù)責(zé)傳輸差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)。在正常工作條件下,這些差分線路上的電壓可以達(dá)到5V。第四個(gè)引腳為GND接地引腳...

2023-06-12 標(biāo)簽:二極管靜電 12658

聚洵Gainsil推出|車規(guī)級(jí)零漂移運(yùn)算放大器GS8331Q1

聚洵Gainsil推出|車規(guī)級(jí)零漂移運(yùn)算放大器GS8331Q1

產(chǎn)品介紹聚洵Gainsil-致力于提供高品質(zhì)高性價(jià)比的國(guó)內(nèi)模擬信號(hào)鏈產(chǎn)品,近日推出車規(guī)級(jí)零漂移運(yùn)算放大器GS8331Q1.其提供350kHz的帶寬、軌到軌輸入和輸出以及1.8V至5.5V的單電源工作。GS8331Q1使用斬...

2023-06-13 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器 1724

采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

/引言/近年來(lái),為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝,其非常...

2023-06-13 標(biāo)簽:MOSFETSiC 2783

國(guó)芯思辰|兼容AD9245BCPZ,國(guó)產(chǎn)SC1246助力FFT式頻譜儀信號(hào)處理

國(guó)芯思辰|兼容AD9245BCPZ,國(guó)產(chǎn)SC1246助力FFT式頻譜儀信號(hào)處理

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代...

2023-06-07 標(biāo)簽:adc頻譜儀國(guó)芯思辰 1689

國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC的RFID標(biāo)簽助力實(shí)驗(yàn)室儀器管理系統(tǒng)
SMBJ6.5CA二極管 RS422總線浪涌靜電保護(hù)用TVS

SMBJ6.5CA二極管 RS422總線浪涌靜電保護(hù)用TVS

RS-422(EIA-422)接口在應(yīng)用時(shí),其接口傳輸線通常暴露于戶外,極其容易受到電磁干擾、雷擊、靜電放電等因素影響,引入過(guò)電壓、過(guò)電流等損壞接口電路。因此,在RS-422(EIA-422)接口處,需要...

2023-06-02 標(biāo)簽:TVSTVS二極管 3336

高速運(yùn)放參數(shù)解析與應(yīng)用于光學(xué)前端TIA放大——HA1002E應(yīng)用指南1

高速運(yùn)放參數(shù)解析與應(yīng)用于光學(xué)前端TIA放大——HA1002E應(yīng)用指南1

運(yùn)算放大器這一分類下有許多子分類,例如高速運(yùn)算放大器、精密運(yùn)算放大器、低噪聲運(yùn)算放大器等。那么,高速運(yùn)放的“高速”究竟體現(xiàn)在運(yùn)放哪些參數(shù)上呢?運(yùn)放的帶寬(Bandwitdth,BW)指運(yùn)放的...

2023-06-08 標(biāo)簽:放大器光學(xué) 3858

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