電源/新能源
提供權(quán)威的電源和新能源設(shè)計(jì)及電源管理資訊，內(nèi)容有醫(yī)療/工業(yè)電源、LED驅(qū)動(dòng)、數(shù)字電源、電池技術(shù)、太陽能光伏等電源技術(shù)方案，包括電源測(cè)試/仿真/認(rèn)證、便攜電源、電動(dòng)車/新能源、AC-DC與DC-DC轉(zhuǎn)換、基準(zhǔn)/監(jiān)控/保護(hù)電路等專業(yè)領(lǐng)域。
LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM74610-Q1 是一款控制器器件，可與 N 溝道 MOSFET 配合使用。 反極性保護(hù)電路。它旨在驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET 以模擬 與電源串聯(lián)時(shí)的理想二極管整流器。其獨(dú)特優(yōu)勢(shì) 方案中，它不以 ground 為參考，因此...
氮化鎵PD快充芯片U8733產(chǎn)品概述
芯片?恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)，以降低系統(tǒng)溫度，...
LM74670-Q1 具有 70uA 柵極驅(qū)動(dòng)的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車類理想二極管整流器控制器
LM74670-Q1 是一款控制器器件，可與交流發(fā)電機(jī)全橋或半橋整流器架構(gòu)中的 N 溝道 MOSFET 一起使用。它旨在驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET 以模擬理想二極管。該方案的一個(gè)獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)是它沒有接地參考，因此它的...
2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET控制器柵極驅(qū)動(dòng)器理想二極管MOSFET全橋整流器控制器控制器柵極驅(qū)動(dòng)器理想二極管 1299
TPS22925 具有輸出放電的 3.6V、3A、9.2mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22925 產(chǎn)品系列由四個(gè)器件組成：TPS22925B、TPS22925BN、TPS22925C、 和 TPS22925CN。每個(gè)器件都是一個(gè)具有受控轉(zhuǎn)換的 9mΩ 單通道負(fù)載開關(guān) 率。 這些器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.65 V 至 3.6 V，可...
2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET電阻器導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 992
TPS22918 具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電的 5.5V、2A、52mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22918 是一款單通道負(fù)載開關(guān)，具有可配置的上升時(shí)間和可配置的快速輸出放電。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 1 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 2 A 的最大連續(xù)電流。該開關(guān)由開...
2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET封裝負(fù)載開關(guān)輸入電壓浪涌電流 1271
TPS4H160-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、160mΩ、4 通道汽車智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS4H160-Q1 器件是具有四個(gè)集成 160mΩ NMOS 功率 FET 的全面保護(hù)四通道智能高側(cè)開關(guān)。 全面的診斷和高精度電流感應(yīng)可實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的智能控制。...
2025-05-10 標(biāo)簽：NMOSFET電流感應(yīng)短路保護(hù)智能高側(cè)開關(guān) 1541
諾芯盛@ip6829中文資料
英集芯IP6829是一款高性能無線充電發(fā)射端控制SoC芯片，兼容性強(qiáng)，能實(shí)現(xiàn)多種充電功率，適合無線充電設(shè)備制造商使用。其集成度高，能實(shí)現(xiàn)智能功率傳輸機(jī)制，具有高度集成的電路設(shè)計(jì)。...
2025-05-13 標(biāo)簽：無線充方案 952
TPS25940-Q1 具有電流監(jiān)視器和電池短路保護(hù)功能的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A-5.3A 汽車
TPS25940xx-Q1 電子保險(xiǎn)絲電源開關(guān)是緊湊、功能豐富的電源管理器件，具有一整套保護(hù)功能。寬工作范圍允許控制許多常用的直流總線電壓。集成的背靠背 FET 提供雙向電流控制，使該器件非常適...
