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電源/新能源

提供權威的電源和新能源設計及電源管理資訊,內(nèi)容有醫(yī)療/工業(yè)電源、LED驅動、數(shù)字電源、電池技術、太陽能光伏等電源技術方案,包括電源測試/仿真/認證、便攜電源、電動車/新能源、AC-DC與DC-DC轉換、基準/監(jiān)控/保護電路等專業(yè)領域。
UCC5871-Q1 具有高級保護功能的汽車類 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5871-Q1 具有高級保護功能的汽車類 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅動器

UCC5871-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻器的過流、基于 NTC 的過熱和 DESAT 檢測,包括...

2025-05-16 標簽:MOSFET電阻器接口晶體管柵極驅動器 838

UCC21756-Q1 具有主動保護和 iso 的汽車級 ±10A 隔離式單通道柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21756-Q1 具有主動保護和 iso 的汽車級 ±10A 隔離式單通道柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21756-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21756-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和...

2025-05-16 標簽:MOSFET拉電流灌電流柵極驅動器 1092

LM2105系列 具有5V UVLO和集成自舉二極管的 107V 0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

LM2105系列 具有5V UVLO和集成自舉二極管的 107V 0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

LM2105 是一款緊湊型高壓柵極驅動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管,從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。...

2025-05-16 標簽:二極管MOSFET電路板柵極驅動器 942

Vicor 高密度模塊電源為邊緣計算帶來成本效益

邊緣計算對于充分發(fā)揮人工智能 (AI)、機器學習和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 的全部潛能至關重要。供電和供電效率對于下一代邊緣計算機系統(tǒng)優(yōu)化性能非常關鍵。 隨著邊緣計算機數(shù)據(jù)處理的增加,該行業(yè)的...

2025-05-16 標簽:模塊電源Vicor 1009

UCC21551-Q1 汽車級 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551-Q1 汽車級 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,用于驅動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管。 UCC21551x-Q1 可配置為兩個...

2025-05-16 標簽:MOSFETIGBT晶體管拉電流柵極驅動器 1006

UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21717-Q1 是一款電隔離式單通道柵極驅動器,設計用于驅動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21717-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 ...

2025-05-16 標簽:MOSFET拉電流灌電流柵極驅動器電容隔離 982

LM2103系列 具有 8V UVLO、死區(qū)時間和反相輸入引腳的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

LM2103系列 具有 8V UVLO、死區(qū)時間和反相輸入引腳的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器

LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。INL 反相輸入允許該驅動器用于雙通道或單通道 PWM 輸入應用。...

2025-05-16 標簽:MOSFET封裝PWM引腳柵極驅動器 811

UCC23113 具有功能隔離 (1.2kVRMS) 的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23113 具有功能隔離 (1.2kVRMS) 的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅...

2025-05-16 標簽:MOSFET電源電壓FET輸出電流柵極驅動器 1001

LM2005系列 具有 8V UVLO 和集成自舉二極管的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

LM2005系列 具有 8V UVLO 和集成自舉二極管的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手

LM2005 是一款緊湊型高壓柵極驅動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管,從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。...

2025-05-16 標簽:二極管MOSFET負電壓UVLO柵極驅動器 871

LM2101 具有 8V UVLO 的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

LM2101 具有 8V UVLO 的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

LM2101 是一款緊湊型高壓柵極驅動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅動高側和低側 N 溝道 MOSFET。 *附件:lm2101.pdf SH 引腳上的 –1V DC 和 –19.5V 瞬態(tài)負電壓處理提高了高噪聲應用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。...

2025-05-16 標簽:驅動器封裝負電壓引腳柵極驅動器 914

UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側柵極驅動器,可有效驅動 MOSFET 和 GaN 功率開關。UCC27444-Q1 的典型峰值驅動強度為 4 A,可縮短電源開關的上升和下降時間,降低開關損耗并提高效率。該器件...

2025-05-16 標簽:MOSFET功率開關電源開關GaN柵極驅動器 773

鋰離子電容技術:開啟能源儲存和應用革命,邁向清潔綠色未來

鋰離子電容技術:開啟能源儲存和應用革命,邁向清潔綠色未來

鋰離子電容技術:開啟能源儲存和應用革命,邁向清潔綠色未來鋰離子電容技術作為一種新型的儲能設備,已經(jīng)吸引了廣泛的關注。充滿科幻感的未來中,鋰離子電容技術將會在多個領域發(fā)揮重...

2025-05-16 標簽:鋰離子電容器能源儲存鋰離子電容器 959

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護的汽車類 10A 單通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護的汽車類 10A 單通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)

UCC21738-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為工作電壓高達 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌...

2025-05-16 標簽:MOSFET短路保護拉電流灌電流柵極驅動器 876

LM2104系列 具有 8V UVLO、死區(qū)時間和關斷功能的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

LM2104系列 具有 8V UVLO、死區(qū)時間和關斷功能的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)

LM2104 是一款緊湊型高壓柵極驅動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅動高側和低側 N 溝道 MOSFET。IN 引腳允許該器件用于單個 PWM 輸入應用,SD 引腳允許控制器在 SD 引腳為低電平時通過關閉驅動器...

