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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

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今日看點(diǎn):特朗普:英偉達(dá)Blackwell AI芯片不會(huì)廣泛對(duì)海外開放;閃迪 NAND 閃存

特朗普:英偉達(dá)Blackwell AI芯片不會(huì)廣泛對(duì)海外開放 ? 美國(guó)總統(tǒng)唐納德·特朗普表示,英偉達(dá)先進(jìn)的人工智能(AI)芯片Blackwell不會(huì)向“外來者”開放。 ? 自8月份以來,關(guān)于特朗普是否會(huì)允許向...

2025-11-10 標(biāo)簽: 1437

瀾起科技推出支持9200 MT/s速率的DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片

瀾起科技今日正式推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片,該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能,為下一代高性能PC、筆記本電腦及工作站提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。...

2025-11-10 標(biāo)簽:DRAM瀾起科技時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器DDR5 68339

基于JEDEC JEP183A標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET閾值電壓精確測(cè)量方法

基于JEDEC JEP183A標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET閾值電壓精確測(cè)量方法

閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓,以建立MOSFET漏極和源極端子之間的導(dǎo)電溝道。有幾種方法可以確定閾值電壓:根據(jù)...

2025-11-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC閾值電壓 7984

憶聯(lián)首款商用消費(fèi)級(jí)QLC SSD AE531深度評(píng)測(cè)

憶聯(lián)首款商用消費(fèi)級(jí)QLC SSD AE531深度評(píng)測(cè)

近日,深耕存儲(chǔ)及硬件領(lǐng)域的專業(yè)評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu)PCEVA對(duì)憶聯(lián)首款QLC商用消費(fèi)級(jí)SSD AE531展開了深度評(píng)測(cè)。結(jié)果顯示,AE531在性能以及各項(xiàng)測(cè)試上的成績(jī)均超越同級(jí)表現(xiàn)。同時(shí),務(wù)實(shí)的SLC緩存策略、跨平...

2025-11-07 標(biāo)簽:存儲(chǔ)SSDqlc 2167

SiC-MOS與IGBT抗短路能力對(duì)比

SiC-MOS與IGBT抗短路能力對(duì)比

在IGBT為主流的時(shí)代,提到抗短路能力,就是有或者沒有。如果器件具備抗短路能力,那就是比較能抗,一般不容易引起失效。但是SiC-MOS給人的感覺就是不那么皮實(shí),魯棒性并沒那么讓人放心。...

2025-11-06 標(biāo)簽:逆變器IGBTSiC 7402

圣邦微電子推出低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)SGM25642

圣邦微電子推出低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)SGM25642

圣邦微電子推出 SGM25642,一款 5.5V,15A 峰值電流能力,具備可編程軟啟動(dòng)、電流監(jiān)測(cè)和輸出放電功能的低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)。該器件可應(yīng)用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設(shè)備、固態(tài)硬盤和手...

2025-11-05 標(biāo)簽:負(fù)載開關(guān)引腳圣邦微電子 2488

今日看點(diǎn):智元推出真機(jī)強(qiáng)化學(xué)習(xí);美國(guó)軟件公司SAS退出中國(guó)市場(chǎng)

智元推出真機(jī)強(qiáng)化學(xué)習(xí),機(jī)器人訓(xùn)練周期從“數(shù)周”減至“數(shù)十分鐘” ? 近日,智元機(jī)器人宣布其研發(fā)的真機(jī)強(qiáng)化學(xué)習(xí)技術(shù),已在與龍旗科技合作的驗(yàn)證產(chǎn)線中成功落地。據(jù)介紹,此次落地的...

2025-11-05 標(biāo)簽: 1166

一種適用于自舉供電的SiC MOSFET可靠驅(qū)動(dòng)方案

一種適用于自舉供電的SiC MOSFET可靠驅(qū)動(dòng)方案

碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)憑借高速開關(guān)特性,大幅降低開關(guān)損耗,目前已在各行業(yè)應(yīng)用中加速滲透。然而,其器件特性所伴隨的高 dV/dt(電壓變化率),易引發(fā)寄生開通風(fēng)險(xiǎn),已成為各...

