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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。

IGBT深度報(bào)告:新能源發(fā)展的核心部件

全球范圍內(nèi)來(lái)看,工控和新能源汽車是IGBT需求占比最大的兩個(gè)下游領(lǐng)域。分下游需求來(lái)看(2017年數(shù)據(jù)),工控是IGBT目前最大的需求市場(chǎng),需求占比達(dá)到37%;新能源汽車位居第二大市場(chǎng),需求占...

2023-04-06 標(biāo)簽:新能源整流器IGBT 4474

9種運(yùn)算放大器的應(yīng)用電路

電壓跟隨器(也稱為緩沖器)不會(huì)放大或反相輸入信號(hào),而是在兩個(gè)電路之間提供隔離。輸入阻抗很高,而輸出阻抗很低,避免了電路內(nèi)的任何負(fù)載效應(yīng)。當(dāng)輸出直接連接回輸入之一時(shí),緩沖器...

2023-04-06 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器運(yùn)放跟隨器觸發(fā)器 3478

一文解析MOS管/三極管/IGBT之間的關(guān)系

PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確幾點(diǎn)。...

2023-04-06 標(biāo)簽:三極管二極管MOS管IGBTPN結(jié) 2732

共模抑制比CMRR對(duì)儀表放大器的精度造成重要影響

共模抑制比CMRR對(duì)儀表放大器的精度造成重要影響

儀表放大器,簡(jiǎn)稱儀放,英文名叫做Instrument Amplifier,通常用于高精密低頻信號(hào)檢測(cè),像溫度,壓力等電橋差分測(cè)量,電流取樣,生物電等微弱差分信號(hào)放大。這些信號(hào)有共同的特點(diǎn)就是:差分...

2023-04-06 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器儀表放大器CMRR 2685

MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSFET的控制是通過(guò)向柵極施加特定的電壓來(lái)進(jìn)行的。當(dāng)...

2023-04-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管FETp溝道 3354

硬件基礎(chǔ),模擬電子經(jīng)典200問(wèn)

不是線性的,加上正向電壓時(shí),P區(qū)的空穴與N區(qū)的電子在正向電壓所建立的電場(chǎng)下相互吸引產(chǎn)生復(fù)合現(xiàn)象,導(dǎo)致阻擋層變薄,正向電流隨電壓的增長(zhǎng)按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng),宏觀上呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài),而加...

2023-04-06 標(biāo)簽:電流PN結(jié)半導(dǎo)體材料 1037

同步復(fù)位信號(hào)如何跨時(shí)鐘域

XPM_CDC_SYNC_RST的Verilog代碼如下圖所示。代碼第16行參數(shù)DEST_SYNC_FF取值范圍為2~10的整數(shù),定義了級(jí)聯(lián)寄存器的個(gè)數(shù)。...

2023-04-06 標(biāo)簽:FPGA觸發(fā)器復(fù)位信號(hào) 3298

全球首款搭載320萬(wàn)像素SPAD傳感器的超高靈敏度可換鏡頭相機(jī)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,佳能(Canon)近日宣布正在研發(fā)全球首款搭載1.0英寸單光子雪崩二極管(SPAD)傳感器的超高靈敏度可換鏡頭相機(jī)(ILC)——MS-500,其搭載的1.0英寸SPAD圖像傳感器具有當(dāng)前業(yè)...

2023-04-06 標(biāo)簽:CMOS圖像傳感器雪崩二極管 3425

運(yùn)放-7-壓擺率SR造成的問(wèn)題現(xiàn)象

可以看懂,輸入1.5V的時(shí)候,輸出嚴(yán)重失真,不僅幅度達(dá)不到1.5V,波形也酷似三角波。這是為啥嗯?1V輸入的時(shí)候沒(méi)問(wèn)題,1.5V的時(shí)候輸入有問(wèn)題,難道是運(yùn)放仿真模型不對(duì),為非軌至軌?...

