1. AMD砸6.65億美元收購芬蘭初創(chuàng)公司Silo AI,與英偉達競爭
?
根據英國業(yè)界周三(7月10日)消息,AMD將以6.65億美元收購芬蘭人工智能(AI)初創(chuàng)公司Silo AI,意圖尋求擴大其AI服務,以與市場領導者英偉達競爭。
?
AMD 表示,Silo AI的300名成員將使用其軟件工具建構定制大型語言模型(LLM),這筆全現(xiàn)金收購預料將在今年下半年完成,不過仍須獲得監(jiān)管機構批準。AMD人工智能事業(yè)群資深副總裁Vamsi Boppana表示,該筆交易既有助于公司加快與客戶的接觸與布署,也有助加速自家AI技術。
?
2. 三星、SK海力士探索激光解鍵合技術 或用于HBM4
?
據韓媒報道,三星電子和SK海力士已經開始進行高帶寬存儲器(HBM)晶圓的工藝技術轉換,這一轉換以防止晶圓翹曲的新技術引入為核心,被認為是針對下一代HBM。預計隨著工藝轉換,材料和設備供應鏈也將發(fā)生變化。
?
據悉三星電子和SK海力士,最近正在與合作伙伴一起開發(fā)將HBM用晶圓剝離(解鍵合)工藝改為激光方法。晶圓解鍵合是在工藝中將變薄的晶圓從臨時載片上分離出來的工作。半導體制造過程中,主晶圓和載體晶圓是通過粘合劑粘在一起的,然后用刀片剝離,因此被稱為機械解鍵合。
?
3. 夏普攜手Aoi將三重工廠將轉為先進封裝產線,生產FOLP產品
?
鴻海旗下子公司夏普公司(Sharp Corporation)宣布,與日本電子元件制造商Aoi Electronics達成合作協(xié)議,將在夏普位于三重縣的液晶面板工廠內引入先進的半導體封裝生產線,用于生產Aoi的Fan-out Laminate Package(FOLP)產品。
?
Aoi Electronics、夏普以及Sharp Display Technology已于今日簽署了基本合作協(xié)議。根據協(xié)議,Aoi Electronics將利用夏普三重工廠的現(xiàn)有廠房和設施,建立半導體后段制程生產線。預計該生產線將在2024年內建成,并計劃于2026年全面投產,屆時月產能將達到2萬片。
?
4. 三星電子工會計劃“無限期”罷工,將中斷芯片生產
?
三星電子全國工會表示,準備將正在進行的罷工“無限期”延長,此舉可能會影響全球最大存儲制造商廠商的芯片生產。三星工會在其網站上發(fā)表聲明稱,在“確認管理層無意進行對話”后,工會宣布總罷工。
?
工會呼吁總罷工,這急速加劇了與三星的爭端。7月8日,數千名工人在首爾南部的三星芯片制造廠外集會,開始了最初為期三天的罷工,要求三星提高工資,并履行帶薪休假承諾,此外需賠償因罷工造成的工資損失。這是三星集團半個世紀以來規(guī)模最大的有組織勞工行動。工會最新聲明表示,“我們已經明確確定中斷生產線,三星公司將對這一決定感到遺憾,我們認為管理層最終會讓步,坐上談判桌?!?br />
?
5. 機構:中國面板廠商主導大尺寸LCD電視市場,份額逾70%
?
據研究機構Omdia報告,目前中國面板制造商正領導全球大尺寸電視LCD(液晶)面板市場,包括京東方、TCL華星光電、HKC等正成為這一市場的主導者。這些公司占據65/75/85英寸液晶電視市場70%~85%份額,在超大尺寸(90~115英寸)液晶電視市場中,幾乎占據100%份額。
?
從2024年1月至5月,TCL、海信等中國電視品牌,在面板采購市場的份額擴大至28%,這些品牌率先采用超大尺寸面板(98~115英寸)的戰(zhàn)略引人注目。這一戰(zhàn)略不僅幫助面板制造商有效利用產能,還支持中國電視品牌成為全球超大尺寸液晶電視市場的全球領導者。
?
