模擬技術(shù)
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SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹
我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；...
碳化硅MOSFET有幾種電壓介紹
下面我們拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件說明。碳化硅 (SiC）二極管采用全新技術(shù)，提供比硅材質(zhì)更勝一籌的開關(guān)性能和可靠性。目前主流的能量產(chǎn)而且性能穩(wěn)定的碳化硅二極管電壓...
二極管知識
二極管的全稱是晶體二極管，是一種具有單向?qū)щ娞匦缘陌雽?dǎo)體器件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成，在外部具有兩個引腳，P型半導(dǎo)體所引出的電極引腳叫做陽極，N型半導(dǎo)體所引出...
2023-02-21 標(biāo)簽：二極管PN結(jié)半導(dǎo)體器件 2698
用更多選擇回應(yīng)積極的反饋
為了提供這種靈活性，UnitedSiC 提供了額外的第 4 代 750V SiC FET，導(dǎo)通電阻為 23、33 和 44 毫歐，以及 6、9 和 11 毫歐的部件，這是對已經(jīng)推出的 18 和 60 毫歐器件的重大改進(jìn)。現(xiàn)在，客戶可以“混...
最大限度降低SiC FET的EMI的開關(guān)損耗
對高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡單性的需求增加，使得碳化硅 （SiC） FET 因其快速開關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開啟）和高壓額定值。...
SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。...
2023-02-21 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2089
UnitedSiC FET射流計(jì)算機(jī)消除SiC FET選擇中的猜忌
電源設(shè)計(jì)工具在不斷改進(jìn)，仿真越來越能夠在調(diào)節(jié)、效率和由此產(chǎn)生的損耗方面輸出準(zhǔn)確的波形和性能。不過有一個小問題：模擬器只能使用你告訴它的內(nèi)容——軟件很聰明，但它不會為你選擇...
2023-02-21 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器DC-DCSiC 519
真正實(shí)現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)
車載充電器 （OBC）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC，正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強(qiáng)將擴(kuò)大這種寬帶隙材料工作參數(shù)的范圍，并進(jìn)一步減輕所...
重新發(fā)現(xiàn)采用SIC FET的完美開關(guān)
有時有趣的是，事情如何改善或惡化取決于你的觀點(diǎn)。從利用電力的那一天起，就存在完美的開關(guān)——至少 18千沃爾特等世紀(jì)實(shí)驗(yàn)者是這么認(rèn)為的，他們用黃銅、木材和瓷器制造了電隔離器。關(guān)...
CMOS逆變器的特性/功耗/橫截面/電路圖
CMOS逆變器非常簡單，它將功耗降至最低水平。它由一對增強(qiáng)型NMOS和PMOS組成，作為交換機(jī)運(yùn)行，串聯(lián)連接，如圖所示。請注意，每個晶體管用作另一個晶體管的負(fù)載電阻。...
振蕩電路的原理及分類
振蕩電路是一種電路，它可以產(chǎn)生定期的振蕩信號，用于控制電子設(shè)備的運(yùn)行。在振蕩電路中產(chǎn)生振蕩電流的過程中，電容器極板上的電荷，通過線圈的電流，以及跟電流和電荷相聯(lián)系的磁場和...
時鐘電路的原理及應(yīng)用
時鐘電路是一種電路，它可以產(chǎn)生定期的時鐘信號，用于控制電子設(shè)備的運(yùn)行。 它的特點(diǎn)是可以產(chǎn)生定期的時鐘信號，可以控制電子設(shè)備的運(yùn)行，可以提高電子設(shè)備的精度和可靠性。時鐘電...
2023-02-20 標(biāo)簽：計(jì)數(shù)器定時器時鐘電路 9585
IGBT芯片制造工藝流程
GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流...
功率放大器的基本要求有哪些_功率放大器怎么用
功率放大器的基本要求包括：輸入信號的頻率范圍、輸入信號的電平、輸出功率、輸入阻抗、噪聲抑制、穩(wěn)定性、功耗、體積等。...
碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎？
碳化硅的應(yīng)用主要在于它的半導(dǎo)體性能與力學(xué)性能兩個方面。高溫下與氧反應(yīng)。...
IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展
加工技術(shù)：IGBT芯片的加工技術(shù)包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術(shù)的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如，采用新型的晶圓制備技術(shù)，可以提高晶圓的純度和均...
為何開關(guān)電源普遍使用MOS管呢？
MOS管在開關(guān)電路的作用是信號的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷。...
2023-02-20 標(biāo)簽：開關(guān)電路開關(guān)電源MOS管控制電路信號轉(zhuǎn)換 6080
晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理 單相晶閘管無觸點(diǎn)開關(guān)電路詳解
晶閘管一般指晶體閘流管，又稱作可控硅整流器，曾被簡稱為可控硅，是由三個PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和門極，晶閘管工...
2023-02-20 標(biāo)簽：開關(guān)電路可控硅晶閘管NPN管PNP管 7212
常見IGBT模塊及原理分析
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，它是由多個IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行...
2023-02-20 標(biāo)簽：模塊IGBT功率半導(dǎo)體 9853
一文詳解NMOS逆變器和PMOS逆變器
逆變器是反轉(zhuǎn)所施加信號的邏輯元件。在數(shù)字電路中，開關(guān)或邏輯功能的二進(jìn)制算術(shù)和數(shù)學(xué)操作最好使用符號0（零）和1（一）執(zhí)行。如果邏輯電平為0（接地）或0 V，1（V伏），則在逆變器中，...
變頻器無法啟動的原因 變頻器的6種調(diào)速方法
變頻器的參數(shù)調(diào)整主要包括調(diào)整頻率、調(diào)整輸出電流、調(diào)整輸出電壓、調(diào)整輸出功率、調(diào)整輸出頻率、調(diào)整輸出相位、調(diào)整輸出電流矢量、調(diào)整輸出電壓矢量、調(diào)整輸出功率矢量等。...
功率放大器主要作用_功率放大器的三種類型
功率放大器的主要作用是將輸入信號的電壓或電流放大，從而提高信號的功率。它可以用來放大低功率的信號，使其能夠推動更大的負(fù)載，從而提高信號的質(zhì)量。...
功率放大器的主要功能
功率放大器的主要功能包括放大輸入信號的電壓或功率，提供足夠的輸出功率來驅(qū)動負(fù)載，提供高質(zhì)量的輸出信號，提供高精度的控制，以及提供高效的功率利用率。...
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)簡述
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，又稱D/A轉(zhuǎn)換器，簡稱DAC，它是把數(shù)字量轉(zhuǎn)變成模擬的器件。D/A轉(zhuǎn)換器基本上由4個部分組成，即權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)、運(yùn)算放大器、基準(zhǔn)電源和模擬開關(guān)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器中一般都要用到...
2023-02-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器dac模擬信號數(shù)模轉(zhuǎn)換器dac數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器數(shù)模轉(zhuǎn)換器模擬信號轉(zhuǎn)換器 6912
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