2025-11-05 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SiC驅(qū)動(dòng)芯片 6089

納芯微隔離類器件如何推動(dòng)光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)升級(jí)

納芯微隔離類器件如何推動(dòng)光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)升級(jí)

2025年,“2000V”成為光伏與儲(chǔ)能領(lǐng)域的熱詞。繼600V、1000V、1500V之后,行業(yè)正加速邁向更高電壓平臺(tái)。隨著器件耐壓、絕緣與標(biāo)準(zhǔn)體系的完善,更高母線電壓正成為提升功率密度與系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性的...

2025-11-05 標(biāo)簽:光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)納芯微 6531

左藍(lán)微電子推出零溫漂、小型化1411尺寸TC-SAW雙工器

左藍(lán)微電子推出零溫漂、小型化1411尺寸TC-SAW雙工器

左藍(lán)微電子成功推出了多款1411尺寸的TC-SAW雙工器,1411系列雙工器芯片相比于1612雙工器芯片面積減少約23%,相比于1511雙工器芯片面積減少約9%,為客戶提供了更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。下圖展示的...

2025-11-04 標(biāo)簽:雙工器射頻濾波器左藍(lán)微電子 60184

三菱電機(jī)榮獲海信集團(tuán)2025質(zhì)量卓越貢獻(xiàn)獎(jiǎng)

三菱電機(jī)榮獲海信集團(tuán)2025質(zhì)量卓越貢獻(xiàn)獎(jiǎng)

2025海信集團(tuán)全球供應(yīng)鏈合作伙伴峰會(huì)于10月16日在青島香格里拉舉行。本屆 峰會(huì)以“智鏈全球,韌性共生”為主題,重點(diǎn)聚焦低碳創(chuàng)新與全球供應(yīng)鏈協(xié)同,強(qiáng)調(diào)智能化與供應(yīng)鏈韌性建設(shè)。在本次...

2025-11-04 標(biāo)簽:三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體海信集團(tuán) 2013

優(yōu)化放大器電路中的輸入和輸出瞬態(tài)穩(wěn)定時(shí)間

優(yōu)化放大器電路中的輸入和輸出瞬態(tài)穩(wěn)定時(shí)間

運(yùn)算放大器電路通常在執(zhí)行系統(tǒng)功能時(shí)需要響應(yīng)輸入和輸出瞬態(tài)。部分電路主要設(shè)計(jì)用于接受不同的輸入瞬態(tài),如傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)電路;而其他電路則提供輸出瞬態(tài),例如模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)輸入或...

2025-11-04 標(biāo)簽:負(fù)載運(yùn)算放大器adc仿真 6378

潤(rùn)石科技推出12位16通道模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片RS1467

潤(rùn)石科技推出12位16通道模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片RS1467

RS1467是一款12位、16通道的模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片,基于SAR架構(gòu)設(shè)計(jì),單端輸入,最高支持1MSPS的轉(zhuǎn)換速率。...

2025-11-04 標(biāo)簽:模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片江蘇潤(rùn)石 2052

今日看點(diǎn):全球首個(gè)人形機(jī)器人火炬手亮相;芯正微完成數(shù)億元A輪融資

三星:明年的 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能已售罄,考慮擴(kuò)建生產(chǎn)線 據(jù)媒體報(bào)道,三星考慮擴(kuò)建高帶寬內(nèi)存(HBM)生產(chǎn)線以提高產(chǎn)能。這家韓國(guó)科技巨頭周四表示,其明年 HBM 的產(chǎn)能已被預(yù)訂一空,并正在收到...

2025-11-03 標(biāo)簽:機(jī)器人三星 1189

谷泰微推出GT4798音頻耳機(jī)模擬開關(guān)

谷泰微推出GT4798音頻耳機(jī)模擬開關(guān)

GT4798是一款音頻耳機(jī)模擬開關(guān),用于檢測(cè)3.5毫米配件并通過外部控制模塊切換SLEEVE和RING2引腳。...

