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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶(hù)提供了專(zhuān)業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。

Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹

功率電子器件在電力存儲(chǔ),電力輸送,電動(dòng)汽車(chē),電力機(jī)車(chē)等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。...

2023-04-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiCDBC半導(dǎo)體器件AMB 9147

先積集成榮獲2023中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之“年度潛力IC設(shè)計(jì)公司”稱(chēng)號(hào)

? 30日晚,2023中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮榮光落幕,作為中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)最具專(zhuān)業(yè)性和影響力的技術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)之一,中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)是中國(guó)電子業(yè)界最重要的技術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)之一,是中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)的最高殊榮。獎(jiǎng)...

2023-04-01 標(biāo)簽:ICIC設(shè)計(jì)IP模擬芯片先積集成 1954

思瑞浦高性能模擬芯片和嵌入式處理器——TPM650xQ

TPM650xQ系列內(nèi)置MOS管,耐壓達(dá)到25V,支持全溫度范圍-40°C至+125°C可靠工作。通過(guò)極具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能,TPM650xQ系列廣泛應(yīng)用于汽車(chē)總線(xiàn)接口、工業(yè)儀器等需要隔離供電的終端領(lǐng)域。...

2023-04-01 標(biāo)簽:變壓器驅(qū)動(dòng)芯片思瑞浦 1241

柵極型推挽電路不用上P下N的原因

當(dāng)輸入信號(hào)的高電平低于電源電壓時(shí),這意味著上N管的CE節(jié)將會(huì)承受較高的電壓。這也就意味著上管將有著發(fā)熱壞的風(fēng)險(xiǎn)。...

2023-04-01 標(biāo)簽:三極管推挽電路信號(hào)控制 773

IGBT芯片互連常用鍵合線(xiàn)材料特性

IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。...

2023-04-01 標(biāo)簽:二極管IGBTIC芯片igbt芯片IC芯片IGBTigbt芯片二極管鍵合線(xiàn) 4106

PWM態(tài)存在開(kāi)關(guān)管的ZCS導(dǎo)通現(xiàn)象如何解決?

在諧振電流過(guò)零前Q2驅(qū)動(dòng)脈沖到來(lái),Q2導(dǎo)通;但此時(shí)Q1的體二極管D1也在續(xù)流,因此,電流從D1到Q2迅速換流,Q2為ZCS導(dǎo)通。...

2023-04-01 標(biāo)簽:二極管PWM 793

比利時(shí)駐華大使Jan Hoogmartens閣下訪(fǎng)問(wèn)Melexis

2023年3月31日上午,比利時(shí)駐華大使Jan Hoogmartens閣下和比利時(shí)駐上海領(lǐng)事館經(jīng)濟(jì)領(lǐng)事Van Kerrebroeck Frédéric先生一同受邀參觀(guān)邁來(lái)芯電子科技(上海)有限公司。 自 1989 年成立以來(lái),Melexis已發(fā)展成...

2023-04-01 標(biāo)簽:傳感器混合信號(hào)Melexis 2648

mosfet與igbt對(duì)比優(yōu)缺點(diǎn)

在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中,MOSFET由于具有較快的開(kāi)關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。...

2023-04-01 標(biāo)簽:MOSFET整流器IGBT開(kāi)關(guān)管 9223

如用電容器來(lái)降低噪聲的對(duì)策分析

ESL取決于電容引腳部位的結(jié)構(gòu),因此尺寸較小的電容基本上引腳部位也較小,通常ESL較小。當(dāng)需要降低更高頻段的噪聲時(shí),方法之一是選擇尺寸小的電容。但是,要注意DC偏置特性。...

2023-04-01 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電容去耦電容 1850

碳化硅MOSFET在汽車(chē)動(dòng)力逆變器中的優(yōu)勢(shì)有哪些呢?

新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展,也隨之而來(lái)的是取得的成果。公司不斷嘗試開(kāi)發(fā)越來(lái)越多的性能設(shè)備,特點(diǎn)是更高的效率和更好的電氣特性。...

2023-04-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器碳化硅VAC 3873

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類(lèi)型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。...

