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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 模擬技術(shù) > 應(yīng)用案例

是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎?

在過(guò)去的幾年里,碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件,特別是SiC MOSFET,已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。

2023-05-25 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC碳化硅 310

新能源汽車(chē)功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究

提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)精度。

2023-05-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件SiC MOSFET 994

電容的工藝結(jié)構(gòu)以及應(yīng)用選型

理想電容內(nèi)部是介質(zhì)(Dielectric),沒(méi)有自由電荷,不可能產(chǎn)生電荷移動(dòng)也就是電流,那么理想電容是如何通交流的呢?

2023-05-11 標(biāo)簽:電容器emiRJ45薄膜電容鈮電解電容器 1815

ADC如何在存在大信號(hào)情況下同時(shí)處理小信號(hào)?

對(duì)于 ADC,SFDR 展示了 ADC 如何在存在大信號(hào)的情況下同時(shí)處理小信號(hào)。例如,考慮一個(gè)接收器應(yīng)用程序。假設(shè) ADC 輸入包含一個(gè) +1 dBm 阻塞信號(hào)和一個(gè) -75 dBm 所需信號(hào)。

2023-05-06 標(biāo)簽:adcSFDR 2374

英飛凌EconoPIM3 IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解

模塊內(nèi)部左上方還集成了一個(gè)單獨(dú)的IGBT,邊上還有一個(gè)相應(yīng)的小的二極管。用于制動(dòng)的和由于這個(gè)IGBT的面積小,所以功率電流小,用于制動(dòng),也就是制動(dòng)單元。

2023-04-11 標(biāo)簽:英飛凌二極管熱敏電阻IGBT 10219

碳化硅相對(duì)于硅的特性和優(yōu)勢(shì)有哪些

未來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標(biāo)簽:MOSFET電感器IGBTSiC碳化硅 2892

碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些?

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。

2023-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT電機(jī)控制器充電樁碳化硅 1329

大功率MOS管開(kāi)關(guān)電路實(shí)例應(yīng)用電路分析

電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會(huì)遭受靜電破壞?可以這么說(shuō):電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過(guò)程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機(jī)裝聯(lián)、包裝運(yùn)輸直至產(chǎn)品應(yīng)用,都在靜電的威脅之下。

2023-04-04 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 10244

A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理和分類(lèi)

通過(guò)分析可以看到,取樣信號(hào)S(t)的頻率愈高,所取得信號(hào)經(jīng)低通濾波器后愈能真實(shí)地復(fù)現(xiàn)輸入信號(hào)。但帶來(lái)的問(wèn)題是數(shù)據(jù)量增大,為保證有合適的取樣頻率,它必須滿足取樣定理。

2023-03-28 標(biāo)簽:傳感器放大器低通濾波器模數(shù)轉(zhuǎn)換器AD轉(zhuǎn)換器 4089

全面的IGBT封裝設(shè)計(jì)解決方案

國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險(xiǎn)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)升級(jí)共同推動(dòng)了本土IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。

2023-03-27 標(biāo)簽:IGBTANSYS 2762

一文講透上下拉電阻能否增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力

既然開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)力比電阻強(qiáng),那么能不能把電阻也換成開(kāi)關(guān)?恭喜你,發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)代CMOS邏輯電路的基本單元:倆互補(bǔ)的開(kāi)關(guān)。

2023-03-13 標(biāo)簽:二極管上拉電阻下拉電阻反相器導(dǎo)通電阻 2457

一文解析光耦耦合器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

如果你需要使用帶有微控制器的命令來(lái)驅(qū)動(dòng)高壓電機(jī),那么光耦合器將為開(kāi)關(guān)系統(tǒng)提供電機(jī)和微控制器輸出之間的完全電氣隔離連接。

2023-03-08 標(biāo)簽:led光耦合器晶閘管光電晶體管光耦合 10423

學(xué)習(xí)各種電流源電路及差分放大電路的分析方法

學(xué)習(xí)各種電流源電路及差分放大電路的分析方法。

2023-02-28 標(biāo)簽:放大電路信號(hào)電流源差分放大電路電流源電路 5837

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵GaN碳化硅 843

電焊機(jī)IGBT怎么選擇?

工控的IGBT市場(chǎng)規(guī)模在近年來(lái)逐步增大,尤其是隨著我國(guó)變頻器、電焊機(jī)市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng),工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)加速發(fā)展,對(duì)應(yīng)的工控 IGBT 市場(chǎng)也將穩(wěn)步增長(zhǎng)。

2023-02-24 標(biāo)簽:UPS電焊機(jī)IGBT快恢復(fù)二極管 6829

SIC肖特基二極管BM09K80N3用于便攜式電源

在享受露營(yíng)帶來(lái)快樂(lè)的同時(shí),對(duì)于便攜式戶外電源的穩(wěn)定性、安全性以及兼容性的用電標(biāo)準(zhǔn)必不可少的安全考察

2023-02-23 標(biāo)簽:保護(hù)電路肖特基二極管SiC便攜式電源 680

碳化硅(SiC)在汽車(chē)電子中的應(yīng)用

熱設(shè)計(jì)在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用,以便設(shè)計(jì)高功率密度,從而設(shè)計(jì)緊湊的系統(tǒng)。

2023-02-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 1547

介紹SiC肖特基二級(jí)管在充電機(jī)AC-DC和DC-DC電路中的...

車(chē)載充電機(jī)是電動(dòng)汽車(chē)內(nèi)部的核心部件,其功能是按照電池管理系統(tǒng)的指令,動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)充電電流和電壓參數(shù),完成電動(dòng)汽車(chē)的充電過(guò)程。

2023-02-21 標(biāo)簽:PFCSiCLLC二級(jí)管車(chē)載充電機(jī) 976

為什么說(shuō)運(yùn)算放大器的兩個(gè)輸入端應(yīng)該放上相等的阻抗

相傳,在741運(yùn)算放大器1橫行天下那個(gè)年代,正值平衡運(yùn)算放大器輸入端電阻觀念風(fēng)靡之際。然而隨著時(shí)間的流逝,不同電路技術(shù)和IC工藝的興起打破了它的神話,從此煙消云散。事實(shí)上,它的觀念確實(shí)也可能會(huì)引起更大的直流誤差和更多的噪聲,從而導(dǎo)致電路變得更加不穩(wěn)定!可是我們?yōu)槭裁丛谝郧耙x擇它,而現(xiàn)在這樣做就會(huì)出問(wèn)題呢?

2023-02-21 標(biāo)簽:放大器電阻噪聲運(yùn)算放大器反相放大器 5402

碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)...

服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ),處理著網(wǎng)絡(luò)上80%以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息,需要24*7不間斷運(yùn)行,承載著整個(gè)企業(yè)甚至全球各地的訪問(wèn)任務(wù),這主要?dú)w功于其高性能、高可靠性電源設(shè)計(jì)。

2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體MOS管碳化硅 764

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