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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。

MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的?柵源振蕩的危害什么?如何抑制

MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的呢?柵源振蕩的危害什么?如何抑制或緩解柵源振蕩的現(xiàn)象呢? MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的柵源振蕩是指在工作過程中,出現(xiàn)的柵極與源極之間...

2024-03-27 標簽:MOSFET振蕩電路晶體管 3655

什么是MOS管亞閾值電壓?MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的?

什么是MOS管亞閾值電壓?MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的?亞閾值區(qū)在 MOSFET器件中的作用及優(yōu)點? MOS管亞閾值電壓指的是在MOSFET器件中的亞閾值區(qū)域工作時,門極電壓低于閾值電壓的情況。在...

2024-03-27 標簽:MOSFETMOS管閾值電壓 8289

MOS管中漏電流產(chǎn)生的主要六大原因

MOS管中漏電流產(chǎn)生的主要六大原因? MOS管(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是一種重要的半導體器件,廣泛應用于各種電子設(shè)備中。然而,MOS管中漏電流的產(chǎn)生是一個常見的問題,需要仔細...

2024-03-27 標簽:MOS管電流電壓漏電流 8962

晶體管入門基礎(chǔ)知識全面解析

晶體管入門基礎(chǔ)知識全面解析

基極電壓升高時,BJT的基極電流開始流動,集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發(fā)生電流流動。這個電壓被稱為基極-發(fā)射極閾值電壓(VBE)。...

2024-03-27 標簽:二極管MOSFET電阻器晶體管漏極電流 6461

探索天氣影響下的三極管異?,F(xiàn)象

探索天氣影響下的三極管異?,F(xiàn)象

當單板啟動時,SLP_S3會輸出3V3電平,此時Q14的ib=(3.3-0.7)/2K=1.3mA;按三極管處于放大區(qū)時hFE=100計算,ic=100*1.3mA=130mA,已經(jīng)超過了ic的飽和電流1.2mA(12V/10K)。...

2024-03-27 標簽:三極管上拉電阻MOS管漏電流單板電源 1207

數(shù)字設(shè)計的信號完整性基礎(chǔ)知識

數(shù)字設(shè)計的信號完整性基礎(chǔ)知識

每當沿著一條導線驅(qū)動信號時,該導線周圍都會產(chǎn)生磁場。如果兩根導線相鄰放置,兩個磁場可能會相互作用,導致信號之間的能量交叉耦合,稱為串擾。...

2024-03-27 標簽:pcb信號完整性數(shù)字信號傳輸線負載電容 1037

IGBT模塊封裝過程中的技術(shù)詳解

IGBT模塊封裝過程中的技術(shù)詳解

IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。...

2024-03-27 標簽:場效應管IGBT晶體管直流電壓驅(qū)動電流 3337

探索BJT、CMOS、DMOS等半導體工藝技術(shù)

探索BJT、CMOS、DMOS等半導體工藝技術(shù)

雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT),俗稱三極管。晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴散作用和漂移運動,由于同時涉及到電子和空穴兩種載流子的流動,因此它被...

2024-03-27 標簽:CMOS放大器三極管晶體管DMOS 7734

探秘功率二極管反向恢復抑制的三大法寶

探秘功率二極管反向恢復抑制的三大法寶

為解決功率二極管反向恢復問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā),尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題,比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的曙光,它幾乎不存在...

2024-03-27 標簽:二極管功率二極管emi電壓波形碳化硅 4013

寄存器與數(shù)據(jù)緩沖器在芯片設(shè)計中的關(guān)鍵作用

寄存器與數(shù)據(jù)緩沖器在芯片設(shè)計中的關(guān)鍵作用

數(shù)據(jù)緩沖器也有助于將轉(zhuǎn)換器數(shù)字輸出上的負載降至最低,同時提供數(shù)字輸出與數(shù)據(jù)總線間的法拉第屏蔽。...

2024-03-27 標簽:pcb轉(zhuǎn)換器寄存器adc直流電流 2345

如何處理MOS管小電流發(fā)熱嚴重情況?

如何處理MOS管小電流發(fā)熱嚴重情況?

穿通擊穿的擊穿點軟,擊穿過程中,電流有逐步增大的特征,這是因為耗盡層擴展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應,使源襯底結(jié)正偏出現(xiàn)電流逐步增大的特征。...

2024-03-27 標簽:二極管電流MOSFET場效應管MOS管 2746

IGBT驅(qū)動電路的隔離方式與作用

IGBT驅(qū)動電路的隔離方式與作用

  驅(qū)動電路要求   o提供適當?shù)恼聪螂妷?,使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷○提供IGBT適當?shù)拈_關(guān)時間   oIGBT開通后,提供足夠的電壓和電流幅值○保證IGBT電路較好的效率   o較強的...

2024-03-27 標簽:IGBT驅(qū)動電路脈沖變壓器 1587

功率放大器的選型原則和方法

功率放大器的帶寬應與負載的帶寬匹配,否則可能會導致失真和噪聲等問題。因此,在選型時需要仔細考慮負載的帶寬要求,并選擇合適的功率放大器。...

2024-03-27 標簽:放大器功率放大器信號源拓撲結(jié)構(gòu) 1771

阻容降壓電路的原理和實際電路

阻容降壓電路的原理和實際電路

阻容降壓電路中,所限制的是這個電路工作的最大電流,電流大小由電容的值決定,而最終的輸出電壓由穩(wěn)壓二極管決定。...

