電源/新能源
提供權(quán)威的電源和新能源設(shè)計及電源管理資訊，內(nèi)容有醫(yī)療/工業(yè)電源、LED驅(qū)動、數(shù)字電源、電池技術(shù)、太陽能光伏等電源技術(shù)方案，包括電源測試/仿真/認(rèn)證、便攜電源、電動車/新能源、AC-DC與DC-DC轉(zhuǎn)換、基準(zhǔn)/監(jiān)控/保護電路等專業(yè)領(lǐng)域。
LM136A-5.0QML 5.0V 基準(zhǔn)二極管技術(shù)手冊
LM136A-5.0QML/LM136-5.0QML集成電路是精密5.0V分流穩(wěn)壓二極管。這些單片IC基準(zhǔn)電壓源作為低溫度系數(shù)5.0V齊納管工作，動態(tài)阻抗為0.6Ω。LM136-5.0 上的第三個端子允許輕松調(diào)整基準(zhǔn)電壓和溫度系數(shù)。 ...
2025-08-18 標(biāo)簽：集成電路穩(wěn)壓二極管數(shù)字電壓表基準(zhǔn)電壓源 857
LM136A-2.5QML 2.5V 基準(zhǔn)二極管技術(shù)手冊
LM136A-2.5QML集成電路是一款精密的2.5V并聯(lián)穩(wěn)壓二極管。該單片IC基準(zhǔn)電壓源作為低溫度系數(shù)的2.5V齊納管工作，動態(tài)阻抗為0.2Ω。LM136A-2.5QML 上的第三個端子可以輕松調(diào)整基準(zhǔn)電壓和溫度系數(shù)。 ...
2025-08-18 標(biāo)簽：集成電路運算放大器穩(wěn)壓二極管數(shù)字電壓表基準(zhǔn)電壓源 1228
LM336-5.0 5V 基準(zhǔn)二極管技術(shù)手冊
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0 集成電路是精密 5.0V 并聯(lián)穩(wěn)壓二極管。這些單片IC基準(zhǔn)電壓源作為低溫度系數(shù)5.0V齊納管工作，動態(tài)阻抗為0.6Ω。LM136-5.0 上的第三個端子允許輕松調(diào)整基準(zhǔn)電壓和溫度系數(shù)。...
2025-08-18 標(biāo)簽：集成電路穩(wěn)壓二極管數(shù)字電壓表基準(zhǔn)電壓源 1748
LM136-2.5-N系列 基準(zhǔn)電壓二極管技術(shù)手冊
LM136-2.5-N/LM236-2.5-N 和 LM336-2.5-N 集成電路是精密 2.5V 并聯(lián)穩(wěn)壓二極管。這些單片IC基準(zhǔn)電壓源作為低溫度系數(shù)的2.5V齊納管工作，動態(tài)阻抗為0.2Ω。LM136-2.5-N 上的第三個端子允許輕松調(diào)整基準(zhǔn)電壓和...
2025-08-18 標(biāo)簽：集成電路運算放大器穩(wěn)壓二極管基準(zhǔn)電壓源 1113
LM336-2.5-N 基準(zhǔn)電壓源二極管技術(shù)手冊
LM136-2.5-N/LM236-2.5-N 和 LM336-2.5-N 集成電路是精密 2.5V 并聯(lián)穩(wěn)壓二極管。這些單片IC基準(zhǔn)電壓源作為低溫度系數(shù)的2.5V齊納管工作，動態(tài)阻抗為0.2Ω。LM136-2.5-N 上的第三個端子允許輕松調(diào)整基準(zhǔn)電壓和...
2025-08-18 標(biāo)簽：集成電路電壓表運算放大器穩(wěn)壓二極管基準(zhǔn)電壓源 1746
LM136-5.0系列 5.0V 基準(zhǔn)二極管技術(shù)手冊
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0 集成電路是精密 5.0V 并聯(lián)穩(wěn)壓二極管。這些單片IC基準(zhǔn)電壓源作為低溫度系數(shù)5.0V齊納管工作，動態(tài)阻抗為0.6Ω。LM136-5.0 上的第三個端子允許輕松調(diào)整基準(zhǔn)電壓和溫度系數(shù)。...
2025-08-18 標(biāo)簽：集成電路運算放大器穩(wěn)壓二極管基準(zhǔn)電壓源 2015
LM185-1.2-N系列 微功率基準(zhǔn)電壓源二極管技術(shù)手冊
LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N 是微功率 2 端子帶隙穩(wěn)壓二極管。它們的工作電流范圍為10μA至20mA，具有極低的動態(tài)阻抗和良好的溫度穩(wěn)定性。片上微調(diào)用于提供嚴(yán)格的電壓容差。由于LM185-1.2-N帶隙...