6. 小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相:尺寸超 5 米,號稱“開啟智駕新時代”
?
小鵬汽車董事長何小鵬官宣,將推一款小鵬 P7+ 全新車型。該車尺寸超 5 米,號稱“技術 +”。何小鵬還稱,小鵬 P7+ 的使命是“開啟智駕新時代”。
?
?
按照官方此前的財報電話會議內容,這款小鵬 P7+ 預計就是四季度將推出的新型 B 級全電動轎車,也是首款實現(xiàn)技術成本降低 25% 目標的車型。根據此前爆料,該車內部代號 F57,將不會使用任何激光雷達,而是首次轉向類似于特斯拉 FSD 的純視覺智駕解決方案。
?
今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相
- SK海力士(41198)
- HBM(15756)
- 三星(33892)
相關推薦
熱點推薦
SK海力士CES展即將亮相兩款128層4D NAND新品
最新消息,SK海力士將在2020年消費電子展(CES)上推出兩款消費類PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是,新款SSD將首次搭載SK海力士128層
2019-12-30 15:57:39
4178
4178三星/SK海力士將大規(guī)模投資研發(fā)
為突破半導體市場的不景氣,三星電子(Samsung Electronics)致力升級微細制程技術;SK海力士(SK Hynix)則準備以史上最大規(guī)模的投資計劃應戰(zhàn)。
2016-01-26 08:19:58
849
849三星SK海力士引領韓國半導體產業(yè)營利破256億美元
據海外媒體報道,由三星電子及SK海力士領導的韓國半導體產業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關紀錄。
2017-01-24 09:12:34
987
987三星和SK海力士都已實現(xiàn),EUV DRAM 的壓力來到美光這邊?
。 ? 圖源:SK海力士官網 ? SK海力士將這一進展定義為:意義非凡。 ? 激進的三星和SK海力士 在談論EUV DRAM是否非凡之前,我們先了解一些關聯(lián)技術。從原理上說,光刻技術就是利用光化學反應原理和化學、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術。近半個多世紀,半導
2021-07-13 06:36:58
3394
3394
SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:47
2155
2155
今日看點丨消息稱 MIUI 14 是 MIUI 最后一個正式大版本;韓國:三星、SK 海力士中國工廠獲得美國無限期許可
芯片設備的豁免期限。也就是說,在無需單獨批準的情況下,三星電子和 SK 海力士可以任意向中國工廠供應含美國技術的半導體設備。 ? 韓聯(lián)社表示,美國商務部正在更新其“經過驗證的最終用戶”名單,以確定哪些實體可以獲得特定技術的出口。一旦
2023-10-10 10:59:13
1480
1480
追趕SK海力士,三星、美光搶進HBM3E
五代產品。對于HBM3E,SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品,2024年開始量產。8層堆疊,容量達24GB,帶寬為1.15TB/s。 ? 近日,三星電子也更新了HBM3E的進展。據韓媒報道
2023-10-25 18:25:24
4378
4378
今日看點丨英特爾酷睿 Ultra 移動處理器發(fā)布:采用 Intel 4 工藝;極氪汽車發(fā)布首款自研“金磚”電池
努力推動人工智能半導體的本地生產,近日有業(yè)內消息稱三星、SK海力士正在商討在美國生產HBM。 ? SK海力士于2022年7月宣布將投資150億美元在美國建立存儲芯片封裝工廠和研發(fā)中心,不過選址至今尚未確定。業(yè)界預計,SK海力士將選擇生產HBM芯片,并優(yōu)先實施TSV硅
2023-12-15 11:14:45
1279
1279特斯拉欲將HBM4用于自動駕駛,內存大廠加速HBM4進程
電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)近日據韓媒報道,特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向,并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲采購通用HBM4芯片,是為了強化超級電腦
2024-11-28 00:22:00
3283
3283混合鍵合技術將最早用于HBM4E
客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度?;旌?b class="flag-6" style="color: red">鍵合就是可以滿足此類需求的技術。 ? 混合鍵合技術預計不僅可應用于HBM,還可應用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩(音譯)表示,“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域,
2025-04-17 00:05:00
1060
1060傳三星 HBM4 通過英偉達認證,量產在即
開始實現(xiàn)大規(guī)模生產。這一進展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價,傳聞向英偉達提供比SK海力士低20%至30%的報價,三星不得不通過激進定價策略來提升市場競爭力。 ? 近日消息,S
2025-08-23 00:28:00
7166
7166全球首款HBM4量產:2.5TB/s帶寬超越JEDEC標準,AI存儲邁入新紀元
電子發(fā)燒友網報道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲器(HBM4)的開發(fā),并同步進入量產階段,成為首家向英偉達等核心客戶交付 HBM4 的存儲廠商。 ? 據悉,SK
2025-09-17 09:29:08
5968
5968三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線
的商機仍然暢旺,在供給端僅有三星、SK海力士、美光,加上新技術量產困難,在這些現(xiàn)實下,2019年對存儲器廠商而言仍會是個豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量,可能是第二代10nm等級的DRAM技術
2018-12-25 14:31:36
DRAM技術或迎大轉彎,三星、海力士擱置擴產項目
