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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
Σ-Δ模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)技術(shù)一覽

Σ-Δ模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)技術(shù)一覽

摘要 Σ-Δ模數(shù)轉(zhuǎn)換器是從脈寬調(diào)制器類積分型ADC演變而來(lái)的,其模擬部分相對(duì)容易實(shí)現(xiàn)、數(shù)字部分則比較靈活。隨著技術(shù)的發(fā)展,Σ-ΔADC基本原理已結(jié)合不同量化器形成了有意義的變種。本應(yīng)用...

2024-04-09 標(biāo)簽:模數(shù)轉(zhuǎn)換器 2184

深入解析MOS管的判別與導(dǎo)通條件

深入解析MOS管的判別與導(dǎo)通條件

使用二級(jí)管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導(dǎo)通,這樣通過(guò)電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。...

2024-04-08 標(biāo)簽:二極管MOS管適配器電壓寄生二極管 3001

RX23E-A中的24位ΔΣADC轉(zhuǎn)換器和模擬前端介紹

RX23E-A中的24位ΔΣADC轉(zhuǎn)換器和模擬前端介紹

RX23E-A MCU是32位RX MCU,具有內(nèi)置FPU和高達(dá)256KB閃存,配有模擬前端(AFE),有助于測(cè)量壓力、流量、溫度和重量,精度小于0.1%。...

2024-04-08 標(biāo)簽:FFT模數(shù)轉(zhuǎn)換器溫度控制器模擬前端ADC轉(zhuǎn)換器 3745

基于FPGA的TLC5620數(shù)模轉(zhuǎn)換(DA)設(shè)計(jì)

基于FPGA的TLC5620數(shù)模轉(zhuǎn)換(DA)設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)采用串行數(shù)/模轉(zhuǎn)換芯片TLC5620,TLC5620是一個(gè)擁有四路輸出的數(shù)/模轉(zhuǎn)換器,時(shí)鐘頻率最大可達(dá)到1MHz。...

2024-04-08 標(biāo)簽:FPGA運(yùn)算放大器數(shù)模轉(zhuǎn)換器數(shù)模轉(zhuǎn)換基準(zhǔn)電源 2691

探究50V μF級(jí)MLCC電容在24V/28V工況下短路的原因

探究50V μF級(jí)MLCC電容在24V/28V工況下短路的原因

大容值的MLCC電容,耐電壓擊穿電壓波動(dòng)能力其實(shí)是比較弱的,再加之電容生產(chǎn)過(guò)程的陶瓷介質(zhì)片的厚度一致性難控制問題,電壓波動(dòng)、上電浪涌電壓等場(chǎng)合下,MLCC電容被擊穿也就在所難免了。...

2024-04-08 標(biāo)簽:電容MLCC鉭電解電容 1765

一文詳解IGBT 模塊的熱設(shè)計(jì)和熱管理

一文詳解IGBT 模塊的熱設(shè)計(jì)和熱管理

其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點(diǎn)較小,芯片工作中產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)熱傳導(dǎo)的方式由芯片向基板單向傳遞,在此過(guò)程中會(huì)遇到一定的阻力,稱為導(dǎo)熱熱阻。...

2024-04-07 標(biāo)簽:芯片IGBT熱管理半導(dǎo)體器件熱設(shè)計(jì) 9896

1500V光伏逆變器中的ANPC技術(shù)應(yīng)用

1500V光伏逆變器中的ANPC技術(shù)應(yīng)用

在標(biāo)準(zhǔn)NPC的基礎(chǔ)上,把鉗位二極管換成主開關(guān)管,就形成了ANPC,用于解決NPC損耗分布不均帶來(lái)的熱不均 根據(jù)不同的發(fā)波方式,開關(guān)管的電流會(huì)有所不同,以下分別討論...

2024-04-07 標(biāo)簽:逆變器開關(guān)管光伏逆變器ANPC鉗位二極管 1723

基于TL431芯片搭建的恒流源電路

基于TL431芯片搭建的恒流源電路

而根據(jù)上式計(jì)算結(jié)果輸出電流應(yīng)該是I = 2.495V / 2Ω = 1.2475A。但實(shí)際計(jì)算結(jié)果卻小于該值,這是為什么呢?分析一下可知,流過(guò)電阻Rref的電流除了三極管的集電極電流Ic還有基極電流Ib。...

