模擬技術(shù)
mos管驅(qū)動(dòng)拓?fù)涞念悇e有哪些 常見驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)湓O(shè)計(jì)分析
MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。MOS管導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。
2023-08-03 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電路 1407
穩(wěn)壓二極管的工作原理和穩(wěn)壓二極管經(jīng)典電路
穩(wěn)壓管正常工作時(shí)處于反向擊穿狀態(tài)，該區(qū)間是可恢復(fù)的。不要誤以為看到擊穿兩個(gè)字就認(rèn)為是器件損壞了。穩(wěn)壓管也屬于二極管的一種，二極管相當(dāng)一個(gè)PN結(jié)，就是利用PN結(jié)的特性而制作的。
2023-08-02 標(biāo)簽：二極管穩(wěn)壓二極管PN結(jié)穩(wěn)壓管限流電阻 6000
浪涌與雪崩高魯棒性氧化鎵功率二極管
反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導(dǎo)體功率器件在高電場(chǎng)和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動(dòng)力學(xué)的基本特征，也是所有元器件在電動(dòng)汽車、軌道交通、電網(wǎng)和新能源等實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中承受瞬態(tài)過壓(Overvoltage)、過流(Overcurrent)等應(yīng)力沖擊的先決條件。
2023-07-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率二極管半導(dǎo)體浪涌電流氧化鎵 2500
用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolS...
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 標(biāo)簽：MOSFETNTC不間斷電源寄生電感驅(qū)動(dòng)電壓 799
氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究?jī)r(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理功率晶體管氧化鎵 3151
功率器件具體都要進(jìn)行哪些測(cè)試？
1940年，貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年，美國(guó)通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。
2023-07-10 標(biāo)簽：整流器探測(cè)器晶閘管功率半導(dǎo)體電路控制 6096
真雙極性輸入、全差分輸出ADC驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)方案
數(shù)據(jù)采集和通用測(cè)試測(cè)量設(shè)備中使用的精密信號(hào)鏈必須適應(yīng)寬廣的輸入電平范圍。信號(hào)鏈可能需要提供高輸入阻抗，同時(shí)支持增益和衰減，并調(diào)整共模電平以確保信號(hào)落在ADC的適當(dāng)輸入范圍內(nèi)。
2023-07-07 標(biāo)簽：放大器濾波器驅(qū)動(dòng)放大器ADC驅(qū)動(dòng)器 1698
FHF20T60A型號(hào)IGBT適用于破壁機(jī)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
破壁機(jī)在人們?nèi)粘Ｉ钪幸呀?jīng)很常見了，終端客戶在使用的時(shí)候不僅僅關(guān)注外觀，更會(huì)關(guān)注影響產(chǎn)品質(zhì)量的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的知識(shí)了。
2023-07-06 標(biāo)簽：變頻器逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電路無刷電機(jī) 610
高速ADC轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)思路解析
AD9280 是 ADI 公司生產(chǎn)的一款單芯片、8 位、32MSPS（Million Samples Per Second，每秒采樣百萬次）模數(shù)轉(zhuǎn)換器，具有高性能、低功耗的特點(diǎn)。
2023-07-03 標(biāo)簽：運(yùn)放電路濾波器模數(shù)轉(zhuǎn)換器模擬信號(hào) 4769
MOS管防反接電路的原理分析及電路仿真
MOS管防反接電路相比二極管防反接電路最大的優(yōu)勢(shì)是幾乎零壓降，二極管的壓降一般都0.5V~1V左右，但是MOS管就不一樣了，MOS管的內(nèi)阻很小，小的只有幾mΩ。 假如5mΩ的內(nèi)阻，經(jīng)過1A的電流壓降只有5mV，10A電流壓降也才50mV。
三極管放大電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用
三極管上拉電阻：當(dāng)有高電位輸入時(shí)Q導(dǎo)通，因E-C導(dǎo)通，又因有負(fù)載電阻，所以輸出看作是高電平。
工業(yè)縫紉機(jī)常用IGBT介紹
工業(yè)縫紉機(jī)是由很多個(gè)不同的電路組成的，比如pfc電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、控制電路、傳感器電路、通信電路、保護(hù)電路、顯示電路等等。
2023-06-18 標(biāo)簽：傳感器控制電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1272
碳化硅器件在高效可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用
太陽(yáng)能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。
2023-06-13 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池逆變器碳化硅太陽(yáng)能逆變器 705
分享一種碳化硅器件功率循環(huán)測(cè)試解決方案
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產(chǎn)品提供飛躍的機(jī)遇。
直流充電樁中“快準(zhǔn)穩(wěn)”的SiC器件
根據(jù)對(duì)電動(dòng)汽車的充電方式，充電樁可分為交流充電樁和直流充電樁兩大類。直流充電樁具備直接給電池充電的能力，以三相四線制的方式連接電網(wǎng)，能夠提供充足的電力，輸出的電壓和電流調(diào)整范圍大，俗稱“快充”。
2023-06-02 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車PFC充電電源sic器件直流充電樁 1659
碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可...
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
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