2025-11-02 標(biāo)簽:MOSFET模擬開關(guān)谷泰微 5033

德州儀器集成驅(qū)動(dòng)器的GaN功率級(jí)產(chǎn)品介紹

德州儀器集成驅(qū)動(dòng)器的GaN功率級(jí)產(chǎn)品介紹

今天,在功率電子領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)正在取代硅(Si)器件,成為越來越多大功率密度、高能效應(yīng)用場(chǎng)景中的主角。...

2025-10-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 14527

今日看點(diǎn):中國(guó)電信成為業(yè)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)北斗語音消息的運(yùn)營(yíng)商;美創(chuàng)企Substrat

中國(guó)電信成為業(yè)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)北斗語音消息的運(yùn)營(yíng)商 據(jù)“中國(guó)電信”機(jī)構(gòu)號(hào),其已率先公開展示“北斗語音消息”服務(wù),成為業(yè)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)北斗語音消息的運(yùn)營(yíng)商。 ? 據(jù)介紹,中國(guó)電信在業(yè)內(nèi)首...

2025-10-31 標(biāo)簽: 1599

應(yīng)用于ECG和BioZ AFE電路的EMI濾波器分析與設(shè)計(jì)準(zhǔn)則

應(yīng)用于ECG和BioZ AFE電路的EMI濾波器分析與設(shè)計(jì)準(zhǔn)則

本文介紹了通常應(yīng)用于心電圖(ECG)和生物阻抗(BioZ)模擬前端(AFE)電路的傳統(tǒng)共模/差模無源電磁干擾(EMI)濾波器的分析與設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。文中詳細(xì)說明了不平衡的EMI濾波器如何造成共模噪聲混入差模信...

2025-10-31 標(biāo)簽:EMI濾波器模擬前端共模濾波器 7896

納微GaN與SiC技術(shù)革新數(shù)據(jù)中心電力架構(gòu)

納微GaN與SiC技術(shù)革新數(shù)據(jù)中心電力架構(gòu)

隨著云端大規(guī)模人工智能(AI)的迅速發(fā)展與部署,包括OpenAI開發(fā)的ChatGPT在內(nèi),越來越多高性能的、為特定目標(biāo)設(shè)計(jì)的AI處理器正被集成至數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中。人工智能技術(shù)涵蓋機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)...

2025-10-30 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心AIGaN納微 4453

飛虹MOS管FHS110N8F5B在鋰電池保護(hù)板中的應(yīng)用

飛虹MOS管FHS110N8F5B在鋰電池保護(hù)板中的應(yīng)用

鋰電池保護(hù)板就像是電池組的“智能大腦”和“安全衛(wèi)士”,目前13到17串的鋰電池保護(hù)板已經(jīng)廣泛用于電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、電動(dòng)工具、航模電池組、戶外電源、太陽能/風(fēng)能路燈等產(chǎn)品。...

2025-10-29 標(biāo)簽:鋰電池MOS管保護(hù)板 2737

市值220億美元!Skyworks與Qorvo合并,打造美國(guó)高性能射頻、模擬及混合信號(hào)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者

市值220億美元!Skyworks與Qorvo合并,打造美國(guó)高性能射頻、模擬及混合信號(hào)解決

10月28日,全球高性能模擬及混合信號(hào)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者 Skyworks與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo今日宣布,兩家公司已達(dá)成最終協(xié)議,將通過現(xiàn)金與股票交易完成合并。該交易將合并后...

2025-10-29 標(biāo)簽:射頻模擬SkyworksQorvo 5195

ADI 8通道高壓同步采樣ADC AD4858介紹

AD4858是ADI最新發(fā)布的高壓同步采樣ADC,屬于ADI同步采樣ADC家族系列產(chǎn)品,目前已在ADI官網(wǎng)正式發(fā)布,配套的數(shù)據(jù)手冊(cè)、軟件資源及評(píng)估板資源均可在官網(wǎng)獲取。作為該家族中聚焦高壓場(chǎng)景的代表...

