日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>

電源/新能源

提供權(quán)威的電源和新能源設(shè)計及電源管理資訊,內(nèi)容有醫(yī)療/工業(yè)電源、LED驅(qū)動、數(shù)字電源、電池技術(shù)、太陽能光伏等電源技術(shù)方案,包括電源測試/仿真/認(rèn)證、便攜電源、電動車/新能源、AC-DC與DC-DC轉(zhuǎn)換、基準(zhǔn)/監(jiān)控/保護電路等專業(yè)領(lǐng)域。
UCC33421-Q1 汽車級 5V/5V、1.5W 5kVrms 隔離式 DC-DC 電源模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊

UCC33421-Q1 汽車級 5V/5V、1.5W 5kVrms 隔離式 DC-DC 電源模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊

UCC33421-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 DC/DC 電源模塊,采用集成變壓器技術(shù),旨在提供 1.5W 的隔離輸出功率。它可以支持 4.5V 至 5.5V 的輸入電壓工作范圍,并調(diào)節(jié) 5.0V 輸出電壓,可選裕量為 5.5V。...

2025-04-16 標(biāo)簽:封裝電源模塊輸入電壓變壓器 1341

鎵創(chuàng)晶合:從GaN材料到器件研發(fā),打造三大應(yīng)用競爭力

氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)從消費電子的快充向工業(yè)級功率領(lǐng)域滲透,這給了國內(nèi)廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上,鎵創(chuàng)晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪,分享公司氮化鎵產(chǎn)品和市場近況以...

2025-04-16 標(biāo)簽:GaN 1886

TPSM82843 275nA IQ、0.4V 至 3.6V 可選 VOUT、600mA 降壓轉(zhuǎn)換器模塊技術(shù)手冊

TPSM82843 275nA IQ、0.4V 至 3.6V 可選 VOUT、600mA 降壓轉(zhuǎn)換器模塊技術(shù)手冊

高效 TPSM82843x 降壓轉(zhuǎn)換器系列支持 275nA 的超低 IQ(典型工作靜態(tài)電流)和僅 4nA 的典型關(guān)斷電流。該電感器集成到 QFN 封裝中,提高了易用性,并將物料清單減少到只有三個無源元件。...

2025-04-16 標(biāo)簽:電流封裝降壓轉(zhuǎn)換器靜態(tài)電流無源元件 976

TPSM82866C 5.5V 輸入、6A 降壓電源模塊,帶集成電感器和 I2C 接口,采用 QFN 封裝技術(shù)手冊

TPSM82866C 5.5V 輸入、6A 降壓電源模塊,帶集成電感器和 I2C 接口,采用 QFN 封裝技

TPSM8286xx 器件系列包括 4A 和 6A 降壓轉(zhuǎn)換器電源模塊,專為實現(xiàn)小設(shè)計尺寸和高效率而設(shè)計。這些電源模塊使用 TI 的 MagPack 技術(shù)集成同步降壓轉(zhuǎn)換器和電感器,以簡化設(shè)計、減少外部元件并節(jié)省...

2025-04-16 標(biāo)簽:電感器輸出電壓電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器PCB 948

UCC33411-Q1 帶集成變壓器的汽車類 5V/3.3V、1W、5kVrms 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊

UCC33411-Q1 帶集成變壓器的汽車類 5V/3.3V、1W、5kVrms 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊

UCC33411-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 DC/DC 電源模塊,采用集成變壓器技術(shù),旨在提供 1.0W 的隔離輸出功率。它可以支持 4.5V 至 5.5V 的輸入電壓工作范圍,并以 3.7V 的可選裕量調(diào)節(jié) 3.3V 輸出電壓。 ...

2025-04-16 標(biāo)簽:emi電源模塊輸出功率輸入電壓變壓器 935

TPSM84338 3.8V 至 28V 輸入、3A、200kHz-2.2MHz 同步降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊

TPSM84338 3.8V 至 28V 輸入、3A、200kHz-2.2MHz 同步降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊

TPSM84338 是一款高效率、高電壓輸入、易于使用的同步降壓電源模塊,具有很高的設(shè)計靈活性。該 TPSM84338 具有 3.8V 至 28V 的寬工作輸入電壓范圍,專為由 5V、12V、19V、24V 電源總線軌供電的系統(tǒng)而...

2025-04-16 標(biāo)簽:電源模塊輸入電壓開關(guān)頻率電源總線 1372

TPSM81033 5.5V、2A、2.4MHz 同步升壓電源模塊,采用 MagPack? 封裝技術(shù)和電源良好數(shù)據(jù)手冊

TPSM81033 5.5V、2A、2.4MHz 同步升壓電源模塊,采用 MagPack? 封裝技術(shù)和電源良好數(shù)

TPSM81033 是一個同步升壓模塊。該設(shè)備為由電池和其他電源供電的便攜式設(shè)備和智能設(shè)備提供電源解決方案。TPSM81033具有 2A(典型值)谷值開關(guān)電流限制。該電源模塊使用 TI 的 MagPack 封裝技術(shù)集...

