模擬技術(shù)
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意法半導(dǎo)體亮相2025電源網(wǎng)工程師技術(shù)高峰論壇
????????2025年11月22日，電源網(wǎng)工程師技術(shù)高峰論壇在深圳盛大啟幕。這場行業(yè)盛會匯聚了知名院校學(xué)者與國內(nèi)外半導(dǎo)體廠商專家，共同分享前沿行業(yè)展望、展示最新解決方案。現(xiàn)場吸...
2025-12-11 標(biāo)簽：MOSFET意法半導(dǎo)體功率器件 1809
納芯微發(fā)布2029戰(zhàn)略藍(lán)圖：用體系化、全球化引領(lǐng)國產(chǎn)模擬高質(zhì)量發(fā)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2025年12月8日，納芯微（股票代碼：02676.HK；688052.SH）正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市，開啟公司發(fā)展新階段。納芯微創(chuàng)始人、董事長、CEO 王升楊表示，將以...
2025-12-11 標(biāo)簽： 5727
中微愛芯零漂移雙向電流檢測放大器AiP8280介紹
在工業(yè)控制、電源管理等場景中，電流檢測的精準(zhǔn)度、抗干擾能力和適配范圍直接決定系統(tǒng)可靠性。AiP8280作為一款專為嚴(yán)苛場景設(shè)計的電流檢測放大器，以超寬共模電壓、超低誤差和高速響應(yīng)...
運算放大器的核心組成與典型結(jié)構(gòu)
運算放大器是模擬電路與混合信號電路的核心基礎(chǔ)模塊，其性能直接決定電子系統(tǒng)的信號處理精度與穩(wěn)定性。掌握其工作原理、設(shè)計方法及優(yōu)化策略，是理解模擬集成電路機制、開展電路研發(fā)的...
上海貝嶺BL380X系列零漂移運算放大器產(chǎn)品介紹
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，運算放大器作為信號處理的核心元件，其性能直接決定了信號鏈路的品質(zhì)與輸出信號的可靠性。尤其在工業(yè)測量、醫(yī)療電子、儀表儀器等高精度應(yīng)用場景中，對運放芯片...
解析GaN與SiC在太陽能逆變器中的應(yīng)用方案
光伏發(fā)電（PV）是一種將陽光轉(zhuǎn)化為電能的技術(shù)，這個過程涉及使用太陽能電池來捕獲太陽能并將其轉(zhuǎn)化為可用的電力；然后，使用逆變器將太陽能電池產(chǎn)生的電力從直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電...
Wolfspeed碳化硅產(chǎn)品在惡劣環(huán)境中實現(xiàn)更優(yōu)系統(tǒng)耐久性
可靠性是測量或方法的一致性?？煽啃詫ξ覀冃袠I(yè)的重要性再怎么強調(diào)也不為過。然而，一個必要的、可以帶來可靠性階躍式提升的概念討論得較少：即我們 Wolfspeed 所強調(diào)的"耐久性"，...
今日看點：特朗普允許英偉達(dá)對華出口H200芯片，但要抽成25%；眾擎完成 A1+ 輪與
特朗普允許英偉達(dá)對華出口H200芯片，但要抽成25% 12月8日，美國總統(tǒng)特朗普宣布，將允許英偉達(dá)對華出口其H200人工智能（AI）芯片。 ? 該決定有附帶條件，包括保障美國所謂“國家安全”，且美...
2025-12-09 標(biāo)簽： 1216
MOSFET的三重防護(hù)（3）
OK，還剩MOSFET的最后一重防護(hù)，就是在DS之間加TVS做保護(hù)，對應(yīng)的就是下圖TVS3的位置。...
新思科技重新定義模擬與混合信號芯片設(shè)計模式
新思科技近日榮獲 Frost & Sullivan 頒發(fā)的“2025年度模擬存內(nèi)計算技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者”稱號，充分體現(xiàn)了公司在AI驅(qū)動的模擬與混合信號（AMS）EDA 解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先實力。...
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料，下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢，相較于 Si，SiC 具有更高的禁帶寬度，使 SiC 器件的工作溫度可達(dá) 300℃以上(傳統(tǒng) Si 器件為150 ℃)，適用于高溫環(huán)境...
如何防止推挽式轉(zhuǎn)換器中的變壓器飽和
本期，為大家?guī)淼氖恰秲?yōu)化放大器電路中的輸入和輸出瞬態(tài)穩(wěn)定時間》，將討論如何利用死區(qū)時間內(nèi)的磁通量衰減效應(yīng)，來有效防止推挽式轉(zhuǎn)換器中的變壓器飽和問題。...
2025-12-04 標(biāo)簽：變壓器轉(zhuǎn)換器德州儀器飽和 16276
德州儀器GaN器件釋放光伏系統(tǒng)更多潛能
如何盡可能高效地利用太陽能，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...
今日看點：黑芝麻智能擬4-5.5億元收購億智電子控股權(quán)；理想發(fā)布首款 AI 眼鏡
黑芝麻智能擬4-5.5億元收購億智電子控股權(quán) ? 近日，黑芝麻智能國際控股有限公司（2533.HK，簡稱“黑芝麻智能”）發(fā)布內(nèi)幕消息公告，更新此前披露的可能收購事項。根據(jù)公告，公司擬通過收...
