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模擬技術

電子發(fā)燒友網為用戶提供了專業(yè)的模擬技術文章和模擬電子技術應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術與電子技術欄目。
瑞能半導體SiC MOSFET系列產品所具有的優(yōu)勢介紹

瑞能半導體SiC MOSFET系列產品所具有的優(yōu)勢介紹

從汽車到可再生能源,碳化硅(SiC)的一系列場景應用正在改變電力電子領域。...

2024-03-13 標簽:轉換器MOSFETSiC碳化硅瑞能半導體 1910

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFET存在導通電阻高的缺點,但IGBT克服了這一缺點,在高壓時IGBT仍具有...

2024-03-13 標簽:開關電源MOS管導通電阻IGBT晶體管 2912

MOSFET在便攜儲能上的應用及優(yōu)勢

MOSFET在便攜儲能上的應用及優(yōu)勢

針對便攜儲能市場應用,龍騰半導體的高壓SJMOS,其產品優(yōu)勢: 針對QR反激拓撲,優(yōu)化開關速度,更容易通過EMI測試; 針對諧振拓撲,優(yōu)化體二極管,增強di/dt能力,降低Qrr和驅動干擾。...

2024-03-13 標簽:MOSFETDC-DC移動電源便攜儲能 1641

24位高性能模數轉換器ME9620應用經驗與總結

ME9620內部集成有多個獨立的高階斬波穩(wěn)定調制器和FIR數字濾波器,可實現4/8通道同步采樣,支持高速、高精度、低功耗、低速4種工作模式。...

2024-03-13 標簽:adc數字濾波器模擬電源模數轉換器陶瓷電容 1765

除碳可提高GaN電子遷移率?

除碳可提高GaN電子遷移率?

據日本研究人員報告,通過減少碳污染來避免碳污染源導致的“遷移率崩潰”,氮化鎵(GaN)的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。...

2024-03-13 標簽:電動汽車逆變器氮化鎵GaN載流子 2303

同軸分流器在SiC和GaN器件中的測量應用

同軸分流器在SiC和GaN器件中的測量應用

隨著現代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應用越來越廣泛,工程師經常要測量頻率高達數百 kHz,電流高達數十安培的功率電路。...

2024-03-13 標簽:功率器件SiCGaN電流探頭GaNSiC功率器件電流探頭 2170

如何實現高功率密度三相全橋SiC功率模塊設計與開發(fā)呢?

如何實現高功率密度三相全橋SiC功率模塊設計與開發(fā)呢?

為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法...

2024-03-13 標簽:電動汽車散熱器SiC功率模塊寄生電感 4462

量化ADC動態(tài)性能的六個技術指標介紹

各點之間的間隔為fs/M,整個頻率覆蓋范圍為dc至fs/2,其中fs為采樣率。利用Analog Devices 公司的ADIsimADC程序對理想的12位ADC進行FFT分析后。...

2024-03-13 標簽:adc信噪比頻譜分析儀頻譜SNR 8165

芯動半導體與意法半導體在深圳簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協議

長城汽車零部件董事長鄭立朋、芯動半導體總經理姜佳佳,意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery,執(zhí)行副總裁、中國區(qū)總裁曹志平,中國區(qū)市場及應用副總裁Francesco MUGGERI,銷售副總裁趙明...

2024-03-13 標簽:電動汽車半導體意法半導體碳化硅半導體意法半導體電動汽車直流變換器碳化硅 1481

三極管核心結構及工作原理詳解

三極管核心結構及工作原理詳解

晶體三極管出現之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關功能控制電流。...

2024-03-12 標簽:三極管晶體三極管限流電阻 3861

艾為推出AWS790X2系列低噪聲CMOS運算放大器

艾為推出AWS790X2系列低噪聲CMOS運算放大器

該運算放大器的單位增益穩(wěn)定,并具有超低的輸入偏置電流,非常適合傳感器接口、有源濾波器、工業(yè)和便攜式應用。...

2024-03-12 標簽:CMOS運算放大器有源濾波器偏置電流艾為電子 769

接地電阻的最高限值為什么是4Ω

接地電阻的最高限值為什么是4Ω

地電阻是電流由接地裝置流入大地再經大地流向另一接地體或向遠處擴散所遇到的電阻,作用是向大地放電,以保證安全。...

2024-03-12 標簽:變壓器電流接地電阻變壓器變壓器接地電阻接地系統電流避雷針 3203

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術的發(fā)展

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術的發(fā)展

碳化硅(SiC)技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術,也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標,擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電...

2024-03-12 標簽:電動汽車英飛凌MOSFET光伏逆變器碳化硅 2384

淺析貼片晶振和直插晶振區(qū)別以及如何選擇?

淺析貼片晶振和直插晶振區(qū)別以及如何選擇?

現在很多電子產品的時鐘模塊都是使用的貼片晶振,而貼片晶振也是眾多種類晶振的一種。因為大多數電子產品的封裝都是分為貼片和直插兩類,這就讓很多客戶都在關注直插晶振和貼片晶振的...

2024-03-11 標簽:有源晶振晶振晶體振蕩器貼片晶振晶體振蕩器晶振有源晶振貼片晶振 2249

為什么不建議肖特基并聯使用

為什么不建議肖特基并聯使用

正向穩(wěn)態(tài)導通壓降低肖特基二極管正向壓降非常小,一般為0.2~0.45V,比快恢復二極管正向壓降低很多,所以自身功耗較小。...

