模擬技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
三款功放軟啟動電路圖
大功率功放在接通電源的瞬間，巨大的浪涌電流對功放內(nèi)部電子元器件的沖擊影響不可忽視，于是在機(jī)箱內(nèi)加裝了一個軟啟動電路（附圖中虛線部分即為增加的軟啟動電路）。 按下電源...
優(yōu)質(zhì)充電器ic U65133幫你排解續(xù)航焦慮
隨著手機(jī)設(shè)備性能的不斷提高，盡管各大手機(jī)廠商每年都會提升手機(jī)的電池容量，但是手機(jī)的續(xù)航似乎還是一般般，重度使用很難堅持一整天。...
芯佰微推出四個獨立可選開關(guān)的單芯片CMOS工藝器件
CBMG713表現(xiàn)出先斷后合的切換動作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封裝。...
2023-04-17 標(biāo)簽：CMOS導(dǎo)通電阻低導(dǎo)通電阻芯佰微電子 960
三極管與場效應(yīng)管的對比
場效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。就其性能而言，場效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極...
2023-04-17 標(biāo)簽：三極管MOSFET場效應(yīng)管pnpNPN 5433
典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ，Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問題需要關(guān)注。...
2023-04-17 標(biāo)簽：emiIGBT晶體管SiC MOSFET 711
應(yīng)該選擇熱敏電阻還是模擬溫度傳感器呢
從技術(shù)上講，熱敏電阻是一種電阻器，它的電阻值隨溫度的變化而變化。如圖1中所示，需要一個偏置電路和少數(shù)幾個外部組件，在這里，偏置電阻器和熱敏電阻組成了一個分壓器，并且被接到...
超越第一奈奎斯特區(qū)域
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計人員—特別是需要在過程控制或自動化系統(tǒng)中進(jìn)行精密測量的設(shè)計人員—已經(jīng)習(xí)慣地將他們的系統(tǒng)設(shè)計為在第一那奎斯特區(qū)域內(nèi)運行，這只意味著最大輸入頻率必須被限制在...
減少D類音頻放大器中的電磁干擾以降低材料清單成本卻不影響音頻性能
計人員經(jīng)常選擇D類音頻放大器來驅(qū)動電視機(jī)（TV）、Bluetooth?音箱和筆記本電腦等各種中等功率應(yīng)用里的揚聲器。畢竟，與傳統(tǒng)的AB類音頻放大器相比，D類音頻放大器具有更少的散熱量和相...
意法半導(dǎo)體的TSU111H 5V車規(guī)運算放大器介紹
意法半導(dǎo)體的TSU111H 5V車規(guī)運算放大器具有微電流消耗和最高150°C的工作溫度，實現(xiàn)了一個器件兼具多種特性。...
2023-04-17 標(biāo)簽：電動汽車運算放大器意法半導(dǎo)體 937
大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板
陶瓷覆基板是影響模塊長期使用的關(guān)鍵部分之一，IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。...
2023-04-17 標(biāo)簽：IGBT功率半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體熱導(dǎo)率 2432
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表：連續(xù)電流額定值
然后是我們考慮的“芯片限值”，通常通過將外殼溫度保持在25?C來指定?；旧?，這個條件假定了一個理想的散熱片，只使用結(jié)至外殼熱阻來計算器件能夠處理的最大功率（在下面的方程式...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表：開關(guān)參數(shù)
另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表：安全工作區(qū) (SOA) 圖
如圖1所示，可以用5個完全不同的限制條件來繪制整個SOA，每個限制條件規(guī)定了整個曲線的形狀，TI的100V D2PAK CSD19536KTT的SOA與產(chǎn)品數(shù)據(jù)表內(nèi)的曲線看起來一樣?？梢杂靡阎腇ET參數(shù)來輕松繪制出...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表：UIS/雪崩額定值
UIS測試由圖1中所示的測試電路執(zhí)行。在FET關(guān)閉時，其上施加了一個電源電壓，然后檢查器件上是否有泄露。在FET接通時，電感器電流穩(wěn)定增加。當(dāng)達(dá)到所需的電流時，F(xiàn)ET被關(guān)閉，F(xiàn)ET上的Ldi/dt電...
紅外傳感器之熱成像儀的應(yīng)用場景
在現(xiàn)實世界里，熱成像儀的用途非常廣泛，特別是在軍事上，利用熱成像儀可以在夜間發(fā)現(xiàn)散發(fā)熱量的坦克發(fā)動機(jī)、士兵。...
二極管為什么不能并聯(lián)使用？
二極管是一種半導(dǎo)體器件，是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì)，只能讓電流在一個方向上流動。...
2023-04-17 標(biāo)簽：二極管電子電路半導(dǎo)體器件漏電流 3819
用模擬溫度傳感器集成電路（IC）進(jìn)行人體溫度測量的提示和技巧
技術(shù)進(jìn)步已允許將溫度傳感器集成電路（IC）用于人體溫度測量（常見于可佩戴式保健帶和醫(yī)療設(shè)備中）等精密應(yīng)用。由于TI最近發(fā)布了適合人體溫度測量的小外形精確LMT70模擬溫度傳感器，用戶...
具有斬波的CMOS ADC
諸如高精度電機(jī)控制或等離子蝕刻機(jī)等工業(yè)應(yīng)用仍然無法充分利用先進(jìn)高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的功能。由于這些系統(tǒng)監(jiān)視一個頻率為數(shù)百千赫的小輸入信號，以及其更小的諧波，它們對于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換...
2023-04-17 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體電機(jī) 1591
設(shè)計抗混疊濾波器的三個指導(dǎo)原則
我們知道，在高精度ADC應(yīng)用中使用抗混疊濾波器是有益的，不過，設(shè)計合適的抗混疊濾波器也同樣重要—如果你不小心的話，就像把有害誤差從系統(tǒng)中消除一樣，很容易將有害誤差引入到你的系...
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