2024-04-07 標(biāo)簽:三極管運(yùn)放電路TL431恒流源TL431三極管恒流源恒流源電路運(yùn)放電路 17307

全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段,特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下,其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告,汽車行業(yè)對(duì)SiC功率器件的需求主要來(lái)自于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的升...

2024-04-07 標(biāo)簽:新能源汽車晶圓功率器件SiC碳化硅 1315

二極管15個(gè)關(guān)鍵核心要素

二極管15個(gè)關(guān)鍵核心要素

在二極管外加正向電壓時(shí),在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用,正向電流幾乎為零。當(dāng)正向電壓大到足以克服PN結(jié)電場(chǎng)時(shí),二極管正向?qū)?,電流隨電壓...

2024-04-07 標(biāo)簽:二極管電子元器件電流整流電流負(fù)載電阻 1134

如何增強(qiáng)SiC功率器件的性能與可靠性?

電動(dòng)汽車 (EV) 市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求,尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。...

2024-04-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率器件SiC熱管理 1599

如何快速設(shè)計(jì)過(guò)壓保護(hù)電路

如何快速設(shè)計(jì)過(guò)壓保護(hù)電路

TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬態(tài)電壓抑制器,也被稱為雪崩擊穿二極管,是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。...

2024-04-06 標(biāo)簽:二極管TVS過(guò)壓保護(hù)RS485瞬態(tài)電壓抑制器 1662

放大器中關(guān)于ESD的實(shí)現(xiàn)方案

放大器中關(guān)于ESD的實(shí)現(xiàn)方案

前端放大器的內(nèi)部ESD二極管有時(shí)會(huì)用來(lái)箝位過(guò)壓狀況,但為了確保這種箝位能夠提供充分可靠的保護(hù),需要考慮許多因素。...

2024-04-03 標(biāo)簽:放大器串聯(lián)電阻電阻ESD二極管 855

什么是負(fù)反饋?運(yùn)算放大器負(fù)反饋電路分析

什么是負(fù)反饋?運(yùn)算放大器負(fù)反饋電路分析

正反饋提高了電路的放大能力(可以自己根據(jù)運(yùn)放特性想象一下), 在正反饋中,輸入和輸出信號(hào)的相位相似,因此兩個(gè)信號(hào)相加,適用于振蕩電路中。...

2024-04-06 標(biāo)簽:反饋電路運(yùn)算放大器振蕩電路負(fù)反饋電路 5958

如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素

如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素

MOS作為一種非常常見的分立器件,它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。...

2024-04-02 標(biāo)簽:MOS管導(dǎo)通電阻車載逆變器電壓控制漏電流 3453

驅(qū)動(dòng)電路輸出模式的推挽與開漏輸出

驅(qū)動(dòng)電路輸出模式的推挽與開漏輸出

推挽輸出(Push-Pull Output),故名思意能輸出兩種電平,一種是推(拉電流,輸出高電平),一種是挽(灌電流,輸出低電平)。推挽輸出可以使用一對(duì)開關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn),在芯片中一般使用晶體管 ...

2024-04-06 標(biāo)簽:模擬電路上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 5572

碳化硅功率器件:能效革新的催化劑!

隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸,特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中。...

2024-04-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器功率器件SiC碳化硅 1148

IGBT模塊封裝過(guò)程中的技術(shù)詳解

IGBT模塊封裝過(guò)程中的技術(shù)詳解

IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運(yùn)行過(guò)程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過(guò)程中對(duì)基板上形成開裂,造成基板的裂紋;第三是對(duì)底板進(jìn)行加工設(shè)計(jì),使底板與...

2024-04-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管熱管理續(xù)流二極管 2396

運(yùn)算放大器的4個(gè)經(jīng)典電路運(yùn)算分析

運(yùn)算放大器的4個(gè)經(jīng)典電路運(yùn)算分析

如何理解“虛斷”呢?由于運(yùn)放的差模輸入電阻很大,一般通用型運(yùn)算放大器的輸入電阻都在 1MΩ以上。因此流入運(yùn)放輸入端的電流往往不足 1uA,遠(yuǎn)小于輸入端外電路的電流。...

2024-04-02 標(biāo)簽:pcb電流運(yùn)算放大器輸出電壓輸入電阻 2430

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

SiC市場(chǎng)格局仍由海外巨頭主導(dǎo),市占率排名依次是:意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。...