2023-04-01 標(biāo)簽:MOSFETJFETSiC寄生電容 3698

模擬電子技術(shù)的十年新發(fā)展計(jì)劃

未來(lái)十年,模擬電路將不斷發(fā)展,以利用成千上萬(wàn)的專(zhuān)用于模擬任務(wù)的設(shè)備。前幾年的模擬設(shè)計(jì)取決于一些設(shè)備的詳細(xì)性能:放大器的輸入級(jí),或典型PLL電路的元件——這些可以作為電路圖繪制...

2023-04-01 標(biāo)簽:混合信號(hào)模擬設(shè)計(jì)無(wú)線(xiàn)通信模擬芯片無(wú)線(xiàn)電處理器 2226

運(yùn)放保護(hù)電路設(shè)計(jì)

運(yùn)放保護(hù)電路設(shè)計(jì)

【任務(wù)】運(yùn)放是模擬電路的靈魂核心器件,為使運(yùn)放工作可靠且壽命達(dá)到設(shè)計(jì)預(yù)期,應(yīng)該對(duì)運(yùn)放采取必要的保護(hù)措施。運(yùn)放作為一種高輸入阻抗,高增益的器件,其損壞的原因主要有:電源極性...

2023-03-31 標(biāo)簽:二極管保護(hù)電路電路設(shè)計(jì)運(yùn)放晶體管 8006

高增益反相比例放大器設(shè)計(jì)(二)

高增益反相比例放大器設(shè)計(jì)(二)

【任務(wù)】設(shè)計(jì)一個(gè)反相比例放大器,放大倍數(shù)為200,輸入電阻Ri為200k(與前級(jí)電路阻抗匹配),輸入電壓ui為0~±50mV直流。...

2023-03-31 標(biāo)簽:放大器電路阻抗匹配輸入電阻反饋 3437

高增益反相比例放大器設(shè)計(jì)(一)

高增益反相比例放大器設(shè)計(jì)(一)

【任務(wù)】設(shè)計(jì)一個(gè)反相比例放大器,放大倍數(shù)為200,輸入電阻Ri為200k(與前級(jí)電路阻抗匹配),輸入電壓ui為0~±50mV直流。...

2023-03-31 標(biāo)簽:電源放大器運(yùn)放輸出電壓虛短 5353

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(二)

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(二)

前面解決了MOS管的接法問(wèn)題,接下來(lái)談?wù)凪OS管的開(kāi)關(guān)條件。...

2023-03-31 標(biāo)簽:MOS管電平N溝道NMOS管PMOS管 5775

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(一)

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(一)

MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方...

2023-03-31 標(biāo)簽:MOS管p溝道高電平符號(hào)寄生二極管 1731

整流與逆變有何區(qū)別

整流與逆變有何區(qū)別

整流是一種物理現(xiàn)象,指的是在相同的驅(qū)動(dòng)力推動(dòng)下正向和逆向的電流幅值大小不同,英文名稱(chēng)為:RecTIficaTIon。在電力電子方面:將交流電變換為直流電稱(chēng)為AC/DC變換,這種變換的功率流向是由...

2023-03-31 標(biāo)簽:電流整流逆變 10876

一文看懂TSV

肖特基的硅片上制作孔專(zhuān)利 此后, IBM開(kāi)始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力,并在垂直電互連方面取得了突破。...

2023-03-31 標(biāo)簽:集成電路memsTSV 2782

ALC在保護(hù)揚(yáng)聲器的同時(shí)改善音質(zhì)

ALC在保護(hù)揚(yáng)聲器的同時(shí)改善音質(zhì)

當(dāng)前筆記本電腦和便攜式DVD音頻的一個(gè)問(wèn)題是可用揚(yáng)聲器的動(dòng)態(tài)范圍有限。由于尺寸限制,揚(yáng)聲器通常很小,因此在有限的頻率范圍內(nèi)只能產(chǎn)生適度的聲壓。本應(yīng)用筆記解釋了自動(dòng)電平控制(...

