模擬技術(shù)
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如何根據(jù)基本的數(shù)據(jù)表規(guī)格估算出PLL的相位噪聲
當(dāng)信號(hào)源被用作本機(jī)振蕩器（LO）或高速時(shí)鐘時(shí)，相位噪聲性能對(duì)滿足系統(tǒng)要求起到了重要作用。最初從數(shù)據(jù)表中推斷出該規(guī)格時(shí)似乎就像一個(gè)獨(dú)立的項(xiàng)目。下面我來(lái)講解一下如何通過(guò)讀取PLL的...
電感感測(cè)：在不使用昂貴阻抗分析器的情況下設(shè)置傳感器驅(qū)動(dòng)電流
TI的多通道電感至數(shù)字轉(zhuǎn)換器 (LDC) 特有一個(gè)用來(lái)設(shè)置最佳傳感器幅度的可調(diào)傳感器驅(qū)動(dòng)電流。這個(gè)最佳驅(qū)動(dòng)電流電平取決于傳感器，并且由諧振頻率上的并聯(lián)電阻RP決定。一個(gè)傳感器的RP 越小，...
2023-04-14 標(biāo)簽：傳感器轉(zhuǎn)換器LDC傳感器轉(zhuǎn)換器 2072
采樣速率高達(dá)250 MSPS的模數(shù)轉(zhuǎn)換器——AD9642
AD9642是一款14位、采樣速率最高達(dá)250 MSPS的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，旨在為低成本、小尺寸、寬帶寬、多功能通信應(yīng)用提供解決方案。...
2023-04-14 標(biāo)簽：adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1974
直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表：系統(tǒng)效率揭秘
在諸如LM2673的典型非同步降壓穩(wěn)壓器中，功耗部件包括集成電路、電感器和箝位二極管。穿過(guò)輸入和輸出電容和寄生等效串聯(lián)電阻（ESR）的均方根（RMS）電流非常低；因此，你可以忽略這些組件...
直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表：系統(tǒng)損耗揭秘
讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖1中的t1），...
2023-04-14 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器直流轉(zhuǎn)換器PFM 2231
半導(dǎo)體的常規(guī)散熱方法 車用功率MOSFET熱管理設(shè)計(jì)
頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢(shì)外，還具有明顯的散熱優(yōu)勢(shì)，因?yàn)檫@種封裝允許熱量直接耗散到組件的引線框架。鋁具有高熱導(dǎo)率（通常在100~210W/mk之間），因此最常用的散熱器是鋁制的。...
2023-04-14 標(biāo)簽：MOSFET功率設(shè)計(jì) 2666
用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實(shí)現(xiàn)...
您需要了解的跨阻放大器
跨阻放大器（TIA）是光學(xué)傳感器（如光電二極管）的前端放大器，用于將傳感器的輸出電流轉(zhuǎn)換為電壓?？缱璺糯笃鞯母拍詈芎?jiǎn)單，即運(yùn)算放大器（op amp）兩端的反饋電阻（RF）使用歐姆定律...
SL8402到底是如何應(yīng)用的？
負(fù)載主要有三大類，分別是阻性、感性和容性負(fù)載，針對(duì)不同的負(fù)載，在設(shè)計(jì)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需要考慮的因素也不同...
2023-04-13 標(biāo)簽：MOSFET保護(hù)電路功率開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路 1513
英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
為了應(yīng)對(duì)相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊(cè)為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。...
2023-04-13 標(biāo)簽： 5002
Diodes推出工業(yè)級(jí)碳化硅DMWS120H100SM4 N
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。...
如何繪制二極管的伏安特性曲線
經(jīng)常在教科書中看到類似于下圖中的二級(jí)管伏安特性曲線。...
2023-04-13 標(biāo)簽：電路圖伏安特性曲線可調(diào)電源二級(jí)管 8950
淺析下一代功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景
由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長(zhǎng)2.2倍。預(yù)計(jì)未來(lái)市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張，2023年達(dá)到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年...
2023-04-13 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1037
LED驅(qū)動(dòng)芯片U6113主要性能與應(yīng)用
LED驅(qū)動(dòng)芯片有效降低恒流拐點(diǎn)電壓，LED應(yīng)用面越來(lái)越廣泛，LED驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模也逐步擴(kuò)大。...
2023-04-13 標(biāo)簽：MOSFETDMOSbuck電路LED驅(qū)動(dòng)芯片 2180
MOSFET內(nèi)部二極管--逆變器應(yīng)用
在下一個(gè)AC周期中，極性反轉(zhuǎn)，電流如藍(lán)色箭頭所示經(jīng)過(guò)體二極管D4，電池D2并流回FINISH或變壓器繞組的負(fù)極。這會(huì)不斷重復(fù)，將兩個(gè)AC周期都轉(zhuǎn)換為DC并為電池充電。...
