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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術>

模擬技術

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術文章和模擬電子技術應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術與電子技術欄目。
IGBT短路時的工作狀態(tài)、短路保護電路的原理

IGBT短路時的工作狀態(tài)、短路保護電路的原理

每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點先說一遍,就當我嘮叨了。IGBT結合了電力場效應管和電力晶體管導通、關斷機制的優(yōu)點,相比于其他大功率開關器件,IGBT的驅(qū)動功率小、開關速度快、沒有二次擊穿...

2023-05-25 標簽:場效應管IGBT變流器電力晶體管鉗位二極管 7903

場效應管(FET)基本放大電路分析

場效應管(FET)基本放大電路分析

FET是Field effect transistor的縮寫,稱為場效應管。它是晶體管的一種,也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說的雙極晶體管。它們的工作原理完全不同。...

2023-05-25 標簽:放大電路場效應管晶體管FETBJT 8603

IGBT中米勒效應的影響和處理方法

IGBT中米勒效應的影響和處理方法

之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念,在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺...

2023-05-25 標簽:三極管MOSFETMOS管IGBT米勒電容 11784

長電科技功率器件封裝工藝及設計解決方案完備可靠

日前,長電科技舉辦了2023年第二期線上技術論壇,主題聚焦功率器件封裝及應用,與業(yè)界交流長電科技在這一領域的技術經(jīng)驗與創(chuàng)新。 功率半導體器件目前廣泛應用于汽車、光伏和儲能、高性...

2023-05-25 標簽:封裝分立器件功率器件功率分立器件長電科技 1260

聊一聊一種具有雙向阻斷能力的逆阻型IGBT

聊一聊一種具有雙向阻斷能力的逆阻型IGBT

一般情況下,常見的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓,而反向阻斷電壓一般不會在Datasheet中被提及到,這是因為IGBT通常會反并聯(lián)續(xù)流二極管...

2023-05-25 標簽:變換器IGBT續(xù)流二極管NPT 4196

說說IGBT的開通過程

說說IGBT的開通過程

一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結構和工作原理,不同的行業(yè)對使用IGBT時,對于其深入的程度可能不一樣,但是作為一個開關器件,開通和關斷的過程...

2023-05-25 標簽:MOSFETIGBTNPN管驅(qū)動電阻功率晶體管 4776

從電壓電流對IGBT的關斷過程進行分析

從電壓電流對IGBT的關斷過程進行分析

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET) 的復合器件,IGBT將BJT的電導調(diào)制效應引入到VDMOS 的高阻漂移區(qū), 大大改善了器件的導通特性...

2023-05-25 標簽:MOSFETIGBT晶體管電流控制 6870

計算機組成原理——數(shù)值型數(shù)據(jù)的表示

計算機組成原理——數(shù)值型數(shù)據(jù)的表示

在計算機中,無論是何種形式的數(shù)據(jù)均采用數(shù)字化形式表示,即用“0”、“1”兩個基本符號構成的編碼表示,以便采用數(shù)字電路實現(xiàn)其存儲與處理。...

2023-05-25 標簽:C語言數(shù)字電路BCD碼 7564

反向衰減器在放大器穩(wěn)定向上的應用

反向衰減器在放大器穩(wěn)定向上的應用

衰減器是在指定的頻率范圍內(nèi),一種用以引入一預定衰減的電路。一般以所引入衰減的分貝數(shù)及其特性阻抗的歐姆數(shù)來標明。在有線電視系統(tǒng)里廣泛使用衰減器以便滿足多端口對電平的要求。如...

2023-05-25 標簽:放大器控制電路衰減器反向衰減器 3619

正點原子stm32精英開發(fā)板串口一鍵下載電路原理分析

正點原子stm32精英開發(fā)板串口一鍵下載電路原理分析

使用串口芯片CH340中的DTR引腳和RTS引腳來控制單片機復位引腳和BOOT0引腳的電平狀態(tài),從而實現(xiàn)一鍵下載。...

2023-05-25 標簽:三極管RTSSTM32單片機DTRCH340 10990

開關電源設計詳細步驟全解

開關電源設計詳細步驟全解

開關電源的設計是一份非常耗時費力的苦差事,需要不斷地修正多個設計變量,直到性能達到設計目標為止。...

2023-05-25 標簽:開關電源電容充電CCM正反激變換器 4745

推挽電路兩種模型詳解:上P下N、上N下P

推挽電路兩種模型詳解:上P下N、上N下P

推挽電路(push-pull)就是兩個不同極性晶體管間連接的輸出電路。推挽電路采用兩個參數(shù)相同的功率BJT管或MOSFET管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時,兩...

2023-05-25 標簽:原理圖MOSFET晶體管BJT推挽電路 4030

推挽電路兩種模型詳解:上P下N、上N下P

推挽電路兩種模型詳解:上P下N、上N下P

推挽電路(push-pull)就是兩個不同極性晶體管間連接的輸出電路。...

2023-05-25 標簽:MOSFET晶體管BJT推挽電路 4666

低頻信號混入高頻噪聲小信號時頻表現(xiàn)

低頻信號混入高頻噪聲小信號時頻表現(xiàn)

直觀的講:低頻混入高頻小信號,在時域上表現(xiàn)即波形變粗。...

2023-05-25 標簽:濾波器FFTFIRADC采樣 4829

聊一聊門函數(shù)/脈沖函數(shù)的時頻特性

聊一聊門函數(shù)/脈沖函數(shù)的時頻特性

左圖是個門函數(shù),寬度為τ,高度為1,自變量t。...