2025-04-16 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器電源供電短路保護智能設(shè)備升壓模塊 1159

電機驅(qū)動電源芯片U6205DC的工作模式

芯片的?DCM(斷續(xù)導(dǎo)通)模式在電機待機或低速運行時,可降低功耗,減少發(fā)熱;?CCM(連續(xù)導(dǎo)通)模式在電機啟動或者高負(fù)載時,提供穩(wěn)定電流,避免電壓波動導(dǎo)致的扭矩不足或失控。電機驅(qū)...

2025-04-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電機驅(qū)動電源芯片 1007

UCC33420-Q1 汽車級 5V/5V 1.5W 3kVrms 隔離式 DC-DC 模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊

UCC33420-Q1 汽車級 5V/5V 1.5W 3kVrms 隔離式 DC-DC 模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊

UCC33420-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 DC/DC 電源模塊,采用集成變壓器技術(shù),旨在提供 1.5W 的隔離輸出功率。它可以支持 4.5V 至 5.5V 的輸入電壓工作范圍,并調(diào)節(jié) 5.0V 輸出電壓,可選裕量為 5.5V。...

2025-04-16 標(biāo)簽:電源模塊引腳輸入電壓短路保護變壓器 1182

UCC33020-Q1 汽車級 3V 至 5.5V/5V、1W 3kVrms DC-DC 隔離式電源模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊

UCC33020-Q1 汽車級 3V 至 5.5V/5V、1W 3kVrms DC-DC 隔離式電源模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)

UCC33020-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 DC/DC 電源模塊,采用集成變壓器技術(shù),旨在提供 1.0W 的隔離輸出功率。它可以支持 3.0V 至 5.5V 的輸入電壓工作范圍,并以 5.5V 的可選裕量調(diào)節(jié) 5.0V 輸出電壓。...

2025-04-16 標(biāo)簽:負(fù)載電流封裝電源模塊輸入電壓變壓器 960

UCC33420 5V/5V 1.5W 3kVrms 隔離式 DC-DC 模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊

UCC33420 5V/5V 1.5W 3kVrms 隔離式 DC-DC 模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊

UCC33420 是一款工業(yè) DC/DC 電源模塊,采用集成變壓器技術(shù),旨在提供 1.5W 的隔離輸出功率。它可以支持 4.5V 至 5.5V 的輸入電壓工作范圍,并調(diào)節(jié) 5.0V 輸出電壓,可選裕量為 5.5V。...

2025-04-16 標(biāo)簽:負(fù)載電流封裝電源模塊輸入電壓變壓器 1241

TPSM843321 3.8V 至 18V 輸入、3A、200kHz 至 2.2MHz 同步降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊

TPSM843321 3.8V 至 18V 輸入、3A、200kHz 至 2.2MHz 同步降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊

TPSM843321 是一款高效率、高功率密度、易于使用的同步降壓電源模塊,具有很高的設(shè)計靈活性。該 TPSM843321 的工作輸入電壓范圍為 3.8V 至 18V,專為由 5V、12V 電源總線供電的系統(tǒng)而設(shè)計。該器件...

2025-04-16 標(biāo)簽:總線電源模塊輸入電壓輸出電流PCB 1035

兆易創(chuàng)新亮相2025慕尼黑上海電子展

今日,兆易創(chuàng)新攜90余款產(chǎn)品及解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展。本次展品陣容涵蓋存儲器、微控制器、傳感器、模擬芯片等全系產(chǎn)品線,深度覆蓋數(shù)字能源、工業(yè)、汽車、消費電子以及物聯(lián)...

2025-04-16 標(biāo)簽:微控制器mcu慕尼黑上海電子展兆易創(chuàng)新 1662

TPSM8287B30 6V 30A 可并聯(lián)同步 DC/DC 降壓模塊,帶 I2C、遠(yuǎn)程感應(yīng)和 MagPack? 封裝數(shù)據(jù)手冊

TPSM8287B30 6V 30A 可并聯(lián)同步 DC/DC 降壓模塊,帶 I2C、遠(yuǎn)程感應(yīng)和 MagPack? 封裝數(shù)據(jù)

TPSM8287Bxx 是具有差分遠(yuǎn)程感應(yīng)和 I2C 接口的引腳對引腳降壓直流/直流電源模塊系列。這些電源模塊使用 TI 的 MagPack 技術(shù)集成同步降壓轉(zhuǎn)換器、電感器、輸入和輸出電容器,以簡化設(shè)計、減少外...

2025-04-16 標(biāo)簽:電容器接口降壓轉(zhuǎn)換器引腳PCB 899

CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護技術(shù)手冊

CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保

這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減小占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET,同時顯著減小基底面尺寸。...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET充電器封裝ESD保護電荷 865

CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件:CSD17581Q3A 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 Q g 和 Q GD 低 R DS(開) 低熱阻 雪崩評...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET封裝導(dǎo)通電阻NexFET 1072

CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護數(shù)據(jù)手冊

CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護

這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET,同時顯著減小基底面尺寸。...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET封裝ESD保護移動設(shè)備 911

CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護技術(shù)手冊

CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護

這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET,同時大幅減小基底面尺寸。...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET封裝電荷MOSFET封裝柵極電荷電荷 916

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 R DS(開啟) Low-Thermal Resistance 雪崩評級...

