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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 模擬技術(shù) > 應用案例

隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器—穩(wěn)壓與非穩(wěn)壓的具體應用

低功率隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器尺寸小巧,適用于通信設(shè)備、儀器儀表和工業(yè)電子領(lǐng)域,可以為對空間要求嚴苛的應用場景提供理想的解決方案。

2023-09-21 標簽:太陽能電池MOSFET三相逆變器電池供電dcdc轉(zhuǎn)換器 2452

碳化硅設(shè)計創(chuàng)新以實現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型

推動電動汽車市場發(fā)展的綠色意識和法規(guī)推動了電池技術(shù)和基于碳化硅的設(shè)計的創(chuàng)新,以實現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。

2023-09-07 標簽:電動汽車太陽能電池電池充電器肖特基二極管碳化硅 693

一種適合液晶屏背光控制需求的MOS器件

液晶屏作為一種高清、高亮度的展示屏幕,已經(jīng)廣泛應用于現(xiàn)代生活的各個領(lǐng)域,發(fā)揮著非常重要的作用。

2023-09-05 標簽:顯示器MOS管液晶屏 1170

浩寶推出IGBT功率半導體無空洞、高可靠真空焊接設(shè)備

隨著全球新能源的發(fā)展,功率半導體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求

2023-09-01 標簽:MOSFETIGBTLED封裝功率半導體MEMS技術(shù) 9087

FHL170N1F4A場效應管常用于同步整流電路!

面對新時代的快速發(fā)展,對快充技術(shù)的迅速提升,開關(guān)電源使用范圍更加廣泛,降低低壓大電流的功耗已經(jīng)是電力工程師的難題。

2023-08-31 標簽:開關(guān)電源場效應管MOS管寄生電感同步整流電路 1228

山大與南砂晶圓團隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面的突破

碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率、強化學穩(wěn)定性等優(yōu)良特性

2023-08-31 標簽:電動汽車SiC碳化硅 1770

三極管放大電路的原理解析

前面我們做了“超簡單的三極管功放電路”、“更好一點的簡單功放電路”、“簡單的三極管放大助聽器電路”這幾個電路。大家可能發(fā)現(xiàn)了,這幾個電路用到的都是三極管的放大功能。

2023-08-30 標簽:三極管電路圖模擬電路放大電路電路設(shè)計功放電路數(shù)字電路 15267

上海雷卯推出大功率BPSS藍寶寶系列TVS二極管

BPSS藍寶寶浪涌抑制器,一款超大功率的TVS二極管, 具有超強的浪涌吸收能力和抑制電壓能力,通常并接在電路中,即解決雷擊大浪涌問題,并對靜電也起到超強的防護效果

2023-08-27 標簽:汽車電子TVS二極管通信電源工業(yè)控制浪涌抑制器 1202

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應用越來越廣泛,寬禁帶半導體材料與器件的研究和發(fā)展也進入了加速階段。

2023-08-24 標簽:處理器功率二極管導通電阻肖特基二極管氧化鎵 1882

氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

氧化鎵(Ga2O3)半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。

2023-08-17 標簽:接觸器半導體芯片DFT算法氧化鎵光電子技術(shù) 2311

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計及發(fā)展趨勢

隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升,研究和應用領(lǐng)域也在不斷擴展。

2023-08-10 標簽:MOSFET逆變器芯片設(shè)計碳化硅降壓變換器 2127

SiC基微型核電池研究進展

隨著微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的迅速發(fā)展,體積更小,功能更多,集成度更高的MEMS器件已經(jīng)成為新的發(fā)展方向和研究熱點。

2023-08-10 標簽:半導體機器人SiCMEMS技術(shù)抗電磁干擾 1805

高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢,是國際半導體領(lǐng)域的研究熱點。

2023-08-09 標簽:二極管MOSFET電阻器SiC氧化鎵 1510

Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

寬禁帶半導體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作,在高效功率轉(zhuǎn)換,射頻功放,以及極端環(huán)境電子應用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。

2023-08-09 標簽:MOSFET功率半導體碳化硅射頻器GaN技術(shù) 1636

氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

近日,“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導,西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.casmita.com)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

2023-08-09 標簽:二極管晶體管功率半導體半導體芯片氧化鎵 1523

FHL170N1F4A場效應管常用于通信電源電路!

全球通信已經(jīng)邁入5G時代,對于通信電源的研發(fā)生產(chǎn)廠家,考慮如何在市場上面獲得競爭優(yōu)勢?選擇優(yōu)質(zhì),可替代FDBL86066型號參數(shù)的國產(chǎn)化mos管是非常重要的。

2023-08-07 標簽:電阻器電感器場效應管emi電源電路 985

MOS管FDBL86066型號參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS

儲能行業(yè)的發(fā)展每年都在增長,尤其是在俄烏沖突的影響下,海外民眾為解決用電需求,開始購入戶用儲能等產(chǎn)品,在歐洲的海外市場爆發(fā)尤為顯著。

2023-08-07 標簽:MOS管電池管理系統(tǒng)場效應晶體管寄生電感bms 1830

金剛石場效應晶體管及深紫外光電探測研究

近日,“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導,西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.casmita.com)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

2023-08-07 標簽:MOSFET場效應晶體管光電探測器 1233

氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

近日,“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導,西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.casmita.com)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

2023-08-04 標簽:探測器半導體技術(shù)肖特基二極管光電二極管氧化鎵 2022

SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎?

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。

2023-08-03 標簽:二極管半導體SiC碳化硅TCS 990

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