2025-08-18 標(biāo)簽：電阻器穩(wěn)壓二極管封裝晶體管電池供電 967
TDK TLVR電感器在服務(wù)器電源電路的應(yīng)用
精度提供磁芯電壓，則電壓為1V時的公差必須控制在±30mV。對于服務(wù)器專用電源，即使在超過1000A的大電流負(fù)載驟變的驅(qū)動條件下，輸出電壓也必須盡可能保持穩(wěn)定。...
LM185-2.5-N系列 微功率基準(zhǔn)電壓源二極管技術(shù)手冊
LM185-2.5-N/LM285-2.5-N/LM385-2.5-N是德州儀器(TI)生產(chǎn)的一系列2.5V微功耗兩端帶隙電壓基準(zhǔn)芯片。這些器件具有極低的動態(tài)阻抗和良好的溫度穩(wěn)定性，通過片上修整實現(xiàn)嚴(yán)格的電壓容差。...
2025-08-18 標(biāo)簽：二極管封裝補償電路陶瓷芯片二極管封裝電壓基準(zhǔn)芯片補償電路陶瓷芯片 1047
今日看點丨1300億市值芯片巨頭發(fā)起并購；小米玄戒O2芯片或明年亮相
1300億市值芯片巨頭，發(fā)起并購 ? 日前，華虹公司公告稱，為解決IPO承諾的同業(yè)競爭事項，公司正在籌劃以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買上海華力微電子有限公司控股權(quán)，同時配套募集資金。...
羅姆新一代MOSFET助力AI服務(wù)器與工業(yè)電源的能效優(yōu)化
為了實現(xiàn)無碳社會，“提高用電量占全球一大半的電源和電機的效率”已成為全球性的社會問題。同時，隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負(fù)載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升，特別是配備...
LM285-ADJ 可調(diào)、85°C、微功率基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊
LM185/LM285/LM385 是微功率 3 端子可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源二極管。工作電壓范圍為 1.24 至 5.3V，電流范圍為 10μA 至 20mA，具有極低的動態(tài)阻抗和良好的溫度穩(wěn)定性。片內(nèi)微調(diào)用于提供嚴(yán)格的電壓容差。...
2025-08-18 標(biāo)簽：二極管電阻器晶體管基準(zhǔn)電壓源功率電路 1107
MDD分立器件在快充充電寶中的應(yīng)用
5G時代智能設(shè)備的全面普及，手機、平板、輕薄筆記本等終端產(chǎn)品的性能持續(xù)躍升，功耗也隨之大幅增加，消費者對便攜充電的需求從 “能充” 升級為 “快充、安全、大容量”?？斐涑潆妼氉?..
LM185-1.2QML 微功率基準(zhǔn)電壓源二極管技術(shù)手冊
LM185-1.2 是一款微功率 2 端子帶隙穩(wěn)壓二極管。經(jīng)營 在 10μA 至 20mA 電流范圍內(nèi)，它具有極低的動態(tài)阻抗和良好的 溫度穩(wěn)定性。片上微調(diào)用于提供嚴(yán)格的電壓容差。由于 LM185-1.2 帶隙基準(zhǔn)電壓源僅...
2025-08-18 標(biāo)簽：電阻器穩(wěn)壓二極管晶體管基準(zhǔn)電壓源 1043
LM185-ADJ 可調(diào)微功率基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊
LM185/LM285/LM385 是微功率 3 端子可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源二極管。工作電壓范圍為 1.24 至 5.3V，電流范圍為 10μA 至 20mA，具有極低的動態(tài)阻抗和良好的溫度穩(wěn)定性。片內(nèi)微調(diào)用于提供嚴(yán)格的電壓容差。...
2025-08-18 標(biāo)簽：二極管電阻器晶體管基準(zhǔn)電壓源 1130
?LM185-2.5QML 數(shù)據(jù)手冊摘要
LM185-2.5 是微功率 2 端子帶隙穩(wěn)壓二極管。它們的工作電流范圍為 20 μA 至 20 mA，具有極低的動態(tài)阻抗和良好的溫度穩(wěn)定性。片上微調(diào)用于提供嚴(yán)格的電壓容差。由于 LM185-2.5 帶隙基準(zhǔn)電壓源僅使...
2025-08-18 標(biāo)簽：電源電阻器穩(wěn)壓二極管晶體管基準(zhǔn)電壓源 919
LM285-1.2-N系列 1.235V、–40°C 至 +85°C、微功率基準(zhǔn)電壓二極管技術(shù)手冊
LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N 是微功率 2 端子帶隙穩(wěn)壓二極管。它們的工作電流范圍為10μA至20mA，具有極低的動態(tài)阻抗和良好的溫度穩(wěn)定性。片上微調(diào)用于提供嚴(yán)格的電壓容差。由于LM185-1.2-N帶隙...