2024-03-26 標簽:二極管電路圖電容濾波全波整流阻容降壓 4389

Buck電路EMI高風險區(qū)域揭秘

Buck電路EMI高風險區(qū)域揭秘

標準的矩形波,電壓波形跳變具有明顯的激增和驟降,存在高dv/dt,高頻分量飽和程度也是拉滿。結(jié)合上節(jié)提到的寄生電容和分布電感,給共模噪聲的產(chǎn)生做了巨大貢獻。SW節(jié)點電壓跳變所產(chǎn)生...

2024-03-26 標簽:emi電感寄生電容buck電路電壓波形 2506

深度解析MOS場效應管應用實例

MOSFET的輸入電阻很高,高達109Ω以上,從導電溝道來分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強型和耗盡型。...

2024-03-26 標簽:三極管電容器MOSFET場效應管MOS 1399

電阻元件典型應用電路細探討及分析

電阻元件典型應用電路細探討及分析

有些DCDC的輸出端接的負載的等效電阻很高,這樣對下電時,會有很長的放電時間,這有可能導致電源時序有問題,所以一般會在輸出端加個電阻。...

2024-03-26 標簽:串聯(lián)電阻電阻下拉電阻RC電路電阻元件 1647

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙,從而保持穩(wěn)定的半導體特性。...

2024-03-26 標簽:功率器件SiC碳化硅太陽能逆變器 1153

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol,可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度,鍵能越大,需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?, 鍵能大小為 447 kJ/mol。...

2024-03-26 標簽:SiC晶片光刻機碳化硅 2475

FinFET是什么?22nm以下制程為什么要引入FinFET呢?

FinFET是什么?22nm以下制程為什么要引入FinFET呢?

隨著芯片特征尺寸的不斷減小,傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應的限制,難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。...

2024-03-26 標簽:MOSFET摩爾定律晶體管漏電流FinFET 9820

如何確保ADC輸出接地的準確性

如何確保ADC輸出接地的準確性

ADC 輸出與緩沖寄存器輸入間的串聯(lián)電阻(圖 1 中標示為“R”)有助于將數(shù)字瞬態(tài)電流降至最低,這些電流可能影響轉(zhuǎn)換器性能。...

2024-03-26 標簽:pcb轉(zhuǎn)換器寄存器混合信號adc 885

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。...

2024-03-26 標簽:電動汽車MOSFET安森美SiC碳化硅 4176

英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究

英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的

本文提及的相關(guān)產(chǎn)品,均會在直播中出現(xiàn)掃描上方二維碼即可報名摘要:EconoDUAL3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應用于級聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器(S...

2024-03-26 標簽:英飛凌變頻器IGBT 2505

MOS管散熱片設(shè)計如何影響EMC表現(xiàn)

MOS管散熱片設(shè)計如何影響EMC表現(xiàn)

騷擾通過MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話,在騷擾電壓一定的情況下,阻抗很低,騷擾電流很大,導致CE測試失效。...

2024-03-25 標簽:MOS管散熱片emc集電極開關(guān)管 2443

運算放大器同向輸入端和反向輸入端怎么區(qū)分

運算放大器同向輸入端和反向輸入端怎么區(qū)分

運算放大器(Operational Amplifier,簡稱 Op-Amp)是一種重要的電子元件,在模擬電路中有著廣泛的應用。運算放大器具有以下幾個主要特點...

2024-03-25 標簽:放大器運算放大器比較器反饋網(wǎng)絡(luò) 20066

常見的電平電路轉(zhuǎn)換方法

常見的電平電路轉(zhuǎn)換方法

當 SDA2 輸出低電平時:MOS 管不導通,但是它有體二極管,MOS 管里的體二極管把 SDA1 拉低到低電平,此時 Vgs 約等于 3.3V,MOS 管導通,進一步拉低了 SDA1 的電壓。...

2024-03-25 標簽:二極管上拉電阻MOS電平轉(zhuǎn)換 9749

硅NPN型三極管的制造流程 三極管電流控制原理圖

硅NPN型三極管的制造流程 三極管電流控制原理圖

三極管不是兩個PN結(jié)的間單拼湊,兩個二極管是組成不了一個三極管的!...

2024-03-25 標簽:三極管電子元件集電極晶體三極管 5838

什么是退耦電路?電路中如何解決電路供電的不穩(wěn)定

什么是退耦電路?電路中如何解決電路供電的不穩(wěn)定

不正常的電路供電系統(tǒng)是怎樣的? 但是由于各種原因,電源工作時,電源電壓實際上是這個樣的,電源電壓是不穩(wěn)定的。...

2024-03-25 標簽:電容電源電壓去耦電容供電系統(tǒng)電路系統(tǒng) 3634

合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08

合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08

大功率MOS通常具有耐高電壓和扛大電流等特性,在大功率應用場景如電車、儲能電站、光伏等高功率應用上具有重要作用。...

2024-03-22 標簽:鋰離子電池MOS管導通電阻閾值電壓合科泰 3343

RECOM推出了一款RPZ系列超小型DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊

RECOM推出了一款RPZ系列超小型DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊

光模塊是一種收發(fā)器設(shè)備,可將高速電數(shù)據(jù)信號轉(zhuǎn)換為光信號,反之亦然。...

2024-03-22 標簽:收發(fā)器激光二極管激光通信dcdc轉(zhuǎn)換器光模塊 1832

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