2025-10-29 標(biāo)簽:ADIadc同步采樣 2811

士模微電子完成B輪融資

士模微電子完成B輪融資

近日,士模微電子完成超億元人民幣的B輪融資, 本輪融資由北京京國(guó)瑞投資管理有限公司(“京國(guó)瑞基金”)領(lǐng)投, 亦莊國(guó)投、銳聞投資、北極光創(chuàng)投跟投。本輪融資將主要用于擴(kuò)大產(chǎn)品線、市...

2025-10-28 標(biāo)簽:信號(hào)鏈融資信號(hào)鏈士模微融資 1984

一文詳解IGBT IPM的控制輸入

一文詳解IGBT IPM的控制輸入

控制引腳HINU、HINV、HINW分別對(duì)應(yīng)高邊IGBT的U相、V相、W相控制輸入;LINU、LINV、LINW則分別對(duì)應(yīng)低邊IGBT的U相、V相、W相控制輸入。...

2025-10-27 標(biāo)簽:IGBT引腳IPM 4587

環(huán)旭電子數(shù)位類比轉(zhuǎn)換器控制偏壓電流創(chuàng)新解決方案

環(huán)旭電子數(shù)位類比轉(zhuǎn)換器控制偏壓電流創(chuàng)新解決方案

在高速運(yùn)算與智慧應(yīng)用的時(shí)代,電源管理的穩(wěn)定性與精度已成為系統(tǒng)效能的核心基石。無論是 AI 加速器、FPGA、ASIC,還是高速儲(chǔ)存設(shè)備,對(duì)于電源輸出電壓的要求越來越嚴(yán)苛。傳統(tǒng)透過更換分壓...

2025-10-24 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器環(huán)旭電子 1832

今日看點(diǎn):TI 已量產(chǎn)的 CC27xx-Q1 系列無線 MCU 通過藍(lán)牙信道探測(cè)官方認(rèn)證;國(guó)內(nèi)首

荷蘭安世警告客戶 : 別買中國(guó)工廠芯片質(zhì)量無法保證 ? 近日,荷蘭安世半導(dǎo)體總部已向其全球客戶發(fā)出警告,聲稱無法再保證來自其中國(guó)工廠生產(chǎn)的芯片質(zhì)量,此舉被視為警告客戶停止采購由...

2025-10-24 標(biāo)簽: 2741

MOSFET的原理、特性及參數(shù)

MOSFET的原理、特性及參數(shù)

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),簡(jiǎn)稱MOS管,屬于場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的一種。...

2025-10-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 10598

飛虹MOS管FHS100N8F6A在鋰電池保護(hù)板中的應(yīng)用

飛虹MOS管FHS100N8F6A在鋰電池保護(hù)板中的應(yīng)用

在鋰電池保護(hù)板的設(shè)計(jì)中,MOS管作為關(guān)鍵功率開關(guān)器件,直接影響系統(tǒng)的安全性、效率和可靠性。選擇合適的MOS管,不僅關(guān)系到電池的過充、過放、過流保護(hù)性能,也直接影響整機(jī)的功耗與熱管...

2025-10-23 標(biāo)簽:鋰電池MOS管保護(hù)板 2130

飛虹場(chǎng)效應(yīng)管100N8F6A在電源設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

飛虹場(chǎng)效應(yīng)管100N8F6A在電源設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

在各類工業(yè)與消費(fèi)類電源設(shè)計(jì)中,如DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC-AC逆變器、AC-DC開關(guān)電源等,功率MOSFET的選型對(duì)系統(tǒng)效率、散熱性能及整體可靠性具有決定性影響。...

2025-10-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2256

中微愛芯推出AiP865X系列微功耗軌到軌運(yùn)算放大器

中微愛芯推出AiP865X系列微功耗軌到軌運(yùn)算放大器

隨著物聯(lián)網(wǎng)、便攜式醫(yī)療設(shè)備、智能傳感器及電池供電智能終端的快速發(fā)展,對(duì)運(yùn)算放大器在高性能與低功耗之間的平衡提出了更高要求。...

2025-10-21 標(biāo)簽:濾波器運(yùn)算放大器運(yùn)放 2376

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