2025-05-10 標(biāo)簽：電源管理可編程電源開關(guān)FET短路保護(hù) 1040
TPS22975 具有可調(diào)上升時(shí)間、可選輸出放電和熱關(guān)斷功能的 5.7V、6A、16mΩ 負(fù)載開
TPS22975 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成：TPS22975 和 TPS22975N。每個(gè)器件都是一個(gè)單通道負(fù)載開關(guān)，可提供可配置的上升時(shí)間，以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.6 V 至 5...
2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET電阻器負(fù)載開關(guān)輸入電壓浪涌電流 1091
TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負(fù)載開關(guān)，具有可調(diào)上升時(shí)間、電源正常和可選輸出放電
TPS22990 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成：TPS22990 和 TPS22990N。每個(gè)器件都是一個(gè) 3.9mΩ 單通道負(fù)載開關(guān)，具有受控和可調(diào)導(dǎo)通功能以及集成的 PG 指示燈。 這些器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.6 V 至...
2025-05-10 標(biāo)簽：電源MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)終端 1287
TPS22918-Q1 1 通道、5.5V、2A、52mΩ 汽車負(fù)載開關(guān)，具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放
TPS22918-Q1 是一款單通道負(fù)載開關(guān)，具有可配置的上升時(shí)間和可配置的快速輸出放電功能。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 1 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持2 A 的最大連續(xù)電流。該開...
2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET封裝負(fù)載開關(guān)輸入電壓浪涌電流 944
TPS2H160-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、160mΩ、2 通道汽車智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2H160-Q1 系列是完全受保護(hù)的雙通道智能高側(cè)開關(guān)，具有集成的 160mΩ NMOS 功率 FET。 全面的診斷和高精度電流感應(yīng)功能可實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的智能控制。...
2025-05-10 標(biāo)簽：電阻器NMOSFET電流感應(yīng)智能高側(cè)開關(guān) 1154
反向降壓拓?fù)淙绾翁娲歉綦x反激式拓?fù)?德州儀器反向降壓拓?fù)湓敿?xì)解析
歡迎來到 《電源設(shè)計(jì)小貼士集錦》系列文章 ? 本期，我們將介紹 反向降壓拓?fù)?的詳細(xì)知識(shí) ? 最常見的電源之一是 離線電源 ，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家庭功能的產(chǎn)品越來越多，...
2025-05-10 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)拓?fù)?/a>降壓交流電源反激拓?fù)?/a> 1150
電源入口處防反接電路-汽車電子硬件電路設(shè)計(jì)
一、為什么要設(shè)計(jì)防反接電路電源入口處接線及線束制作一般人為操作，有正極和負(fù)極接反的可能性，可能會(huì)損壞電源和負(fù)載電路；汽車電子產(chǎn)品電性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)ISO16750-2的4.7節(jié)包含了電壓極性...
TPS2H000-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、1 Ω、2 通道汽車智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2H000-Q1 系列是一款完全受保護(hù)的雙通道智能高側(cè)開關(guān)，具有集成的 1000mΩ NMOS 功率 FET。 全面的診斷和高精度電流感應(yīng)功能可實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的智能控制。...
2025-05-10 標(biāo)簽：NMOSFET電流感應(yīng)短路保護(hù)智能高側(cè)開關(guān) 978
TPS22976 2 通道、5.7V、6A、14mΩ 負(fù)載開關(guān)，具有可調(diào)上升時(shí)間和可選輸出放電數(shù)據(jù)
TPS22976 產(chǎn)品系列由三個(gè)器件組成：TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每個(gè)器件都是一個(gè)具有受控導(dǎo)通功能的雙通道負(fù)載開關(guān)。該器件包含兩個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.6 V 至 5.7 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，...
金升陽推出升級(jí)版LM-R2S系列機(jī)殼開關(guān)電源
在工業(yè)電源領(lǐng)域，金升陽始終以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)力，結(jié)合市場(chǎng)需求，對(duì)電源產(chǎn)品進(jìn)行持續(xù)性優(yōu)化。基于LM-R2系列的成熟技術(shù)與市場(chǎng)認(rèn)可，金升陽正式推出升級(jí)版LM-R2S系列機(jī)殼開關(guān)電源。新品在傳...