2023-04-06 標(biāo)簽:正弦波運(yùn)放三角波 2107

低側(cè)電流感應(yīng)用于高性能、成本敏感型應(yīng)用

低側(cè)電流感應(yīng)用于高性能、成本敏感型應(yīng)用

需要控制電機(jī)的應(yīng)用通常包含某種類型的電流感應(yīng)電路。感應(yīng)通過(guò)電機(jī)電流的能力可以幫助設(shè)計(jì)師根據(jù)電機(jī)電流狀態(tài)做出如速度之類的調(diào)整。...

2023-04-06 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器電機(jī) 1985

經(jīng)典模擬電路的解析

經(jīng)典模擬電路的解析

作為工程師,每天接觸的是電源的設(shè)計(jì)工程師,發(fā)現(xiàn)不管是電源的老手,高手,新手,幾乎對(duì)控制環(huán)路的設(shè)計(jì)一籌莫展,基本上靠實(shí)驗(yàn).靠實(shí)驗(yàn)當(dāng)然是可以的,但出問(wèn)題時(shí)往往無(wú)從下手,在這里我想以反激電...

2023-04-06 標(biāo)簽:電源模擬電路光耦控制環(huán)路 2068

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵...

2023-04-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT等效電路SiC羅姆 2046

BGH75N120HF1在工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器中的應(yīng)用

NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。...

2023-04-04 標(biāo)簽:IGBT肖特基二極管PCS變流器IGBTNPCPCS變流器肖特基二極管 2351

英飛凌MA2304xN MERUS多級(jí)開關(guān)放大器產(chǎn)品概述

MA2304PNS為借助應(yīng)用/連接處理器進(jìn)行音頻處理的系統(tǒng)提供更簡(jiǎn)單的音量控制和限制器。MA2304PNS能夠提高電池續(xù)航能力并降低電池成本,因此非常適合電池供電的揚(yáng)聲器應(yīng)用。...

2023-04-05 標(biāo)簽:英飛凌處理器處理器開關(guān)放大器英飛凌 912

飛虹電子微型逆變器的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)IGBT選擇方案

因?yàn)槿珮蛲負(fù)浣Y(jié)構(gòu)是微型逆變器中一種非常重要的電路結(jié)構(gòu),能夠提高電路效率、改善輸出波形、實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)節(jié)和增強(qiáng)電路的抗干擾能力,為微型逆變器的性能提升和應(yīng)用拓展提供了有力支...

2023-04-05 標(biāo)簽:逆變器IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)快恢復(fù)二極管 1666

數(shù)模混合信號(hào)鏈和時(shí)鐘芯片設(shè)計(jì)公司核芯互聯(lián)完成數(shù)億元B輪融資

??近日,數(shù)?;旌闲盘?hào)鏈和時(shí)鐘芯片設(shè)計(jì)公司核芯互聯(lián),宣布完成數(shù)億元B輪融資,本輪融資由招商資本,華強(qiáng)創(chuàng)投和老股東東方富海聯(lián)合投資。 核芯互聯(lián)成立于2018年,在北京、青島、上海、...

2023-04-04 標(biāo)簽:混合信號(hào)比較器信號(hào)鏈時(shí)鐘芯片核芯互聯(lián) 2639

詳解步進(jìn)電機(jī)的工作原理和操作模式

步進(jìn)電機(jī)是將電脈沖信號(hào),轉(zhuǎn)變?yōu)榻俏灰苹蚓€位移的開環(huán)控制電機(jī),又稱為脈沖電機(jī)。在非超載的情況下,電機(jī)的轉(zhuǎn)速、停止的位置只取決于脈沖信號(hào)的頻率和脈沖數(shù),而不受負(fù)載變化的影響。...

2023-04-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器步進(jìn)電機(jī) 4979

如何判斷三極管是否飽和

如何判斷三極管是否飽和

 三極管的主流作用是開關(guān)和放大。...

2023-04-04 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路放大電路截止飽和 8968

三極管的靜態(tài)工作點(diǎn)分析

三極管的靜態(tài)工作點(diǎn)分析

 什么是負(fù)載線? 負(fù)載線是連接三極管兩個(gè)極端狀態(tài)的線,即飽和與截止。...

2023-04-04 標(biāo)簽:三極管負(fù)載截止飽和靜態(tài)工作點(diǎn) 5654

介紹一款適用于手機(jī)充電器的7.5W電源芯片U62133

7.5W電源芯片U62133是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān),內(nèi)置高壓功率三極管,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。...