2023-05-25 標簽:Ref脈沖信號DCDC芯片傅里葉變換 48607

新能源汽車領域關于碳化硅的應用

新能源汽車領域關于碳化硅的應用

汽車原始設備制造商對電力電子系統(tǒng)的要求對此類系統(tǒng)的開發(fā)人員來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡,整個系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設計階段的工作量要保持在較低水平...

2023-05-25 標簽:電動汽車新能源汽車碳化硅車載充電器SiC-MOSFET 1321

航晶公司兩線制/三線制電流環(huán)發(fā)送器系列優(yōu)勢分析

航晶公司兩線制/三線制電流環(huán)發(fā)送器系列優(yōu)勢分析

HJU105A/B是一款兩線制設計類型的電流環(huán)變送器,可以配套應用于航晶公司自主研發(fā)設計的電壓輸出可編程傳感器調(diào)節(jié)器HJ309A以能夠?qū)⒐鑹鹤铇蚧驗R射薄膜式壓力傳感器進行信號采集。...

2023-05-25 標簽:壓力傳感器電流環(huán)儀表放大器發(fā)送器浪涌保護 2400

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件

智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。...

2023-05-25 標簽:安森美DC-DC轉(zhuǎn)換器碳化硅 907

大族半導體SiC晶圓激光切割整套解決方案

大族半導體SiC晶圓激光切割整套解決方案

改質(zhì)切割是一種將半導體晶圓分離成單個芯片或晶粒的激光技術。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層,使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。...

2023-05-25 標簽:晶圓SiC激光切割 2921

高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器SC1083芯片概述

SC1083采用3V±10%和5V±10%單電源供電,在高速轉(zhuǎn)換的同時,依然能夠保持低功耗。SC1083采用20引腳超薄緊縮小型封裝(TSSOP),利用該并行接口,可方便地與微處理器和DSP進行接口。...

2023-05-25 標簽:dsp光纜通信超聲波信號 1167

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進展

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進展

近期,美國南卡羅來納大學報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導體異質(zhì)結場效應晶體管(MOSHFET)器件。...

2023-05-25 標簽:充電器晶體管場效應晶體管SiCHEMT器件 2255

碳化硅MOSFET助力新能源汽車實現(xiàn)更出色的能源效率和應用可靠性

碳化硅MOSFET助力新能源汽車實現(xiàn)更出色的能源效率和應用可靠性

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。...

2023-05-25 標簽:新能源汽車MOSFET電機控制器碳化硅 1074

參考設計:適用于半橋結構的隔離式IGBT柵極驅(qū)動Flybuck電源

參考設計:適用于半橋結構的隔離式IGBT柵極驅(qū)動Flybuck電源

本參考設計采用 Flybuck 變換器為 IGBT 柵極驅(qū)動器提供正負電壓軌。Flybuck 變換器可等效于降壓變換器和類似反激變換器二次側的組合,采用同步 Buck 芯片實現(xiàn)電路控制,并使用變壓器繞組來取代...

2023-05-25 標簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器BUCK變換器IGBT 9403

一種機載電源掉電檢測電路設計

一種機載電源掉電檢測電路設計

針對傳統(tǒng)機載電源掉電檢測電路抗干擾能力差、易誤觸發(fā)的缺點,提出了一種抗干擾能力強、安全性更好的掉電檢測電路。...

2023-05-25 標簽:三極管蓄電池電壓比較器RC電路Vcc 998

小功率充電器芯片U62133綠色可持續(xù)

小功率充電器芯片U62133綠色可持續(xù)

現(xiàn)在的手機大多數(shù)都是鋰電池,講究的是“少吃多餐”。所以不要等到手機電量完全耗盡再去充電,而且也沒有必要每次都把電池充滿。...

2023-05-25 標簽:三極管驅(qū)動電路CDC充電器芯片VDD 1582

汽車LVDS接口瞬態(tài)浪涌靜電保護方案

汽車LVDS接口瞬態(tài)浪涌靜電保護方案

LVDS(英文全稱:Low-Voltage Differential Signaling),中文叫:低電壓差分信號,是一種低功耗、低誤碼率、低串擾和低輻射的差分信號技術,被廣泛應用于串行高速數(shù)據(jù)通訊場合。...

2023-05-25 標簽:二極管ESDTVSlvds接口 1936

GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算(上)

GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算(上)

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計算模擬軟件包,該軟件包能針對輸入的半導體晶體結構...

2023-05-25 標簽:GaNDASPHSEDCDC模塊 2381

提升LDO性能實現(xiàn)低功耗精密電壓輸出

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)電流環(huán)路,自20世紀50年代開始,就已經(jīng)成為過程控制系統(tǒng)中信號傳輸和電子控制的標準。很多電流環(huán)路的電源是通過LDO來提供的,這是一種簡單而又經(jīng)濟的方法...

2023-05-25 標簽:ldo電壓FET 4176

是時候從Si切換到SiC了嗎?

是時候從Si切換到SiC了嗎?

在過去的幾年里,碳化硅(SiC)開關器件,特別是SiC MOSFET,已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。...

2023-05-25 標簽:MOSFET逆變器SiC碳化硅 313

開關電源調(diào)試時常見的十種問題及解決辦法

開關電源調(diào)試時常見的十種問題及解決辦法

在高壓或低壓輸入下開機(包含輕載,重載,容性負載),輸出短路,動態(tài)負載,高溫等情況下,通過變壓器(和開關管)的電流呈非線性增長...

2023-05-25 標簽:變壓器開關電源VDSTVS管 3489

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