2024-04-01 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 5398

如何能找到高性價(jià)比的MOS管讓產(chǎn)品力提升呢?

如何能找到高性價(jià)比的MOS管讓產(chǎn)品力提升呢?

三輪車控制器的競(jìng)爭(zhēng)品牌在近兩年越來(lái)越多,不僅有衡翔、宗彭、美驅(qū)科技等知名的,也有錫安馳、正華仲、DIY、星浩、涌勝、天王鑫、圣創(chuàng)、安百潔、安路班、利瑞、大騰、鴻潤(rùn)達(dá)等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手...

2024-04-01 標(biāo)簽:控制器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管電流電壓脈沖電流 1575

安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布 解決補(bǔ)能焦慮

安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布 解決補(bǔ)能焦慮

實(shí)際上,近期有越來(lái)越多的國(guó)內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn),多款20-25萬(wàn)元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車型上市。...

2024-04-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美逆變器SiC雜散電感 1646

聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉(cāng)工廠迎來(lái)首次批產(chǎn)

2024年3月,聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉(cāng)工廠迎來(lái)首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標(biāo)志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了Si和SiC技術(shù)的全面覆蓋,也標(biāo)志著聯(lián)合電子同時(shí)擁有了400V Si,400V SiC和800V...

2024-04-01 標(biāo)簽:逆變器BoostSiC寄生電感碳化硅 2534

無(wú)源濾波器設(shè)計(jì)工作原理及步驟

無(wú)源濾波器設(shè)計(jì)工作原理及步驟

使用濾波器,我們可以獲取組合信號(hào)并再次濾除分量信號(hào)。使用濾波器的原因有很多,包括:濾除噪音,共享媒介...

2024-04-05 標(biāo)簽:電容濾波器電感信號(hào)處理無(wú)源濾波器 1348

二極管反向恢復(fù)電流測(cè)試方法解析

二極管反向恢復(fù)電流測(cè)試方法解析

調(diào)節(jié)電壓旋鈕選擇器件反向耐壓,將電壓設(shè)置到300V。在測(cè)試時(shí),紅色夾子和黑色夾子同輸入交流電市電無(wú)隔離,請(qǐng)勿冒險(xiǎn)將示波器探頭和夾子連接。...

2024-03-29 標(biāo)簽:二極管電流示波器交流電 1357

東芝發(fā)布全新SmartMCD?系列柵極驅(qū)動(dòng)IC

東芝發(fā)布全新SmartMCD?系列柵極驅(qū)動(dòng)IC

電動(dòng)汽車(xEV)市場(chǎng)的擴(kuò)大帶來(lái)了電氣化、零部件集成化、電子控制單元(ECU)小型化和低噪音電機(jī)等市場(chǎng)需求。...

2024-03-29 標(biāo)簽:微控制器東芝嵌入式電機(jī)驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)IC 1066

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應(yīng)用探索

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應(yīng)用探索

傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底,在剝離的過(guò)程中,如藍(lán)寶石就特別困難,會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本,且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。...

2024-03-28 標(biāo)簽:功率器件石墨烯GaN熱管理 2053

電路中令人頭大的各種電容元器件

電路中令人頭大的各種電容元器件

電容是由兩塊平行的導(dǎo)電極板所構(gòu)成,充電時(shí)以電場(chǎng)形式進(jìn)行能量?jī)?chǔ)存。并可以在放電電路中把儲(chǔ)存的能量釋放。...

2024-03-28 標(biāo)簽:旁路電容元器件電容電源電路耦合電容 1077

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。...

2024-03-28 標(biāo)簽:電容器MOSFET安森美碳化硅閾值電壓 2838

如何生成脈沖寬度調(diào)制PWM信號(hào)?

如何生成脈沖寬度調(diào)制PWM信號(hào)?

PWM信號(hào)具有許多優(yōu)點(diǎn),例如精準(zhǔn)性高,可以快速實(shí)現(xiàn)控制的響應(yīng)和控制精度,并快速響應(yīng)任何運(yùn)動(dòng)誤差。...

2024-03-27 標(biāo)簽:PWM比較器模擬信號(hào)脈沖寬度調(diào)制PWM發(fā)生器 2898

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