2023-03-31 標(biāo)簽:dsp運(yùn)算放大器揚(yáng)聲器 4550

英飛凌FP100R12KT4 IGBT模塊內(nèi)部拆解分析

該模塊由塑料外殼封裝起來(lái),底部為導(dǎo)熱鈑金,導(dǎo)熱鈑金貼在散熱器上,用四個(gè)螺絲固定。Pin腳焊在陶瓷襯板上。...

2023-03-31 標(biāo)簽:英飛凌變頻器IGBTIGBT伺服電機(jī)控制變頻器英飛凌 11258

國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入,國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

在車(chē)載充電器領(lǐng)域,碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。...

2023-03-31 標(biāo)簽:MOSFET光伏逆變器碳化硅 1180

高性能全集成SAR型ADC

首先就是抗混疊電路的需求。例如當(dāng)電路中的SAR型ADC采樣率為fs時(shí),根據(jù)香濃采樣定律,輸入信號(hào)的頻率需要小于fs/2,頻率超過(guò)fs/2的信號(hào)將會(huì)通過(guò)混疊效應(yīng)“混入”有用信號(hào)頻帶中,并且無(wú)法...

2023-03-31 標(biāo)簽:濾波器SARadc 2155

深入探討精密數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈的噪聲分析

在很多應(yīng)用中,模擬前端接收單端或差分信號(hào),并執(zhí)行所需的增益或衰減、抗混疊濾波及電平轉(zhuǎn)換,之后在滿(mǎn)量程電平下驅(qū)動(dòng)ADC輸入端。今天我們探討下精密數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈的噪聲分析,并深入...

2023-03-31 標(biāo)簽:噪聲adc數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈差分信號(hào) 1059

模擬芯片設(shè)計(jì)公司微源半導(dǎo)體榮獲“年度中國(guó)優(yōu)秀IC設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)”

由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)AspenCore主辦的“2023國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)”,于3月29-30日在上海國(guó)際會(huì)議中心舉辦,并在30號(hào)舉行了2023中國(guó)IC領(lǐng)袖峰會(huì)暨中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮。...

2023-03-31 標(biāo)簽:集成電路ICIC設(shè)計(jì)模擬芯片微源半導(dǎo)體 2136

使用分立半導(dǎo)體器件的熱管理設(shè)計(jì)

有幾種方法可有效改善當(dāng)今分立半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)時(shí)遇到的高溫問(wèn)題。仿真技術(shù)對(duì)于衡量各種方法的工作情況至關(guān)重要。...

2023-03-31 標(biāo)簽:pcb半導(dǎo)體封裝散熱器熱管理分立半導(dǎo)體 2922

二極管4個(gè)電路:整流、鉗位保護(hù)、防反接、續(xù)流

我們知道二極管的一個(gè)主要特征是單向?qū)щ娦裕枚O管的單向?qū)щ娦钥梢詫?shí)現(xiàn)整流、鉗位保護(hù)、防反接、續(xù)流等。下面介紹這四個(gè)簡(jiǎn)單電路...

2023-03-31 標(biāo)簽:并聯(lián)繼電器二極管整流二極管并聯(lián)整流繼電器續(xù)流 4722

你是怎么看待運(yùn)放增益的呢?

你是怎么看待運(yùn)放增益的呢?

一般說(shuō)到運(yùn)放的增益,可能有兩個(gè),一個(gè)叫開(kāi)環(huán)增益,另一個(gè)叫閉環(huán)增益。...

2023-03-31 標(biāo)簽:放大電路電路設(shè)計(jì)運(yùn)放AOLAOLLM2904B放大電路電路設(shè)計(jì)運(yùn)放 3238

全面剖析三極管工作原理

全面剖析三極管工作原理

對(duì)三極管放大作用的理解,切記一點(diǎn):能量不會(huì)無(wú)緣無(wú)故的產(chǎn)生,所以,三極管一定不會(huì)產(chǎn)生能量。 但三極管厲害的地方在于:它可以通過(guò)小電流去控制大電流。 放大的原理就在于:通過(guò)...

2023-03-30 標(biāo)簽:三極管電路模擬電路 7716

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