模擬技術(shù)
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詳解開關(guān)電源的4種過壓保護電路
當開關(guān)模式電源需要過壓保護時，由于功率耗散要求以及組件的可能尺寸和成本，SMPS 鉗位和短路器技術(shù)的使用不太廣泛。 幸運的是，大多數(shù)開關(guān)模式穩(wěn)壓器在低電壓條件下失效。...
2024-01-26 標簽：電容器開關(guān)電源過壓保護晶體管齊納二極管 6953
新手指南！輕松掌握數(shù)字電路
為什么要學(xué)數(shù)電？毫不夸張地說，數(shù)電帶來了信息化時代。大家身邊所有的電器，里面都會有一塊或多塊電路板，上面基本都會有若干個芯片，芯片內(nèi)部里面跑的全是數(shù)字信號0和1。...
2024-01-26 標簽：MOSFET場效應(yīng)管電路板數(shù)字信號數(shù)字電路 4363
硬件工程師如何應(yīng)對電路反饋實用指南與技巧
在做電路反饋分析的時候，經(jīng)常會看到術(shù)語電壓串聯(lián)負反饋，電流串聯(lián)負反饋之類的定義。那么這些定義對電路分析的作用在哪里呢？...
2024-01-26 標簽：放大器三極管輸入電壓反饋網(wǎng)絡(luò) 892
MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用
服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中，主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲器等設(shè)備。它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源。...
2024-01-25 標簽：變壓器MOSFET開關(guān)電源PFCLLC轉(zhuǎn)換器MOSFETPFC變壓器變壓器開關(guān)電源 2588
SiC規(guī)模將超560億？
結(jié)合全球功率半導(dǎo)體市場數(shù)據(jù)推算，2022年SiC功率半導(dǎo)體的滲透率為4.85%，2023年滲透率為6.53%，2028年預(yù)計將達到18.58%左右。...
2024-01-25 標簽：SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1094
全球IGBT/碳化硅模塊生產(chǎn)廠商概覽
在全球范圍內(nèi)，有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。...
科友提前布局：SiC行業(yè)下半場是8吋時代
2023年業(yè)內(nèi)有多家企業(yè)陸續(xù)推出8英寸碳化硅襯底，成為市場熱點，呈現(xiàn)出加速替代6英寸襯底的勢頭。我們認為，碳化硅行業(yè)的下半場就是8英寸的時代，誰的8英寸襯底先出貨，誰就能更好地把握...
如何用萬用表測量三極管
在使用數(shù)字萬用表測量時，使用的是“二極管檔”進行測量，紅表筆是相當于是電池的正極，黑表筆相當于是電池的負極。...
SiC功率元器件中浪涌抑制電路設(shè)計
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個數(shù)量級以上，因此不會立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能力，只要不超過MOSFET的Tj(max)，基本上沒有問題。...
英飛凌與Wolfspeed延長SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，我們正在落實一項多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在全球范圍內(nèi)保障對于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源...
垂直GaN技術(shù)新突破 新變局
目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。...
2024-01-25 標簽：led照明半導(dǎo)體氮化鎵擊穿電壓GaN技術(shù)led照明擊穿電壓半導(dǎo)體氮化鎵 2393
模擬濾波器設(shè)計研究
模擬濾波器是信號監(jiān)測、控制等領(lǐng)域不可或缺的前端去噪方法，一般用硬件電路實現(xiàn)，其中巴特沃茲型濾波器應(yīng)用較為廣泛。現(xiàn)總結(jié)了設(shè)計和采用電路實現(xiàn)高階巴特沃茲型濾波器的方法，首先根...
2024-01-25 標簽：濾波器MOS管數(shù)字濾波器晶體管MOS管數(shù)字濾波器晶體管模擬濾波器濾波器 788
晶振的三個電容的含義
負載電容（Load capacitance）是以晶振為核心的整個振蕩回路的全部有效電容的總和。這個CL值的大小決定著振蕩器的工作頻率，通過調(diào)整負載電容，就可以將振蕩器的工作頻率調(diào)到標稱值。...
國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標準比對分析
碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點，是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。...
2024-01-24 標簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3872
?英飛凌與Wolfspeed擴大并延伸多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議
2024 年 1 月 23 日，德國慕尼黑、美國北卡羅來納州達勒姆、中國上海市訊 – 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX /OTCQX代碼：IFNNY）與全球碳化硅技術(shù)引...
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