2023-04-04 標(biāo)簽:充電器電源適配器電源芯片大功率三極管 2837

晶閘管的基礎(chǔ)知識(shí)

晶閘管的基礎(chǔ)知識(shí)

晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又稱作可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR),以前被簡(jiǎn)稱為可控硅。...

2023-04-04 標(biāo)簽:二極管可控硅晶閘管SCR伏安特性 10945

電力二極管的工作原理、基本特性及主要參數(shù)

電力二極管的工作原理、基本特性及主要參數(shù)

電力二極管(Power Diode)自20世紀(jì)50年代初期就獲得應(yīng)用,但其結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單,工作可靠,直到現(xiàn)在電力二極管仍然大量應(yīng)用于許多電氣設(shè)備當(dāng)中。...

2023-04-04 標(biāo)簽:二極管電流電力PN結(jié)伏安特性 13634

二極管反向恢復(fù)特性和機(jī)理

二極管反向恢復(fù)特性和機(jī)理

在電子電路中,二極管是最常用的基礎(chǔ)電子元器件之一,在電力電子電路中,二極管與開關(guān)器件形影相隨,并且在很多情況下,二極管的數(shù)量要多于開關(guān)器件,可見其重要性。 其中與開關(guān)器件...

2023-04-04 標(biāo)簽:二極管電子元器件IGBT電子電路開關(guān)器件 16042

用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊,并與晶圓上的電路進(jìn)行物理接觸。然后它向電路發(fā)送精確的電氣測(cè)試信號(hào)以...

2023-04-04 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造碳化硅ASML 2065

第一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別?

第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。...

2023-04-04 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET摩爾定律氮化鎵第三代半導(dǎo)體 17994

小型化晶振的發(fā)展對(duì)電路有什么影響?

在模擬通信中,發(fā)射端和接收端轉(zhuǎn)換器之間的模擬信號(hào)可直接進(jìn)行傳輸。振蕩器是通信系統(tǒng)中一個(gè)極其重要的元件。如果晶振失效,會(huì)造成通信中斷。...

2023-04-04 標(biāo)簽:振蕩器電路設(shè)計(jì)晶振通信系統(tǒng)模擬通信 991

通過(guò)自動(dòng)限流調(diào)節(jié)保護(hù)您的集成式FET功率開關(guān)

通過(guò)自動(dòng)限流調(diào)節(jié)保護(hù)您的集成式FET功率開關(guān)

在電源及其負(fù)載之間放置開關(guān)和保險(xiǎn)絲可以控制和保護(hù)電源。對(duì)簡(jiǎn)單開關(guān)和保險(xiǎn)絲的改進(jìn)是集成電路,它在單個(gè)封裝中實(shí)現(xiàn)相同的功能,無(wú)需移動(dòng)部件,也無(wú)需維修。本文將展示MAX5976熱插拔電...

2023-04-04 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器電阻器 1818

IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理

根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型,其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和智能電網(wǎng)等對(duì)電壓要求較高,主...

2023-04-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 3657

LED顯示屏電路板維修的7個(gè)要點(diǎn)分析

放大器具有“虛短”和“虛斷”的特性,這兩個(gè)特性對(duì)分析線性運(yùn)用的運(yùn)放電路十分有用。為了保證線性運(yùn)用,運(yùn)放必須在閉環(huán)(負(fù)反饋)下工作。如果沒(méi)有負(fù)反饋,開環(huán)放大下的運(yùn)放成為一個(gè)比...

2023-04-04 標(biāo)簽:元器件LED顯示屏運(yùn)算放大器 4656

比較漏電起痕指數(shù)與工作電壓的關(guān)系

為了在設(shè)計(jì)為400級(jí)污染的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)2 V rms的工作電壓,隔離器需要4 mm的爬電距離,用于基本絕緣的III材料組。這加倍到 8 毫米,用于加強(qiáng)絕緣。為方便起見,其他工作電壓可以通過(guò)爬電距離之...

2023-04-04 標(biāo)簽:ADI耦合器隔離器 2026

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