模擬技術(shù)
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三極管作為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的幾個(gè)好處
說(shuō)實(shí)話，這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn)，考察一下大家對(duì)三極管的理解。 但真正在實(shí)際電路中，很少看到三極管工作在放大區(qū)。...
2023-04-17 標(biāo)簽：三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路集電極PMOS 1526
運(yùn)放的7個(gè)經(jīng)典應(yīng)用電路分析
上圖是典型的有源濾波電路（賽倫-凱 電路，是巴特沃茲電路的一種）。有源濾波的好處是可以讓大于截止頻率的信號(hào)更快速的衰減，而且濾波特性對(duì)電容、電阻的要求不高。 該電路的設(shè)計(jì)要...
MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。...
2023-04-15 標(biāo)簽：二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET失效機(jī)理雪崩失效 3298
SAR ADC內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹
用了這么久ADC,從沒(méi)細(xì)看過(guò)ADC的內(nèi)部原理和如何獲得最佳精度，今天看到一篇ST的官方文檔講的不錯(cuò)，這里整理分享給大家。...
2023-04-15 標(biāo)簽：微控制器轉(zhuǎn)換器SARadcSTM32 1493
InGaAs單光子雪崩焦平面研究進(jìn)展
單光子探測(cè)器是一種可檢測(cè)單個(gè)光子能量的高靈敏度器件。按工作原理不同，單光子探測(cè)器可分為光電倍增管（PMT）、超導(dǎo)單光子探測(cè)器（SSPD）和單光子雪崩光電二極管（SPAD）。...
2023-04-15 標(biāo)簽：PMT光電二極管光電倍增管單光子探測(cè)器 3950
基于FPGA實(shí)現(xiàn)FIR數(shù)字濾波電路的設(shè)計(jì)及應(yīng)用
車輛在動(dòng)態(tài)稱重時(shí)，作用在平臺(tái)上的力除真實(shí)軸重外，還有許多因素產(chǎn)生的干擾力，如：車速、車輛自身諧振、路面激勵(lì)、輪胎驅(qū)動(dòng)力等，給動(dòng)態(tài)稱重實(shí)現(xiàn)高 測(cè)量造成很大困難。...
2023-04-15 標(biāo)簽：FPGA濾波電路AD1674FIR濾波FPGA數(shù)字濾波電路濾波電路 3540
?壓接型IGBT器件的封裝結(jié)構(gòu)及特性
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。...
2023-04-15 標(biāo)簽：晶閘管IGBT晶體管半導(dǎo)體器件電壓驅(qū)動(dòng) 4403
PI參數(shù)整定學(xué)習(xí)
電流環(huán)是控制系統(tǒng)的最內(nèi)環(huán)，電流環(huán)的帶寬影響外環(huán)的帶寬。 設(shè)計(jì)電流環(huán)要保證電流環(huán)的響應(yīng)速度要足夠快速，且在動(dòng)態(tài)響應(yīng)過(guò)程中沒(méi)有大的超調(diào)，而且穩(wěn)態(tài)時(shí)，電流應(yīng)該無(wú)靜差。...
2023-04-15 標(biāo)簽：電流環(huán)調(diào)節(jié)器傳遞函數(shù)矢量控制PI參數(shù)傳遞函數(shù)電流環(huán)矢量控制調(diào)節(jié)器 5289
D類放大器的工作原理和電路圖講解
這篇文章主要分享：D 類放大器，D 類放大器的優(yōu)缺點(diǎn)，D 類放大器原理、D 類放大器電路圖、D 類放大器設(shè)計(jì)、D 類放大器測(cè)試。...
高速ADC基礎(chǔ)知識(shí)
本文的目的是介紹高速ADC相關(guān)的理論和知識(shí)，詳細(xì)介紹了采樣理論、數(shù)據(jù)手冊(cè)指標(biāo)、ADC選型準(zhǔn)則和評(píng)估方法、時(shí)鐘抖動(dòng)和其它一些通用的系統(tǒng)級(jí)考慮。 另外，一些用戶希望通過(guò)交織、平均或抖...
2023-04-15 標(biāo)簽：芯片接口adcdac時(shí)鐘抖動(dòng) 3424
三極管做電子開(kāi)關(guān)的原理及用法
三極管是一種電流放大器件，一般是用來(lái)放大電流或者作為電子開(kāi)關(guān)使用，我這里主要以電子開(kāi)關(guān)這種用法進(jìn)行說(shuō)明。...
2023-04-15 標(biāo)簽：三極管電流集電極電子開(kāi)關(guān)NPN型 5996
電容感測(cè)：你應(yīng)該選擇哪個(gè)架構(gòu)
電容感測(cè)在很多應(yīng)用中大展拳腳，從接近度檢測(cè)和手勢(shì)識(shí)別，到液面感測(cè)。無(wú)論是哪種應(yīng)用，電容感測(cè)的決定性因素都是根據(jù)一個(gè)特定的基準(zhǔn)來(lái)感測(cè)傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特定應(yīng)用和系...
