模擬技術(shù)
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如何看懂MOS管的每一個參數(shù)
那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過熱傳遞的方式對元件本身進行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過結(jié)溫后會導(dǎo)致元件損壞。...
2024-03-18 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻晶體管寄生電容半導(dǎo)體器件 6726
深入探索研究SiC功率器件高效互連技術(shù)
本文采用的DTS（DieTopSystem）技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線鍵合工藝，此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進行銅線鍵合時造成的芯片損傷。...
二極管并聯(lián)使用電路的使用
在并聯(lián)二極管電路中，每個二極管的正負(fù)極都需要正確連接，確保電流能夠順暢地通過。同時，由于不同二極管的特性可能略有差異，因此在選擇并聯(lián)的二極管時，應(yīng)盡量選擇性能相近、參數(shù)一...
2024-03-15 標(biāo)簽：二極管電流電阻器并聯(lián)電路 10262
汽車?yán)顺毕砟M行業(yè)，安全領(lǐng)域挑戰(zhàn)猶存，納芯微2023年再迎新進展！
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）近年汽車是所有模擬芯片領(lǐng)域中成長最快的細(xì)分市場，知名市場調(diào)研機構(gòu)IDC指出，2021年至2025年汽車模擬芯片市場以兩位數(shù)13.2%的年復(fù)合增長率持續(xù)增長。 對于這...
三極管可以作為開關(guān)使用嗎
三極管作為開關(guān)使用時，其基極-發(fā)射極間獲得正向偏置而進入飽和區(qū)，此時集電極電流達(dá)到飽和值，集電極與發(fā)射極間相當(dāng)于短路，電流可以經(jīng)過負(fù)載流通。相...
2024-03-15 標(biāo)簽：三極管電阻開關(guān)管半導(dǎo)體器件偏置電流 13515
納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動電子、電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動力...
2024-03-15 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵碳化硅功率芯片納微半導(dǎo)體 1280
介紹一款高速、低功耗、單通道的16位模數(shù)轉(zhuǎn)換器RS1430B
RS1430B是一款高速、低功耗、單通道的16位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，采用SAR架構(gòu)設(shè)計，最高采樣速率為400KSPS。...
2024-03-15 標(biāo)簽：信噪比模數(shù)轉(zhuǎn)換器工業(yè)控制基準(zhǔn)電壓VDD 2094
鋁電解電容器主要由些什么構(gòu)成 鋁電解電容器的生產(chǎn)工序
鋁電解電容器的極板通常是由鋁箔構(gòu)成的。鋁箔的表面經(jīng)過特殊處理以增加其表面積，從而提高電容器的電容量。正極板上的鋁箔表面通常被氧化以形成絕緣層，這有助于電容器的穩(wěn)定性和性能...
如何用電壓跟隨器使運算放大器保持穩(wěn)定？
在實際應(yīng)用中，構(gòu)成電壓跟隨器并非象Fig18_1.那樣簡單地將輸入端和輸出端直接連接在一起。至少輸出端是與某個負(fù)載連接在一起的。因此，必須考慮到該負(fù)載對放大器的影響。...
2024-03-14 標(biāo)簽：電容運算放大器電源電壓電壓跟隨器反饋環(huán)路 3920
IGBT一些主要的分類方法
IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件，即可以觸發(fā)導(dǎo)通，也可以觸發(fā)關(guān)斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關(guān)鍵作用。...
2024-03-14 標(biāo)簽：MOSFET散熱器IGBT晶體管場效應(yīng)晶體管 4899
立錡科技推出一款低壓輸入、CSP小封裝降壓轉(zhuǎn)換器系列
立錡推出的低壓輸入、CSP 小封裝降壓轉(zhuǎn)換器系列，不僅滿足各式小型穿戴式和 IoT 物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求，更在性能和尺寸上取得了絕佳平衡。...
2024-03-14 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)降壓轉(zhuǎn)換器靜態(tài)電流立錡科技 1410
中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國際半導(dǎo)體IDM廠商，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌，也主要依賴于上述供應(yīng)...
Infineon碳化硅布局加速，晶圓廠投資引發(fā)市場疑慮
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動也常常被低調(diào)處理。...
電路仿真揭秘！運算放大器建模一次搞定
SPICE在晶體管級別的仿真方面表現(xiàn)出色；然而，IC設(shè)計工程師要盡一切可能，讓人難以分辨運算放大器中是否存在晶體管。他們希望您能夠使用運算放大器手冊為設(shè)計提供參考，并且不會因為晶...
探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景
碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場強度。...
安世半導(dǎo)體推出一款可用于推挽緩沖和開漏應(yīng)用的電壓電平轉(zhuǎn)換器
過去十年來，半導(dǎo)體CMOS技術(shù)經(jīng)過不斷發(fā)展，現(xiàn)在可以生產(chǎn)符合更低電壓和更低功耗I/O標(biāo)準(zhǔn)的高性能系統(tǒng)，尤其是在便攜式應(yīng)用領(lǐng)域。...
2024-03-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源電壓電壓轉(zhuǎn)換器CMOS技術(shù)安世半導(dǎo)體 2078
瑞能半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢介紹
從汽車到可再生能源，碳化硅（SiC）的一系列場景應(yīng)用正在改變電力電子領(lǐng)域。...
2024-03-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1910
MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有...
2024-03-13 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻IGBT晶體管 2912
MOSFET在便攜儲能上的應(yīng)用及優(yōu)勢
針對便攜儲能市場應(yīng)用，龍騰半導(dǎo)體的高壓SJMOS，其產(chǎn)品優(yōu)勢： 針對QR反激拓?fù)?，?yōu)化開關(guān)速度，更容易通過EMI測試； 針對諧振拓?fù)?，?yōu)化體二極管，增強di/dt能力，降低Qrr和驅(qū)動干擾。...
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