。根本原因不在三星、SK宣稱的市場因素,目前DRAM市場價格并不差,反倒是NAND的價格還在持續(xù)滑落中。擴大價格低落的產品線,不是拿石頭砸自己的腳嗎?同時也不是媒體所猜測的國內DRAM產能陸續(xù)釋放,國內
2018-10-12 14:46:09
【十德盛科技】主營各類memory芯片,鎂光 三星 海力士 存儲芯片 庫存充足
公司店鋪鏈接https://shenzlu.cn.china.cn/?from=tui 公司QQ1784094773主要熱門現(xiàn)貨有 鎂光 三星 海力士 各類存儲芯片 歡迎廣大終端客戶前來咨詢問價
2019-01-10 14:40:29
專業(yè)回收海力士HYNIX字庫 收購海力士字庫
! 帝歐 字庫收購,價格高才是硬道理!!】】回收字庫,回收手機字庫,回收三星字庫,回收現(xiàn)代字庫,回收海力士字庫,回收鎂光字庫,回收東芝字庫,回收電子,回收芯片,回收IC,回收電子料,回收MTK芯片全新
2021-04-27 16:10:09
回收三星ic 收購三星ic
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片:三星samsung,海力士SK hynix,現(xiàn)代hyniy,展訊SPREADTRUM,微芯MICROCHIP,閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
高價回收海力士內存
高價回收海力士內存深圳高價收購海力士內存,回收8G內存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士 三星字庫
2020-11-20 16:59:46
高價回收海力士內存
高價回收海力士內存深圳高價收購海力士內存,回收8G內存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士 三星字庫
2021-03-13 17:46:31
高價回收海力士內存
高價回收海力士內存深圳高價收購海力士內存,回收8G內存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士 三星字庫
2021-07-02 19:07:56
高價回收海力士內存 深圳高價收購海力士內存
高價回收海力士內存深圳高價收購海力士內存,回收8G內存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士 三星字庫
2021-04-13 18:51:47
高價回收海力士內存,長期收購海力士內存
,鎂光,南亞,爾必達,華邦,三星samsung,海力士SK hynix,現(xiàn)代hyniy,飛索 Spansion芯片,展訊SPREADTRUM,愛特梅爾ATMEL,英特爾intel等系列芯片...長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
2021-08-02 17:44:42
高價回收海力士字庫
三星字庫KMI8U000MA-B605 H9TP17ABJDAC ,回收海力士原裝字庫 ,回收H9DA1GH25HAMMR-4EM ,回收海力士4GB字庫 H9TP32A8JDMC
2021-01-29 17:52:55
三星存儲業(yè)務派狼將金奇南對戰(zhàn)SK海力士 SK海力士如臨大敵
三星的金奇南猶如一名狼將,金奇南的狼性展現(xiàn)在他的投資企圖上,是一名難得的競爭對手。對于金奇南出任存儲業(yè)務的CEO時,SK海力士如臨大敵般的恐慌。
2017-12-25 13:03:48
1029
10292018年用繪圖DRAM市場銷量上揚 三星與SK海力士相繼推出HBM2
據市場分析,GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚,三星、SK海力士相繼量產HBM2,價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:53
1952
1952三星攜手SK 海力士研發(fā)業(yè)界首見的EMI屏蔽技術
封測廠當心!韓國存儲器大廠三星電子和 SK 海力士,研發(fā)業(yè)界首見的涂布式(Spray)的“電磁波屏蔽”(EMI shielding)技術,打算自行吃下此一封裝程序,省下外包費用。
2018-05-22 07:18:00
1985
198510納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星
)制程DRAM,目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制程研發(fā)速度,追趕三星,預 ... 10納米級DRAM先進制程競爭
2018-11-12 18:04:02
533
533三星、SK海力士準備向中國采購原材料 化解目前危機
為了化解危機,三星電子、SK海力士準備向中國大陸及中國臺灣采購更多材料。另外,韓國企業(yè)還會去日本之外的國家尋找?guī)齑娑嘤嗟钠髽I(yè),向它們采購。
2019-07-11 14:46:12
3712
3712行業(yè) | 三星電子和SK海力士完成對本土氟化氫測試,已投入DRAM生產
7月15日業(yè)界資訊,三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試,近日已投入到DRAM生產。
2019-07-17 10:03:30
3501
3501DRAM價格上漲,三星和SK海力士營收或改善
本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:54
3205
3205禁令影響 三星電子和SK海力士將在9月15日停止向華為出售芯片
軟件技術的產品。 正如外媒分析的那樣,禁令對三星、SK海力士的傷害并不亞于華為,以SK海力士為例,其上半年133億美元的營收中,4成都來自對華為的出口。 有報道跟進表示,事實上三星和SK海力士已經向美方提交申請,希望允許在15日后繼續(xù)向
2020-09-11 15:54:17
18654
18654三星和 SK 海力士將停止向華為出售零部件
隨著特朗普政府加強對華為的制裁,三星和 SK 海力士將停止向華為出售零部件。華為真正的危機,來了! 三星、SK 海力士將斷供華為 近日,根據朝鮮日報和其他韓國新聞媒體的報道,三星和 SK 海力士
2020-09-15 16:41:40
2822
2822斷供華為 三星、SK海力士:我也不想啊
發(fā)布當天(8月17日),三星、SK海力士等韓企就已停止生產向華為供應的半導體。響應如此迅速,難道斷供華為也是韓企的愿望嗎? 斷供華為,三星、SK海力士:我也不想啊 此番斷供,三星、SK海力士等韓企也是迫不得已。 華為此前公布,
2020-09-17 15:15:13
2811
