模擬技術(shù)
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緩沖放大器的幾種類型介紹
電壓緩沖放大器的作用是將電壓從具有高輸出阻抗的電路傳輸?shù)骄哂械洼斎胱杩沟牧硪粋€電路。通過在這兩個電路之間插入緩沖器，可以防止第二個電路過度加載第一個電路，這可能會干擾其預(yù)...
2024-04-12 標(biāo)簽：放大器運(yùn)算放大器緩沖放大器電阻抗 3576
運(yùn)算放大器采樣保持電路的工作原理
采樣和保持電路是一種電子電路，它創(chuàng)建作為輸入的電壓樣本，然后將這些樣本保持一定的時間。采樣保持電路對輸入信號產(chǎn)生采樣的時間稱為采樣時間。...
2024-04-12 標(biāo)簽：電容器運(yùn)算放大器輸出波形模擬信號采樣保持電路 5129
RECOM憑借新推出的RxxC1TF 1 W DC/DC轉(zhuǎn)換器再次引領(lǐng)市場
這款完全穩(wěn)壓型轉(zhuǎn)換器采用超緊湊 12 焊盤 LGA 封裝，尺寸僅為 5 x 4 x 1.18 mm，提供 2.5 kVAC/1 min 的隔離電壓，以及 3.3 V 或 5 V 可選輸出電壓。...
2024-04-11 標(biāo)簽：隔離電壓物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)通信RECOMdcdc轉(zhuǎn)換器 1528
瑞能半導(dǎo)體推出一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管的半導(dǎo)體器件
碳化硅（SiC）肖特基二極管是一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管的半導(dǎo)體器件。...
2024-04-11 標(biāo)簽：電動汽車肖特基二極管光伏逆變器碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1987
三安光電碳化硅業(yè)務(wù)迎來高成長契機(jī)
碳化硅功率器件及模塊正加速從高端產(chǎn)品向下滲透。“現(xiàn)在售價為20萬元以上的800V電動汽車，碳化硅功率器件滲透率約為一半，可以全驅(qū)配置，或只配置主驅(qū)。...
2024-04-11 標(biāo)簽：電動汽車逆變器光伏發(fā)電系統(tǒng)碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1200
小米SU7碳化硅應(yīng)用情況如何？
小米SU7單電機(jī)版，400V電壓平臺的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據(jù)調(diào)研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。...
2024-04-11 標(biāo)簽：永磁電機(jī)碳化硅SiC MOSFET小米SU7 2380
全國最大8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地落地山東？
作為技術(shù)應(yīng)用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴(kuò)大，能顯著提升續(xù)航能力與充電效率，并降低整車成本。...
如何使用兩個單向電流檢測放大器？怎樣使用最高效？
越來越多的應(yīng)用需要快速準(zhǔn)確地進(jìn)行電流監(jiān)控，包括自動駕駛汽車、工廠自動化和機(jī)器人技術(shù)、通信、服務(wù)器電源管理、D 類音頻放大器和醫(yī)療系統(tǒng)。...
2024-04-11 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器電流檢測占空比脈寬調(diào)制電流檢測放大器負(fù)載電阻 2338
鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺
珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。...
2024-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵LED驅(qū)動電源 3151
光電三極管的特性及結(jié)構(gòu)示意圖
光電三極管是一種半導(dǎo)體器件，能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來改變在發(fā)射極和集電極之間流動的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應(yīng)光并改變晶體管端子之間的電流...
2024-04-10 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管晶體管半導(dǎo)體器件MOS管光電三極管半導(dǎo)體器件場效應(yīng)管晶體管 4685
關(guān)于光電三極管的簡單介紹
光電三極管有塑封、金屬封裝、陶瓷、樹脂等多種封裝結(jié)構(gòu)，引腳分為兩腳型和三腳型。一般兩個管腳的光電三極管，管腳分別為集電極和發(fā)射極，光窗口則為基極。...
RX23E-A 24bit ΔΣADC基礎(chǔ)篇(2)用于傳感器測量的Δ∑ADC的特性
世界上有各種各樣的傳感器，除了ΔΣADC之外，還需要各種電路來測量這些傳感器。當(dāng)處理微小信號時，您可能需要在執(zhí)行AD轉(zhuǎn)換之前放大信號。...
2024-04-10 標(biāo)簽：傳感器緩沖器adc數(shù)字濾波器偏置電壓可編程增益放大器adcADC傳感器偏置電壓可編程增益放大器數(shù)字濾波器緩沖器 3992
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的...
2024-04-10 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管SiC碳化硅Qorvo 2216
深入探索芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)
SDA和SCL都是雙向線路，都通過一個電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當(dāng)總線空閑時，這兩條線路都是高電平，連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電極開路才能執(zhí)行線與的功能。...
2024-04-10 標(biāo)簽：芯片振蕩器場效應(yīng)管電源電壓MOS 842
PIN二極管的結(jié)構(gòu)圖和工作原理分析
PIN二極管的結(jié)構(gòu)由P型半導(dǎo)體、Intrinsic半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體三層組成。Intrinsic半導(dǎo)體層是一層輕摻雜的半導(dǎo)體，因此可忽略自由載流子。...
2024-04-09 標(biāo)簽：功率二極管PIN二極管光電二極管PIN微波開關(guān) 11923
雪崩光電二極管擊穿原理圖
雪崩光電二極管是利用PN結(jié)在高反向電壓下產(chǎn)生的雪崩效應(yīng)來工作的一種二極管。...
2024-04-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸雪崩二極管光信號光電二極管 2786
知識科普：一文看懂有源晶振和無源晶振的區(qū)別
有源晶振因其優(yōu)異的特性，廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、航空航天、精密計測儀器等高科技行業(yè)。例如，手機(jī)導(dǎo)航模塊一般采用有源晶振，因?yàn)镚PS模塊每時每刻與衛(wèi)星交互產(chǎn)能大量熱量，而溫補(bǔ)晶振可...
2024-04-09 標(biāo)簽：有源晶振無源晶振晶振晶體振蕩器揚(yáng)興科技 3807
碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。...
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別？
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜，其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜，含有少數(shù)空穴，上邊較寬區(qū)域普通濃度N型摻雜，含有正常數(shù)量的電...
2024-04-09 標(biāo)簽：三極管MOS管發(fā)射機(jī)IGBT基極電流 35772
MOS管功能特性與實(shí)際應(yīng)用場景解析
那這兩張圖是完全等價的，我們可以看到MOS管是有三個端口，也就是有三個引腳，分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要，只要記住他們分別簡稱G、D、S就可以。...
如何看懂MOSFET數(shù)據(jù)表常見的數(shù)據(jù)
Qrr 甚至可以對測試執(zhí)行性的二極管正向電流 (If) 具有更強(qiáng)的依賴關(guān)系。而進(jìn)一步使事情復(fù)雜化的原因在于，某些廠商未將QOSS 作為一個單獨(dú)參數(shù)包含在內(nèi)，而是只將這個參數(shù)吸收到Qrr 的技術(shù)規(guī)...
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