2025-04-16 標(biāo)簽:二極管MOSFET電荷邏輯電平NexFET 1036

一文讀懂科士達(dá)光儲充一體化解決方案

一文讀懂科士達(dá)光儲充一體化解決方案

近年來,隨著全球電動汽車(EV)保有量的持續(xù)增加,充電基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)壓力日益凸顯。傳統(tǒng)充電站依賴電網(wǎng)供電,面臨用電高峰期電力緊張、擴容成本高、新能源消納能力不足等問題。在此...

2025-04-16 標(biāo)簽:電網(wǎng)光儲存一體化光儲存電網(wǎng) 1743

CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊

CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊

這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:csd18511q5a.pdf 特性 低 R DS(開啟) 低熱阻 雪崩評級 邏輯電平 無鉛端子電鍍 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 無...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻邏輯電平柵極電荷NexFET 954

CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件:CSD18543Q3A 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 超低 Q g 和 Q GD 低 R DS(開) Low-Th...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET封裝導(dǎo)通電阻NexFET 1145

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18512Q5B 40 V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表 .pdf 特性 低 R DS(開啟) 低熱阻 雪崩評級 邏輯...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET電機控制導(dǎo)通電阻邏輯電平NexFET 1203

CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET,單 TO-220,1.7mOhm數(shù)據(jù)手冊

CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET,單 TO-220,1.7mOhm數(shù)據(jù)手冊

這款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18510KCS 40V N 溝道 NexFETTM 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 Qg 和 Qgd 低 RDS(ON) 低熱阻 雪崩評級 無鉛...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET直流電機DC轉(zhuǎn)換器NexFET 1082

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 R DS(開啟) Low-Thermal Resistance 雪崩評級...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET封裝導(dǎo)通電阻MOSFET導(dǎo)通電阻封裝電平驅(qū)動 939

行業(yè)首創(chuàng)20kV耐壓繼電器為高壓開關(guān)樹立新標(biāo)桿

行業(yè)首創(chuàng)20kV耐壓繼電器為高壓開關(guān)樹立新標(biāo)桿

Pickering通過擴展其廣受歡迎的63系列舌簧繼電器產(chǎn)品線,將開關(guān)觸點間的耐壓能力提升至20kV,從而樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿。 ? 2025年4月,英國克拉克頓濱海:高性能舌簧繼電器領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者...

2025-04-16 標(biāo)簽:繼電器高壓開關(guān) 936

CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊

CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設(shè)計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導(dǎo)通電阻,可最大限度地減少損耗,并為空間受限的應(yīng)用提供低元件數(shù)...

2025-04-16 標(biāo)簽:電池保護usb導(dǎo)通電阻元件type-c 1195

CSD88584Q5DC 40V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

CSD88584Q5DC 40V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

CSD88584Q5DC 40V 電源塊是針對大電流電機控制應(yīng)用(如手持式、無繩花園和電動工具)的優(yōu)化設(shè)計。該器件采用 TI 的專利堆疊芯片技術(shù),以最大限度地減少寄生電感,同時在節(jié)省空間的熱增強型...

2025-04-16 標(biāo)簽:電源MOSFET電機控制電感散熱器 1032

CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊

CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極E

這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導(dǎo)通電阻、小尺寸和扁平外形使該器件成為電池供電空間受限應(yīng)...

2025-04-16 標(biāo)簽:ESD導(dǎo)通電阻電池供電柵極電荷 847

2025創(chuàng)新儲能技術(shù)論壇:芯片方案向智能化、長時化演進(jìn)

2025創(chuàng)新儲能技術(shù)論壇:芯片方案向智能化、長時化演進(jìn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道,在全球能源結(jié)構(gòu)加速轉(zhuǎn)型的背景下,儲能技術(shù)正從支撐性配角躍升為新型電力系統(tǒng)的核心引擎。2025年4月15日,由電子發(fā)燒友網(wǎng)和慕尼黑上海電子展聯(lián)合舉辦的2025創(chuàng)新儲能技...

2025-04-16 標(biāo)簽:儲能 1156

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題

赤城县| 云安县| 定州市| 垫江县| 洞口县| 乾安县| 石泉县| 波密县| 岳阳县| 荔浦县| 丰镇市| 香河县| 龙泉市| 农安县| 新竹县| 海南省| 邛崃市| 蛟河市| 布拖县| 临汾市| 长宁县| 莲花县| 楚雄市| 滕州市| 简阳市| 台中市| 含山县| 龙门县| 襄汾县| 武安市| 临泉县| 邵阳市| 东辽县| 微山县| 大余县| 城口县| 崇义县| 福海县| 登封市| 新平| 鹤山市|