2811三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產品
目前,三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產品。據報道,SK海力士大約有10%的銷售額來自華為,而華為同樣是三星重要的客戶之一。
2020-09-23 10:20:34
2432
2432淺析三星與SK海力士的半導體之戰(zhàn)
韓國半導體已經在全球半導體產業(yè)鏈當中占據了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年(1H20)全球十大半導體銷售排名中,韓國廠商就占了兩個名額,分別是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。
2020-11-19 15:53:50
10094
10094芯片行業(yè)需求好轉,三星電子和SK海力士股價上漲
11月23日消息,據國外媒體報道,受三星電子和SK海力士上漲拉動,韓國股市周一收盤創(chuàng)新高。
2020-11-23 16:26:37
2512
2512三星電子和SK海力士擴大招聘以應對芯片需求激增
在半導體芯片短缺的情況下,兩家韓國半導體巨頭(三星電子和SK海力士)正在積極尋求發(fā)展,他們正在擴大招聘以應對芯片的需求不斷增加。在負責監(jiān)督半導體業(yè)務的設備解決方案部門中,三星正在招聘經驗豐富的工程師
2021-02-19 15:42:49
2101
2101三星和SK海力士重組 存儲芯片寒冬何時休
三星電子和 SK 海力士已經重組,以應對半導體行業(yè)的低迷。他們正在尋求突破復雜的全球危機,其中包括銷售因經濟低迷而下降。
2022-12-20 14:35:59
1183
1183HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產
據業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導體企業(yè)正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02
1508
1508三星SK海力士加碼半導體設備投資與產量,以緩解行業(yè)壓力
12月18日,傳聞三星及SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設備的投入,如三星電子預計投注27萬億韓元,SK海力士則計劃注入5.3萬億韓元,增幅分別達25%與100%。
2023-12-19 09:20:35
974
974傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備
數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22
1580
1580三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進“超級集群”計劃
三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進“超級集群”計劃。
2024-01-23 11:35:48
1199
1199三星加大投資提升HBM產能,與SK海力士競爭加劇
近日,據報道,三星電子正計劃大規(guī)模擴大其HBM(高帶寬內存)產能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:09
1210
1210OpenAI首席執(zhí)行官會見三星和SK海力士高管
近日,OpenAI的首席執(zhí)行官Sam Altman前往韓國,與三星電子和SK海力士的高管進行了會面。據報道,這次會面的主要議題是探討建立一個AI半導體聯(lián)盟以及投資機會的可能性。
2024-01-30 18:23:46
1550
1550SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00
1306
1306三星追趕AI芯片競賽,計劃采用海力士制造技術
三星必須采取一些措施來提高其HBM產量......采用MUF技術對三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術。
2024-03-14 11:00:14
1518
1518三星否認MR-RUF方式用于HBM內存生產
實現(xiàn)HBM的關鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種鍵合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充間隙;后者則為熱壓粘連NCF(非導電薄膜)至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:21
1394
1394英偉達對三星HBM3E進行測試,海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅
現(xiàn)如今,SK海力士為英偉達AI半導體提供主要HBM產品,同時自去年起,美光公司也加入了該供應陣營。據悉,相比其他競爭對手,三星電子在HBM授權上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:23
1383
1383剛剛!SK海力士出局!
在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08
1225
1225三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內存
慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:05
1044
1044SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領下一代DRAM創(chuàng)新
SK海力士表示,憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎,該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源,SK海力士將進一步提升存儲器產品性能,實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:04
1153
1153SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預計2026年投產
自 HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07