2024-03-11 標簽:二極管整流二極管肖特基二極管續(xù)流二極管二極管快恢復二極管快恢復二極管整流二極管續(xù)流二極管肖特基二極管 4867

如何保護電路免受過壓?

如何保護電路免受過壓?

常見的過壓保護元器件或設備有防雷器、壓敏電阻、避雷器等。這些元器件或設備能夠迅速響應電壓變化,并在電壓超過預設值時啟動保護機制,從而確保設備的安全運行。...

2024-03-11 標簽:微控制器穩(wěn)壓二極管過壓保護齊納二極管過壓保護電路 3181

T型三電平雙脈沖測試及拓撲結構

T型三電平雙脈沖測試及拓撲結構

雙脈沖測試系統:該系統用于產生所需的雙脈沖信號,以模擬實際工作中的開關動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測試需求。...

2024-03-11 標簽:測試系統IGBT功率器件脈沖測試IGBT三電平功率器件測試系統脈沖測試 5767

雙脈沖測試(DPT)的方法解析

雙脈沖測試(DPT)的方法解析

雙脈沖測試是電力變壓器和互感器的一種常見測試方法,其主要目的是評估設備的性能和準確性,確保其符合設計要求和運行標準。...

2024-03-11 標簽:IGBT功率器件互感器DPTDPTIGBT互感器功率器件電力變壓器 6475

電流檢測電阻器很容易嗎?

電流檢測電阻器很容易嗎?

總體電流檢測精度誤差的預算需要考慮三個因素:初始電阻容差、環(huán)境溫度變化引起的TCR誤差以及自發(fā)熱引起的TCR誤差。幸運的是,供應商會提供具有極低TCR的專用精密金屬箔電阻器。...

2024-03-11 標簽:電流電阻器TCR電流電阻器 897

如何讓運算放大器輸出振蕩

如何讓運算放大器輸出振蕩

這種現象是由于環(huán)路不穩(wěn)定,相位裕度不足導致的;我們可以按照TI文檔中的方法進行相位裕度的仿真。TI的文檔如下,我們先仿真一下不并聯電容情況下的相位裕度。...

2024-03-11 標簽:放大器運算放大器并聯電容負載電容并聯電容放大器方波負載電容運算放大器 3142

晶體管極性識別:實用技巧與方法

晶體管極性識別:實用技巧與方法

晶體管的極性區(qū)別可通過圖形、黑點等標記來進行。該種識別技巧要牢記掌握,常見晶極管電極引腳有橢圓形和直線形排列。...

2024-03-11 標簽:電極晶體管 2372

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證

3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified)。...

2024-03-11 標簽:MOSFET導通電阻SiC驅動電壓瞻芯電子 1768

什么是MOS管的SOA區(qū)?SOA曲線的幾條限制線的意思?

什么是MOS管的SOA區(qū)?SOA曲線的幾條限制線的意思?

SOA區(qū)指的是MOSFET的安全工作區(qū),其英文單詞是Safe Operating Area。也有一些廠家叫ASO區(qū),其英文單詞是Area of Safe Opration,總之,兩者是一個意思,下面我們統一稱為SOA區(qū)...

2024-03-11 標簽:開關電源MOS管電機驅動SOA電流限制 9162

深度解析半導體工藝與分類

深度解析半導體工藝與分類

1950年發(fā)明,早期模擬電路廣泛使用BIPOLAR工藝,BIPOALR工藝可以做到非常低的漏電,非常低的噪聲,但是BIPOLAR最大問題是實現數字電路比較困難,或者占用面積較大。...

2024-03-08 標簽:集成電路CMOS三極管半導體材料半導體制造 9881

車企降價20%要求引發(fā)行業(yè)震動:SiC產業(yè)將面臨怎樣的影響?

電動汽車最大的成本為動力電池(占比約38%),電控占比約為6%。據英飛凌估算,電控成本中,功率半導體(IGBT/SiC等)約占40%,其次是DC-Link電容,成本占比約為16%。...

2024-03-08 標簽:電動汽車新能源汽車車載電源薄膜電容新能源汽車電動汽車薄膜電容薄膜電容器車載電源 751

探討電感、磁珠與0歐姆電阻三大元件

電感是一種能夠存儲電能的元件,廣泛應用于電源濾波、LC振蕩電路以及中低頻濾波電路中。其感抗與頻率成正比,這意味著在高頻下,電感對電流的阻礙作用會增強。...

2024-03-08 標簽:存儲器電感磁珠歐姆電阻 1983

合科泰推出一款采用SOT-23封裝的數字晶體管MMUN2214

數字晶體管是帶電阻的晶體管,有的在基極上串聯一只電阻R1,有的在基極與發(fā)射極之間還并聯一只電阻R2,電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配。...

2024-03-08 標簽:電池管理控制器SMT技術合科泰SMT技術合科泰控制器控制器數字晶體管電池管理 1830

半導體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

半導體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

氮化鎵(GaN)基材料被稱為第三代半導體,其光譜范圍覆蓋了近紅外、可見光和紫外全波段,在光電子學領域有重要的應用價值。...

2024-03-08 標簽:半導體激光器氮化鎵GaNGaN半導體氮化鎵激光器紫外通信 2066

碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢及技術挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢及技術挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導率是硅的3倍以上,有利于高功率應用中...

2024-03-08 標簽:功率器件SiC碳化硅 2948

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響

IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。...

2024-03-08 標簽:IGBT功率模塊碳化硅雜散電感SiC模塊 3655

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