2025-12-04 標(biāo)簽： 1374
領(lǐng)慧立芯LHA7530系列高精度ADC國產(chǎn)替代CS5530系列
作為曾廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、稱重傳感、溫度監(jiān)測等領(lǐng)域的經(jīng)典 24 位 Σ-Δ 型 ADC 芯片，Cirrus Logic 旗下 CS5530 系列已即將步入停產(chǎn)流程 ——2026 年 9 月 12 日將迎來最終停產(chǎn)（EOL）節(jié)點，供應(yīng)鏈端...
安森美垂直GaN技術(shù)賦能功率器件應(yīng)用未來
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能...
中科銀河芯全新推出GXC400 RTD至數(shù)字輸出轉(zhuǎn)換器
RTD(熱阻式溫度檢測器)基于材料電阻隨溫度“靈敏變化”的特性實現(xiàn)對溫度的測量。其中應(yīng)用最廣泛的鉑電阻RTD(PT-RTD)，測溫范圍最高可超過800℃，并具備良好的精度、可重復(fù)性與線性表現(xiàn)，因...
2025-12-03 標(biāo)簽：RTD輸出轉(zhuǎn)換器中科銀河芯 2965
合科泰MOS管在現(xiàn)代電源控制系統(tǒng)中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電源控制系統(tǒng)中，MOS管已成為不可或缺的核心器件。其最基礎(chǔ)且核心的作用，是作為高速開關(guān)元件，如通過柵極電壓的高低變化，快速切換源極與漏極之間的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)而實現(xiàn)對...
意法半導(dǎo)體TSB18系列運算放大器的應(yīng)用示例
意法半導(dǎo)體TSB18系列運算放大器完美融合了高精度、多功能性、高效能和可靠性優(yōu)勢。無論您正在設(shè)計工業(yè)控制系統(tǒng)、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備還是儀器儀表，TSB181和TSB182高精度運算放大器都能滿足...
2025-12-03 標(biāo)簽：運算放大器意法半導(dǎo)體 1891
意法半導(dǎo)體高壓MOSFET明星產(chǎn)品深度解析
高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關(guān)的核心優(yōu)勢，已成為工業(yè)電源、新能源儲能、汽車電動化等場景實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)鍵引擎”。意法半導(dǎo)體深耕高...
2025-12-03 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET意法半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 2519
使用MOS管實現(xiàn)緩啟動電路的原理分析
在熱拔插的過程中，兩個連接器的機械接觸，觸點在瞬間會出現(xiàn)彈跳，電源不穩(wěn)，發(fā)生震蕩。這期間系統(tǒng)工作可能造成不穩(wěn)定。...
三菱電機即將發(fā)布兩款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模塊
三菱電機集團(tuán)今日（2025年12月2日）宣布，將于12月9日發(fā)布兩款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模塊，包括標(biāo)準(zhǔn)絕緣（6.0kVrms）封裝和高絕緣（10.0kVrms）封裝。這些大容量功率模塊專為軌道交通車輛等大型工...
2025-12-02 標(biāo)簽：二極管三菱電機功率半導(dǎo)體 1930
三菱電機SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用
SiC器件具有低開關(guān)損耗，可以使用更小的散熱器，同時可以在更高開關(guān)頻率下運行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源，可以實現(xiàn)高效率和高功率密度。三菱電機開發(fā)了一系列適合工業(yè)...
首家大基金三期A+H基石投資企業(yè)，多核心賽道冠軍！納芯微正式發(fā)布港股招股書
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2025年11月28日，高性能高可靠性模擬及混合信號芯片設(shè)計公司納芯微正式發(fā)布港股招股書。納芯微不僅成為國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡稱“國家大基金”）三...
2025-12-02 標(biāo)簽： 6423
Power Integrations榮獲2025全球電子成就獎之年度電源管理獎
2025國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen）正于11月25日至26日在深圳大中華喜來登酒店舉辦。在此次展會上，Power Integrations（簡稱：PI）旗下的InnoMux-2 1700V氮化鎵IC 榮獲2025 ASPENCORE全球電子成...
FS-IGBT短路耐受能力提升方法
隨著能源效率成為全球關(guān)注的焦點，半導(dǎo)體行業(yè)迎來了技術(shù)革新的浪潮。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)便是這一背景下的產(chǎn)物，其通過電場效應(yīng)調(diào)控導(dǎo)電通道，顯著降低了驅(qū)動所需的能...
首家大基金三期A+H基石投資企業(yè)，多核心賽道冠軍！納芯微正式發(fā)布港股招股書
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2025年11月28日，高性能高可靠性模擬及混合信號芯片設(shè)計公司納芯微正式發(fā)布港股招股書。納芯微不僅成為國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡稱“國家大基金”）三...
2025-11-29 標(biāo)簽：納芯微 6821
5W超低功耗 + 14.4GB/s吞吐量！慧榮推出新一代PCIe 5.0 SSD主控SM8388
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在數(shù)字化發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域正經(jīng)歷變革。SSD主控芯片作為固態(tài)硬盤核心部件，掌控數(shù)據(jù)讀寫、存儲與傳輸?shù)汝P(guān)鍵操作，決定SSD性能，影響存儲系統(tǒng)穩(wěn)定性與可靠...
2025-12-01 標(biāo)簽：存儲 1466
技術(shù)資訊 I 共模信號與差模信號解析
本文重點傳導(dǎo)噪聲分為共模信號和差模信號兩種類型。無論是共模信號還是差模信號，都需要兩根導(dǎo)線進(jìn)行傳輸。電路中產(chǎn)生共模噪聲的主要原因是電路器件之間、器件與地之間存在寄生電容。...
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