1374
1374SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標2026年投產HBM4
4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄(MOU),推進 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術,目標在 2026 年投產 HBM4。 根據雙方簽署的諒解備忘錄,兩家公司初期目標是改善
2024-04-20 08:36:51
492
492SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片
HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協(xié)議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19
1392
1392SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協(xié)議,原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21
1338
1338SK海力士明年HBM產能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39
927
927SK海力士加速HBM4E內存研發(fā),預計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09
978
978三星電子與SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產能售罄
全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52
983
983SK海力士提前一年量產HBM4E第七代高帶寬存儲器
據業(yè)內人士預計,HBM4E的堆疊層數將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產16層的HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現(xiàn)更高的堆疊層數。
2024-05-15 09:45:35
1030
1030SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13
1484
1484三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注
業(yè)內評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:20
1863
1863臺積電在歐洲技術研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝
目前,我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎Dies在滿足HBM性能需求的同時,具有顯著的成本優(yōu)勢;而N5基礎Dies則可在較低功耗條件下實現(xiàn)HBM4的預期速度。
2024-05-17 10:07:08
1432
1432三星和SK海力士下半年停產DDR3內存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產并供應DDR3內存,轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業(yè)的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:21
1563
1563SK海力士HBM技術再創(chuàng)新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27
1061
1061SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22
1511
1511三星與海力士引領DRAM革新:新一代HBM采用混合鍵合技術
在科技日新月異的今天,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)作為計算機系統(tǒng)中的關鍵組件,其技術革新一直備受矚目。近日,據業(yè)界權威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:36
1486
1486臺積電攜手創(chuàng)意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單
在全球半導體市場的激烈競爭中,臺積電再次憑借其卓越的技術實力和創(chuàng)新能力,攜手旗下子公司創(chuàng)意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片領域的重大
2024-06-25 10:13:12
1230
1230ASMPT與美光攜手開發(fā)下一代HBM4鍵合設備
在半導體制造技術的持續(xù)演進中,韓國后端設備制造商ASMPT與全球知名的內存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據悉,ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內存(HBM)生產的演示熱壓(TC)鍵合機,雙方將攜手開發(fā)下一代鍵合技術,以支持HBM4的生產。
2024-07-01 11:04:15
1932
1932美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰(zhàn)
雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領軍企業(yè),正嚴陣以待,積極調整策略以應對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:59
1061
1061三星、SK海力士探索激光解鍵合技術
在半導體技術的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器(HBM)晶圓工藝技術的重大革新。據韓媒最新報道,這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM的技術探索之旅,其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技術,這一變革預示著HBM制造領域的新篇章。
2024-07-12 09:29:56