車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體之爭(zhēng)中，國(guó)產(chǎn)IGBT大廠搶占未來(lái)三年
新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中電機(jī)控制器最廣泛的解決方案是采用IGBT。多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起，形成一個(gè)IGBT模塊，具有更高的功率和更強(qiáng)的散熱能力。...
無(wú)需阻塞二極管即可保護(hù)敏感電路免受過(guò)壓和反向電源連接的影響
如果有人將 24V 連接到您的 12V 電路會(huì)發(fā)生什么？如果電源線和地線無(wú)意中顛倒了，電路還能存活嗎？您的應(yīng)用是否位于輸入電源可能非常高甚至低于地電位的惡劣環(huán)境中？即使這些事件不太可...
選擇合適的無(wú)源和分立元件，實(shí)現(xiàn)最佳系統(tǒng)性能
有源和無(wú)源元件的選擇將對(duì)整體電源性能產(chǎn)生巨大影響。效率、產(chǎn)生的熱量、物理尺寸、輸出功率和成本都將以某種方式取決于所選的外部組件。本文介紹設(shè)計(jì)人員需要了解的典型SMPS設(shè)計(jì)中以...
通過(guò)自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍
當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號(hào)擺幅范圍時(shí)，工程師面臨兩種選擇：使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案，不過(guò)這兩種選擇的成本可能都很高。...
2023-04-13 標(biāo)簽：MOSFET運(yùn)算放大器跟隨器雙電源信號(hào) 929
SiC和Si的應(yīng)用 各種SiC功率器件的特性
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意...
2023-04-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅 3299
三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT的區(qū)別
三極管是一種電流控制體器件，它的主要作用是把微弱信號(hào)放大，輸入阻抗低，例如在基極b給一個(gè)很小的電流Ib，在集電極c上得到一個(gè)比較大的電流Ic。它是電流放大器件，但是在實(shí)際時(shí)候通常...
2023-04-13 標(biāo)簽：三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT數(shù)碼管引腳 6959
傳輸線的TDR阻抗的原因和原理分析
在做SI仿真時(shí)，經(jīng)常需要查看差分線的TDR阻抗，我們經(jīng)常發(fā)現(xiàn)即使是一段非常均勻的傳輸線，其TDR阻抗也是逐漸上翹的，這是為什么呢？如下圖所示，是一段5in長(zhǎng)的差分微帶線，其模型如下，導(dǎo)...
Σ-Δ模數(shù)轉(zhuǎn)換器：數(shù)字濾波器類型
當(dāng)客戶在Σ-Δ調(diào)制器中繪制量化噪聲的頻譜時(shí)，將看到頻率越高時(shí)量化噪聲越密集。這是Σ-Δ ADC為眾人所知的臭名昭著的噪聲整形。為了降低量化噪聲，客戶將調(diào)制器輸出饋至低通濾波器。...
Δ-Σ模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)字濾波器類型：正弦濾波器
在特定數(shù)目的調(diào)制器時(shí)鐘周期，數(shù)字濾波器使用調(diào)制器通過(guò)求和1秒輸出可創(chuàng)建一個(gè)數(shù)字輸出碼（記?。害?Σ模數(shù)轉(zhuǎn)換器的調(diào)制速率[fMOD]與其輸出的數(shù)據(jù)率[fDR]的比率被稱為“過(guò)采樣比”，或OSR）...
2023-04-13 標(biāo)簽：傳感器轉(zhuǎn)換器濾波器 2242
適用于模擬/數(shù)字混合信號(hào)環(huán)境的接地方案
大多數(shù)ADC、DAC和其他混合信號(hào)器件數(shù)據(jù)手冊(cè)是針對(duì)單個(gè)PCB討論接地，通常是制造商自己的評(píng)估板。將這些原理應(yīng)用于多卡或多ADC/DAC系統(tǒng)時(shí)，就會(huì)讓人感覺(jué)困惑茫然。...
解讀RF放大器規(guī)格：輸出電壓/電流和1dB壓縮點(diǎn)
對(duì)于諸如低噪聲放大器（LNA）、射頻功率放大器（PA）和射頻增益模塊等射頻導(dǎo)向型放大器而言，輸出擺幅限制通常以1dB增益壓縮點(diǎn)表示。隨著線性和射頻放大器的速度在諸如LMH6401增益放大器的...
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