2025-08-18 標(biāo)簽：電阻器穩(wěn)壓二極管晶體管基準(zhǔn)電壓源 1133
Diodes公司推出AP7372低噪聲低壓差穩(wěn)壓器
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AP7372低噪聲低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器，用于為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 (ADC、DAC)、電壓控制振蕩器 (VCO) 和鎖相環(huán) (PLL) 等精密元器件供電。...
2025-08-18 標(biāo)簽：ldoDiodes低壓差穩(wěn)壓器 1253
LM385-2.5-N 2.5V、0°C 至 70°C、微功率基準(zhǔn)電壓二極管技術(shù)手冊
? 1. 產(chǎn)品概述 ? LM185-2.5-N/LM285-2.5-N/LM385-2.5-N是微功耗2端帶隙電壓基準(zhǔn)芯片，具有以下核心特性： ? 電壓輸出 ?：2.5V固定基準(zhǔn)電壓（另提供1.2V型號LM185-1.2系列和可調(diào)型號LM185系列）。 ? 工作...
2025-08-18 標(biāo)簽：二極管封裝引腳基準(zhǔn)電壓二極管基準(zhǔn)電壓封裝引腳精密電路 1934
LM385-ADJ 可調(diào)、70°C、微功率基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊
LM185/LM285/LM385 是微功率 3 端子可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源二極管。工作電壓范圍為 1.24 至 5.3V，電流范圍為 10μA 至 20mA，具有極低的動態(tài)阻抗和良好的溫度穩(wěn)定性。片內(nèi)微調(diào)用于提供嚴(yán)格的電壓容差。...
2025-08-18 標(biāo)簽：二極管電流電阻器晶體管基準(zhǔn)電壓源 1655
?LM385-1.2-N系列電壓基準(zhǔn)二極管技術(shù)文檔總結(jié)
LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N 是微功率 2 端子帶隙穩(wěn)壓二極管。它們的工作電流范圍為10μA至20mA，具有極低的動態(tài)阻抗和良好的溫度穩(wěn)定性。片上微調(diào)用于提供嚴(yán)格的電壓容差。由于LM185-1.2-N帶隙...
2025-08-18 標(biāo)簽：電阻器穩(wěn)壓二極管晶體管基準(zhǔn)電壓源 1179
?LM185/LM285/LM385-2.5-N系列微功耗電壓基準(zhǔn)芯片技術(shù)文檔總結(jié)
? 1. 產(chǎn)品概述 ? ? 型號系列 ?：LM185-2.5-N、LM285-2.5-N、LM385-2.5-N，均為2端帶隙電壓基準(zhǔn)芯片。 ? 關(guān)鍵特性 ?： ? 高精度 ?：A級初始容差±20mV（±0.8%）。 ? 寬工作電流 ?：20μA至20mA。 ?...
2025-08-18 標(biāo)簽：模擬電路熱電偶封裝電壓基準(zhǔn)芯片 1780
三電平電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及碳化硅MOSFET應(yīng)用深度分析報告
傾佳電子三電平電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及碳化硅MOSFET應(yīng)用深度分析報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。他們主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新...
2025-08-17 標(biāo)簽：MOSFET三電平電源拓?fù)?/a>碳化硅MOSFET 3616
理想i8的LPM功率模塊設(shè)計解析
理想汽車自研的LPM（Li Power Module）高壓碳化硅（SiC）功率模塊是其純電戰(zhàn)略的核心技術(shù)之一，于2025年6月首次公開，搭載于旗艦純電車型理想i8及后續(xù)全系純電平臺。...
KEMET A7C5徑向混合鋁聚合物電容器在新能源汽車中的應(yīng)用
今天，新能源汽車的市場滲透率在迅猛增長，無論是傳統(tǒng)車企還是造車“新勢力”，新能源車型的推新速度都在加快。...
森國科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)
第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)森國科推出的碳化硅二極管 KS10065（650V/10A），針對不同場景的散熱、空間及絕緣要求，提供7種封裝形態(tài)，靈活覆蓋車規(guī)、工業(yè)電源、消費電子三大領(lǐng)域。...
森國科推出1200V/40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品K3M040120-J
SiC MOSFET以其優(yōu)異的耐壓、高開關(guān)頻率和低損耗性能，正持續(xù)推動著新能源車、光伏逆變和工業(yè)電源等領(lǐng)域的變革。然而，相比傳統(tǒng)硅基IGBT，大多數(shù)SiC MOSFET暴露出一個明顯的技術(shù)挑戰(zhàn)：短路耐受...
森國科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品
在如今的科技發(fā)展浪潮中，電力電子器件的性能對眾多領(lǐng)域的發(fā)展至關(guān)重要。隨著1500V 光儲系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用，1000V/800V 新能源汽車架構(gòu)平臺的蓬勃發(fā)展，高壓兆充的快速布局，森國科及時推出了...
森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊
碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等...
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