電源/新能源
提供權(quán)威的電源和新能源設(shè)計(jì)及電源管理資訊，內(nèi)容有醫(yī)療/工業(yè)電源、LED驅(qū)動(dòng)、數(shù)字電源、電池技術(shù)、太陽(yáng)能光伏等電源技術(shù)方案，包括電源測(cè)試/仿真/認(rèn)證、便攜電源、電動(dòng)車/新能源、AC-DC與DC-DC轉(zhuǎn)換、基準(zhǔn)/監(jiān)控/保護(hù)電路等專業(yè)領(lǐng)域。
CSD95372AQ5M 60A 同步降壓 NexFET? 功率級(jí)，帶溫度檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95372AQ5M NexFET? 功率級(jí)是一個(gè) 高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這 產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)IC和NexFET技術(shù)，完成功率級(jí)開關(guān) 功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真功能，可實(shí)現(xiàn)DCM 運(yùn)...
2025-08-07 標(biāo)簽：DCM同步降壓轉(zhuǎn)換器PCB封裝NexFET 1115
半導(dǎo)體創(chuàng)新推動(dòng)能源格局演變的三種方式
全球居先的綜合電子元器件制造商村田中國(guó)(以下簡(jiǎn)稱“村田”) 亮相2025開放計(jì)算創(chuàng)新技術(shù)大會(huì)(OCP China Day)，圍繞大會(huì)“開放變革：筑基、擴(kuò)展、進(jìn)化”的主題，重點(diǎn)展示了包括電源、電感、傳...
2025-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 1262
CSD95373AQ5M 45A同步降壓NexFET?功率級(jí)，帶溫度檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95373AQ5M NexFET? 功率級(jí)是一個(gè) 高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這 產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)IC和NexFET技術(shù)，完成功率級(jí)開關(guān) 功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真功能，可實(shí)現(xiàn)DCM 運(yùn)...
2025-08-07 標(biāo)簽：二極管封裝同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 1129
CSD95372BQ5M 60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95372BQ5M NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化設(shè)計(jì)，用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng) IC 和功率 MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。 這 組合可在小型封裝中產(chǎn)生高電流、高效...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝同步降壓轉(zhuǎn)換器PCB封裝NexFET 1112
CSD95378BQ5M 60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)，帶 TAO 失調(diào)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95378BQ5M NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm 外形封裝中...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器PCB封裝NexFET 1203
CSD95372BQ5MC 60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)，采用雙冷卻封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95372BQ5MC NexFET? 智能功率級(jí)是一款高度 優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品 集成驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，完成功率級(jí)開關(guān)功能。這 組合可在小范圍內(nèi)產(chǎn)生大電流、高效率和...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝PWM同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 1027
CSD95378BQ5MC 60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)，具有 TAO 偏移和 DualCool? 封裝數(shù)據(jù)
CSD95378BQ5MC NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng) IC 和功率 MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在小型 5 毫米× 6 毫米外形...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器PCB封裝NexFET 1057
CSD95373BQ5M 45A 同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95373BQ5M NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm 外形封裝中產(chǎn)...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET電流檢測(cè)同步降壓轉(zhuǎn)換器PCB封裝NexFET 1179
麥科信CP3008系列高頻交直流電流探頭介紹
麥科信CP3008系列高頻交直流電流探頭是支持大電流精準(zhǔn)測(cè)量設(shè)計(jì)的專業(yè)設(shè)備，具備8MHz帶寬與50A/300A雙量程設(shè)計(jì)，可測(cè)量300A連續(xù)電流和500A峰值電流，精度達(dá)1%分辨率低至10mA。其搭載一鍵消磁與自...
CSD95379Q3M 同步降壓 NexFET 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95379Q3M NexFET? 功率級(jí)是一個(gè) 高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這 產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)IC和NexFET技術(shù)，完成功率級(jí)開關(guān) 功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真功能，可實(shí)現(xiàn)DCM 運(yùn)行...
2025-08-07 標(biāo)簽：PWM靜態(tài)電流同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 883
工業(yè)電源選型考慮因素
在某些應(yīng)用場(chǎng)景中，設(shè)備的安裝方式和散熱需求會(huì)直接決定電源的挑選標(biāo)準(zhǔn)。例如，對(duì)于PLC及相關(guān)工業(yè)設(shè)備，標(biāo)準(zhǔn)的安裝方式是使用DIN導(dǎo)軌（Hutschienen），因此選擇DIN導(dǎo)軌電源是最佳方案。...
CSD97395Q4M 高頻同步降壓NexFET?功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD97395Q4M NexFET7trade;功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。 這 產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)IC和NexFET技術(shù)，完成功率級(jí)開關(guān) 功能。 驅(qū)動(dòng) IC 具有內(nèi)置的可選二極管仿真功能，可實(shí)...