2025-05-16 標簽:MOSFET控制器PWM引腳柵極驅動器 916

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,用于驅動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管。 UCC21551x 可配置為兩個低側...

2025-05-16 標簽:MOSFET可編程IGBT晶體管柵極驅動器 836

UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側柵極驅動器,能夠有效驅動 MOSFET 和 GaN 功率開關。UCC27332-Q1 的典型峰值驅動強度為 9-A,可縮短電源開關的上升和下降時間,從而降低開關損耗并提高效率。...

2025-05-16 標簽:MOSFET功率開關電源開關GaN柵極驅動器 836

UCC44273 具有 5V UVLO 的 4A/4A 單通道低側柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC44273 具有 5V UVLO 的 4A/4A 單通道低側柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC44273 單通道、高速、低側柵極驅動器器件能夠有效驅動 MOSFET 和 IGBT 功率開關。UCC44273 采用本質(zhì)上可最大限度降低擊穿電流的設計,能夠將高峰值電流脈沖源出和吸收到容性負載中,從而提供...

2025-05-16 標簽:MOSFETIGBT峰值電流柵極驅動器低電平 1034

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器,具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器,具有用于IGBT的DIS和DT引

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。 UCC21550-Q1 可配置為兩個...

2025-05-16 標簽:可編程IGBT晶體管拉電流柵極驅動器 1049

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。 UCC21550 可配置為 2 個低側...

2025-05-16 標簽:MOSFET可編程晶體管SiC柵極驅動器 1286

TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V)、TPS7H6013-SP(額定電壓 60V)和 TPS7H602...

2025-05-15 標簽:驅動器FET場效應晶體管額定電壓 1047

鐵基液流電池爆發(fā)!2025年市場規(guī)?;蜻_120億,這些技術突破太關鍵

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)近日,中廣核新能源公安縣50MW/100MWh鐵基液流電池儲能電站示范項目正式啟動EPC招標。該項目位于湖北省荊州市公安縣楊家廠鎮(zhèn),由中廣核新能源公安縣有限公司...

2025-05-16 標簽: 7436

UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27444 是一款雙通道、高速、低側柵極驅動器,可有效驅動 MOSFET 和 GaN 功率開關。UCC27444-Q1 的典型峰值驅動強度為 4 A,可縮短電源開關的上升和下降時間,降低開關損耗并提高效率。該器件的...

2025-05-15 標簽:MOSFET功率開關GaN控制環(huán)路柵極驅動器 1019

快充電源IC U8731的工作原理

快充電源IC U8731的工作原理

GaN器件采用二維電子氣結構,能夠提供更高的電子遷移率和導電性能,因此適用于高頻應用,可以實現(xiàn)更高效的功率轉換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源ic U8731,集成700V E-GaN,高頻高性能...

2025-05-15 標簽:GaN電源IC快充 1103

首款采用 DO-214AB 緊湊型封裝的 2kA 保護晶閘管

首款采用 DO-214AB 緊湊型封裝的 2kA 保護晶閘管

節(jié)省空間的設計為惡劣環(huán)境提供汽車級高浪涌電流保護 ? 2025 年5月14日訊,伊利諾伊州羅斯蒙特市— Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互...

2025-05-15 標簽:保護晶閘管 1759

UCC21330-Q1 汽車級 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅動器,具有禁用邏輯和可編程死區(qū)時間數(shù)據(jù)手冊

UCC21330-Q1 汽車級 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅動器,具有禁用邏輯和可編程死區(qū)時間

UCC21330-Q1 是隔離式雙通道柵極驅動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。 UCC21330-Q1 可配置為兩個...

2025-05-15 標簽:MOSFET可編程晶體管灌電流柵極驅動器 976

TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V)、TPS7H6013-SP(額定電壓 60V)和 TPS7H602...

2025-05-15 標簽:驅動器ldo電源電壓場效應晶體管額定電壓 973

UCC5880-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5880-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器

UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流電阻器的過流、過熱(PTC、NT...

2025-05-15 標簽:二極管MOSFET電阻器IGBT柵極驅動器 1183

UCC23525 具有12V UVLO的 5A/5A、5.7kVRMS、增強型單通道光兼容隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23525 具有12V UVLO的 5A/5A、5.7kVRMS、增強型單通道光兼容隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)

UCC23525驅動器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 5kVRMS 增強型隔離額定值。30V 的高電源電壓范圍允許使用雙極...

2025-05-15 標簽:MOSFET驅動器光耦合器拉電流柵極驅動器 1190

TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V)、TPS7H6013-SP(額定電壓 60V)和 TPS7H602...

2025-05-15 標簽:FET場效應晶體管GaN柵極驅動器驅動電壓 940

交能融合破局新能源重卡電動化:啟源芯動力超級補能中心如何定義“補能自由”?

交能融合破局新能源重卡電動化:啟源芯動力超級補能中心如何定義“補能自由

5月13-15日,2025第十一屆中國國際電動汽車充換電產(chǎn)業(yè)大會(簡稱金磚充換電論壇)在上海汽車城盛大舉行。本次大會由上海交通工程學會、中國充電樁網(wǎng)、充換電百人會、光儲充換產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)...

2025-05-15 標簽:電動汽車充換電站 853

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