高清音頻正在改變著我們的收聽(tīng)方式
我已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，TPA325xD2系列高性能D類音頻放大器提升了hi-fi器件的音頻性能。TPA3251D2 D類放大器具有一個(gè)閉環(huán)架構(gòu)，可以比其它高功率D類放大器實(shí)現(xiàn)更高帶寬和更低失真音頻。在我親自進(jìn)行收聽(tīng)測(cè)...
新型光電二極管為可穿戴設(shè)備生命體征監(jiān)測(cè)應(yīng)用提供出眾性能
- 與市場(chǎng)上的標(biāo)準(zhǔn)光電二極管相比，新推出的TOPLED? D5140 SFH 2202光電二極管具有更高的靈敏度，線性度也更出色；...
生成任意量級(jí)的偏置電流網(wǎng)絡(luò)
最終，只要一些特定條件得以滿足，特別是主反饋驅(qū)動(dòng)的柱的電流為網(wǎng)絡(luò)中最大的電流，且各柱保持適當(dāng)余量，那么可利用單個(gè)反饋裝置獲得任意值的偏置網(wǎng)絡(luò)。這樣，基于單一電壓基準(zhǔn)的偏置...
如何使用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)偏置電流網(wǎng)絡(luò)
利用運(yùn)放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個(gè)簡(jiǎn)單、直接的過(guò)程。但是，假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源(current sink/source)，而每個(gè)電流沉/源的大小任意，可能須要...
何時(shí)使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的...
體二極管在真實(shí)電路中測(cè)量反向恢復(fù)的方法
使用一個(gè)分流電阻器怎么樣？這聽(tīng)起來(lái)是可行的，不過(guò)你需要確保這個(gè)器件不會(huì)引入過(guò)大的環(huán)路電感。我找到了幾個(gè)電阻值在10mΩ，并且具有“低電感”的電阻器。...
MOSFET體二極管的反向恢復(fù)
當(dāng)我們對(duì)于用實(shí)際組件來(lái)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時(shí)，這個(gè)波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反...
2023-04-15 標(biāo)簽：二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 6145
簡(jiǎn)單介紹繼電器A/B/C/D形式的電路
它控制兩個(gè)電路，即一個(gè)電路保持打開(kāi)而另一個(gè)保持閉合。它也被稱為“先斷后合”繼電器，因?yàn)樗葦嚅_(kāi)一個(gè)電路，然后再閉合另一電路。...
2023-04-26 標(biāo)簽：繼電器 5316
LT3042 20V、200mA、超低噪聲、超高 PSRR RF 線性穩(wěn)壓器概述
LT3042 是一款高性能低壓差線性穩(wěn)壓器，其采用 LTC 的超低噪聲和超高 PSRR 架構(gòu)以為對(duì)噪聲敏感的 RF 應(yīng)用供電。LT3042 被設(shè)計(jì)為后隨一個(gè)高性能電壓緩沖器的高精度電流基準(zhǔn)，其可容易地通過(guò)并聯(lián)...
2023-04-14 標(biāo)簽：RF低壓差線性穩(wěn)壓器LT3042 2752
晶體管是三極管嗎？三極管在電源里都有哪些應(yīng)用場(chǎng)景
截止區(qū)“三極管的截止?fàn)顟B(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。”我當(dāng)時(shí)就特別討厭用正偏反偏這個(gè)詞，已經(jīng)有三個(gè)極需要去記憶了，...
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。...
2023-04-14 標(biāo)簽：肖特基二極管SiCGaN功率半導(dǎo)體氧化鎵 1129
針對(duì)射頻(RF)的超高性能差分放大器——LMH3401
片上電阻簡(jiǎn)化了印刷電路板 (PCB) 實(shí)現(xiàn)，并能夠在 2GHz 的可用帶寬內(nèi)提供最高性能。此性能使得 LMH3401 非常適合測(cè)試和測(cè)量、寬帶通信以及高速數(shù)據(jù)采集等應(yīng)用。...
2023-04-14 標(biāo)簽：射頻印刷電路板差動(dòng)放大器 2764
高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器——HMC451LP3(E)
HMC451LP3(E)是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 該放大器具有5至18 GHz的工作范圍，提供18 dB增益、+21 dBm飽和功率和18% PAE（+5V單電源）。...
2023-04-14 標(biāo)簽：功率放大器 1624
高頻PCB電路的設(shè)計(jì)技巧及注意事項(xiàng)
避免高頻干擾的基本思路是盡量降低高頻信號(hào)電磁場(chǎng)的干擾，也就是所謂的串?dāng)_(Crosstalk)?？捎美蟾咚傩盘?hào)和模擬信號(hào)之間的距離，或加ground guard/shunt traces 在模擬信號(hào)旁邊。還要注意數(shù)字地...
2023-04-14 標(biāo)簽：pcb電路設(shè)計(jì)模擬信號(hào)差分線 1983
為你的flyback瘦身，甩掉多余的緩沖器
由于它們不同的器件結(jié)構(gòu)，高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此，額定電壓在1kV或者以上的BJT的價(jià)格要低于通用輸入離線反激式轉(zhuǎn)換器中常見(jiàn)的600V或650V MOSFET。...
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