2025-08-07 標(biāo)簽：封裝PWM同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 1031
CSD97394Q4M 同步降壓 NexFET? 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD97394Q4M NexFET? 功率級(jí)是一個(gè) 高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這 產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)IC和NexFET技術(shù)，完成功率級(jí)開關(guān) 功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真功能，可實(shí)現(xiàn)DCM 運(yùn)行以...
2025-08-07 標(biāo)簽：PWM靜態(tài)電流開關(guān)器件同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 1198
CSD95377Q4M 20 V 35 A SON 3.5 x 4.5 mm 同步降壓 NexFET? 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95377Q4M NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真功能，可實(shí)現(xiàn)不連...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 1169
CSD97396Q4M 30A同步降壓NexFET功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD97396Q4M NexFET 功率級(jí)是一款 高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這 產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)IC和NexFET技術(shù)，完成功率級(jí)開關(guān) 功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真功能，可實(shí)現(xiàn)DCM 運(yùn)行以...
2025-08-07 標(biāo)簽：PWM開關(guān)器件同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 1157
CSD95472Q5MC 20 V 60 A SON 5 x 6 mm DualCool 同步降壓 NexFET? 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95472Q5MC NexFET? 智能功率級(jí)是一款高度 優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品 集成驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，完成功率級(jí)開關(guān)功能。這 組合可在小范圍內(nèi)產(chǎn)生大電流、高效率和...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 1063
BQ500101 NexFET 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
bq500101 NexFET 功率級(jí)是 針對(duì)涵蓋 WPC v1.2 中等功率規(guī)范的無(wú)線充電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。這 該器件也可用于固定頻率變送器類型的軌電壓控制 作為固定和變頻類型的線圈驅(qū)動(dòng)器。這種組合會(huì)產(chǎn)生一個(gè)...
2025-08-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器發(fā)射器PCB封裝NexFET 1192
CSD96497Q5MC 65A 同步降壓 NexFET 智能功率級(jí)，采用 DualCool 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD96497 NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm 外形封裝中產(chǎn)生大電...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET電流檢測(cè)同步降壓轉(zhuǎn)換器PCB封裝NexFET 1286
CSD95410RRB 90A 峰值連續(xù)同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95410NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm 外形封裝中產(chǎn)生大電...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝電流檢測(cè)同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 1136
CSD95420RCB 50A 峰值連續(xù)同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95420RCBNexFET? 功率級(jí)針對(duì)高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了高度優(yōu)化。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器件和功率 MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在 4 mm × 5 mm 的小型外形封裝中產(chǎn)生高電流、...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFETPWM信號(hào) 1095
CSD96415 80A 峰值連續(xù)電流同步降壓 NexFET? 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD96415RWJ NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器件和功率 MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在 5 mm × 6 mm 的小型封裝中產(chǎn)生...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器同步降壓轉(zhuǎn)換器PCB封裝NexFET 1097
CSD96416 50A 峰值連續(xù)電流同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD96416 NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm 封裝中產(chǎn)生高電流、...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET瞬態(tài)響應(yīng)同步降壓轉(zhuǎn)換器PCB封裝NexFET 1089
如何應(yīng)對(duì)汽車電磁干擾挑戰(zhàn)
有效排查 EMI 故障需要扎實(shí)的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。電磁兼容（EMC）領(lǐng)域并非所謂的“玄學(xué)領(lǐng)域”。有些問(wèn)題可以借助相關(guān)書籍解決，而有些問(wèn)題則需要對(duì)實(shí)際物理系統(tǒng)進(jìn)行精細(xì)調(diào)試。掌握以下四個(gè)方面的...
2025-08-07 標(biāo)簽：emi電磁干擾VicoremiVicor傳導(dǎo)發(fā)射電磁干擾 4175
CSD95430 90A 峰值連續(xù)電流同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95430RRBNexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm 外形封裝中產(chǎn)生大...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝PWM同步降壓轉(zhuǎn)換器 1018
CSD95411 65A 峰值連續(xù)電流同步降壓 NexFET? 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
CSD95411 NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，可與高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器配合使用。該器件集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm 外形封裝中產(chǎn)...
2025-08-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝電流檢測(cè)降壓轉(zhuǎn)換器PCB 1246
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓...
2025-08-06 標(biāo)簽：emi電感零電壓GaN集成驅(qū)動(dòng)器 1251
工業(yè)充電器中隔離式DC-DC功率級(jí)的選擇
碳化硅（SiC）功率開關(guān)器件正成為工業(yè)電池領(lǐng)域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術(shù)...
LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源...
2025-08-06 標(biāo)簽：emi電感GaN集成驅(qū)動(dòng)器 1309
TPS7H6101-SEP 耐輻射 200V 10A GaN 功率級(jí)，集成驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋，集成柵極驅(qū)動(dòng)器;e模式氮化鎵FET和柵極驅(qū)動(dòng)器的集成簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。支持半橋和兩個(gè)獨(dú)立的開關(guān)拓?fù)?..
2025-08-06 標(biāo)簽：FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器FETGaN開關(guān)拓?fù)?/a>柵極驅(qū)動(dòng)器 1247
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