電源/新能源
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今日看點(diǎn)丨英偉達(dá)H20芯片后不會(huì)在華再推出Hopper系列產(chǎn)品；AMD 確認(rèn)采用臺(tái)積電
1. 傳英偉達(dá)計(jì)劃在上海建研究中心，“將聚焦中國客戶定制化需求” ? 據(jù)外媒報(bào)道，英偉達(dá)計(jì)劃在上海建立一個(gè)研究中心。據(jù)知情人士透露，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛上月訪華期間與上海市官...
UCC27712 帶互鎖的 1.8-A/2.8-A、620V 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27712 是一款 620V 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。 建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V（IGBT）和 10V 至 17V（功率 MOSFET）。...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFETIGBT拉電流灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 1129
UCC5390 3kVrms/5kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET （UCC5350SBD）。UCC53x0S 提供分離輸出，可單獨(dú)控制上升和下降時(shí)間。UCC53x0M 將晶體管的柵極連接到內(nèi)部夾具，...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET晶體管FET隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 937
UCC27712-Q1 具有互鎖功能的汽車級(jí) 1.8A/2.8A、620V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27712-Q1 是一款 620V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。 建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V（IGBT）和 10V 至 17V（功率 MOSFET）。...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET隔離電源偏置電源灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 1167
DCDC開關(guān)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)
一、DCDC開關(guān)電源原理（1）BUCK降壓狀態(tài)一:當(dāng)S1閉合時(shí)，輸入的能量從電容C1，通過S1—>電感器L1—>電容器C2—>負(fù)載RL供電，此時(shí)電感器L1同時(shí)也在儲(chǔ)存能量，可以得到加在L1上的電壓為:Vi...
2025-05-17 標(biāo)簽：電容器開關(guān)電源DCDCbuck降壓電路DCDC開關(guān)電源電容器 2882
UCC21520-Q1 具有雙輸入、禁用、死區(qū)時(shí)間的汽車類 4A、6A、5.7kVRMS 隔離式雙通道柵
UCC21520-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)通過 5.7kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET峰值電流灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 1713
UCC27710 帶互鎖功能的 0.5A/1.0A、620V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27710 是一款 620V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 0.5A 拉電流和 1.0A 灌電流，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。 建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V（IGBT）和 10V 至 17V（功率 MOSFET）。...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET偏置電源拉電流灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 928
UCC21220 3.0kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它們?cè)O(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) PFC、隔離式 DC/DC 和同步整流應(yīng)用中的功率 MOSFET 和 GaNFET，通過大于 125V...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFETPFC拉電流灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 847
UCC21222-Q1 汽車級(jí) 3.0kVrms、4A/6A 2 通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21222-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET可編程晶體管拉電流柵極驅(qū)動(dòng)器 798
UCC27511A 具有 5V UVLO、分離輸出、5V IN 處理能力的 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手
UCC27511A 器件是一款緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器，可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅(qū)動(dòng)器（緩沖電路）解決方案。UCC27511A 器件是一款單通道低側(cè)高速柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 MOSFET、IGBT 和新興的寬帶隙功率器件，...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFETIGBTpnp拉電流柵極驅(qū)動(dòng)器 984
UCC21222 3.0kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21222 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。...
2025-05-19 標(biāo)簽：可編程IGBT晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 1054
電力電子中的“摩爾定律”(2)
04平面磁集成技術(shù)的發(fā)展在此基礎(chǔ)上，平面磁集成技術(shù)開始廣泛應(yīng)用于高功率密度場景，通過將變壓器的繞組(winding)設(shè)計(jì)在pcb電路板上從而代替利茲線，從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的...
2025-05-17 標(biāo)簽：電流電力電子電力電子電流磁集成技術(shù) 785
LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的電源轉(zhuǎn)換器。LMG1020 的設(shè)計(jì)簡單性可實(shí)現(xiàn)...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFETFETGaN邏輯電平低側(cè)驅(qū)動(dòng)器 1272
基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?..
2025-05-19 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)封裝GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 2668
UCC27282 具有 5V UVLO、互鎖和使能功能的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27282 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)渲锌刂苾蓚€(gè) N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和...
2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電壓額定電壓柵極驅(qū)動(dòng)器 1144
UCC21220A 3.0kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它們?cè)O(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) PFC、隔離式 DC/DC 和同步整流應(yīng)用中的功率 MOSFET 和 GaNFET，通過大于 125V...
2025-05-19 標(biāo)簽：PFC拉電流灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器GaNFETsPFC拉電流柵極驅(qū)動(dòng)器灌電流 956
UCC21540 5.7kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距，從而實(shí)現(xiàn)更高的總線電...
2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET封裝IGBT灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 918
UCC21541 5.7kVrms 1.5A/2.5A 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距，從而實(shí)現(xiàn)更高的總線電...
2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET電阻器封裝灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 910
LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間
LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管 （GaN FET） 驅(qū)動(dòng)器，專為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側(cè)低側(cè)匹配，可優(yōu)化系統(tǒng)效率。該...
2025-05-24 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器ldo可編程電源電壓場效應(yīng)晶體管 1263
UCC21530 5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21530 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)通過 5.7kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔離，...
2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET封裝峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器 1019
UCC21530-Q1 汽車級(jí)、4A、6A、5.7kVRMS、隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21530-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)通過 5.7kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔離...
2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器MOSFET峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器 853
LM5108 具有使能和互鎖功能的 2.6A、110V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5108 是一款高頻半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 額定電壓為 100V。它允許在基于半橋配置的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中控制兩個(gè) N 溝道 MOSFET，例如同步降壓、全橋、有源鉗位正激、LLC 和同步升壓。...
2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFETLLC額定電壓柵極驅(qū)動(dòng)器 904
UCC20225-Q1 汽車2.5kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC20225-Q1 系列是單輸入、雙輸出隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流，采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率晶體管，具有一流的傳播延遲和脈寬失真。 輸入...
2025-05-24 標(biāo)簽：封裝引腳峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器功率晶體管 699
UCC23513 5.7kVrms，4A/5A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV~RMS~隔離等級(jí)。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動(dòng)...
2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET光耦合器IGBT灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 1111
UCC21732-Q1 汽車類 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21732-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21732-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和...
2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFETIGBT拉電流灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 753
UCC21540A 5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距，從而實(shí)現(xiàn)更高的總線電...
2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET晶體管GaN灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 964
UCC20225A-Q1 汽車級(jí) 2.5kVrms、4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC20225-Q1 系列是單輸入、雙輸出隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流，采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率晶體管，具有一流的傳播延遲和脈寬失真。 輸入...
2025-05-17 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電阻器峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器功率晶體管 930
UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流峰值輸出電流以及 5.7kV~RMS~增強(qiáng)的隔離等級(jí)。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源...
2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFETIGBTFET灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 1419
UCC5390-Q1 汽車級(jí) 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準(zhǔn)，這有利于雙極電源并優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)...
2025-05-17 標(biāo)簽：電源MOSFETSiC峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器 1236
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