2025-05-10 標(biāo)簽：開關(guān)電源工業(yè)電源金升陽 1489
TPS22810 具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電的 18V、3A、79mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22810 是一款單通道負(fù)載開關(guān)，具有可配置的上升時(shí)間，并集成了快速輸出放電 （QOD）。此外，該器件還具有熱關(guān)斷功能，以保護(hù)器件免受高結(jié)溫的影響。因此，從根本上保證了設(shè)備的安全工...
2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET封裝負(fù)載開關(guān)輸入電壓浪涌電流 1158
TPL7407LA 30V、7 通道 NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPL7407LA 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個(gè) NMOS 晶體管組成，具有高壓輸出和共陰極箝位二極管，用于切換電感負(fù)載。單個(gè) NMOS 通道的最大漏極電流額定值為 600 mA。添加了新...
2025-05-10 標(biāo)簽：二極管驅(qū)動(dòng)器NMOS晶體管驅(qū)動(dòng)電路 1268
TPS22971 具有可調(diào)上升時(shí)間、電源正常和輸出放電的 3.6V、3A、6.7mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)
TPS22971 是一款節(jié)省空間的單通道負(fù)載開關(guān)，具有受控和可調(diào)的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換速率以及集成的電源良好指示器。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.65 V 至 3.6 V 的低輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 3 A...
2025-05-10 標(biāo)簽：電源MOSFET電阻器負(fù)載開關(guān)輸入電壓 856
TPS22970 具有輸出放電的 3.6V、4A、4.7mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22970 是一款節(jié)省空間的小型負(fù)載開關(guān)，具有受控導(dǎo)通功能，可減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.65 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，脈沖開關(guān)電流高達(dá) 4 A。集成電荷泵對(duì)...
2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET負(fù)載開關(guān)電荷泵輸入電壓浪涌電流 853
TPS22916 具有輸出放電的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 漏電流負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22916xx 是一款小型單通道負(fù)載開關(guān)，使用低泄漏 P 溝道 MOSFET，可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電壓，導(dǎo)通電阻和功率損耗的增加最小。 多個(gè) timing 選項(xiàng)可用...
2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)浪涌電流低電平 910
TPS27S100 具有可調(diào)電流限制的 40V、80mΩ、4A、1 通道、工業(yè)高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS27S100x 是一款單通道、完全受保護(hù)的高側(cè)開關(guān)，具有集成的 NMOS 和電荷泵。完整的診斷和高精度電流監(jiān)控功能可實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的智能控制。可調(diào)限流功能大大提高了整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。設(shè)備診斷...
2025-05-10 標(biāo)簽：NMOS電荷泵電流監(jiān)控器智能高側(cè)開關(guān) 850
揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目盛大開工
2025 年5月9日上午，中共揚(yáng)州市委副書記、秘書長(zhǎng)焦慶標(biāo)，邗江區(qū)委書記張新鋼，揚(yáng)州市財(cái)政局局長(zhǎng)楊蓉、副局長(zhǎng)徐軍，揚(yáng)州市邗江區(qū)副區(qū)長(zhǎng)陳德康等領(lǐng)導(dǎo)齊聚揚(yáng)杰科技，出席揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級(jí)...
2025-05-10 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 2606
TPS1H000-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、1 Ω、1 通道汽車智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS1H000-Q1 器件是一款完全受保護(hù)的單通道高壓側(cè)電源開關(guān)，集成了 1000mΩ NMOS 功率 FET。 可調(diào)電流限制通過限制浪涌或過載電流來提高系統(tǒng)可靠性。高精度電流限制改善了過載保護(hù)，簡(jiǎn)化了前...
2025-05-10 標(biāo)簽：mcuNMOS電源開關(guān)FET過載電流 1330
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D...
2025-05-09 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅MOSFET安世半導(dǎo)體 68537
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