1545
1545英偉達、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產HBM4內存,能效顯著提升
科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中,英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內存(HBM)技術的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內存。這一合作不僅標志著半導體行業(yè)的一次重要聯(lián)手,也為未來數據處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎。
2024-07-15 17:28:05
1574
1574SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術
在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產過程中引入混合鍵合技術,這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破,也預示著全球半導體行業(yè)將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:19
1366
1366SK海力士探索無焊劑鍵合技術,引領HBM4創(chuàng)新生產
在半導體存儲技術的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進一步演進。據最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產品的生產中,這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:47
1889
1889SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內存
在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續(xù)深耕,也預示著HBM內存技術即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:53
1328
1328SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43
1670
1670三星電子加速推進HBM4研發(fā),預計明年底量產
三星電子在半導體技術的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步,據業(yè)界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM4產品的量產做足準備。
2024-08-22 17:19:07
1465
1465三星、SK海力士及美光正全力推進HBM產能擴張計劃
近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存(HBM)的產能擴張計劃。據預測,至2025年,這一領域的新增產量將激增至27.6萬個單位,推動年度總產量翻番至54萬個單位,實現(xiàn)驚人的105%年增長率,標志著HBM產能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:25
1771
1771SK海力士引領未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局
今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產,此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:31
1984
1984SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體
隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務報告,市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預期差距如何進一步拉大。
SK海力士因在高帶寬內存(HBM)領域的強勁表現(xiàn),預計將迎來歷史最佳
2024-10-08 15:58:35
1552
1552韓華精密機械向SK海力士提供HBM設備
韓華精密機械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器(HBM)生產中的核心設備——TC鍵合測試設備。
針對10月16日部分媒體所報道的“韓華精密機械與SK海力士的HBM TC鍵
2024-10-18 15:51:08
1444
1444小鵬P7+引領能耗管理革新,續(xù)航提升顯著
10月30日,在“小鵬P7+三電技術溝通會”上,小鵬汽車動力總成中心負責人顧捷先生分享了小鵬P7+在純電能耗管理方面的卓越表現(xiàn)。他強調,小鵬汽車始終將能耗水平視為檢驗續(xù)航能力的核心標準,拒絕采用簡單的“堆電池”策略,而是致力于通過系統(tǒng)化方案解決能耗難題。
2024-10-30 15:11:24
2017
2017英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇
韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:00
1707
1707英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求
近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內存芯片,這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:48
1202
1202HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新
董事長崔泰源透露,英偉達公司首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出請求,希望其能提前六個月供應最新一代的高帶寬內存芯片——HBM4。
2024-11-05 14:13:03
1482
1482英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器
日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:09
2108
2108SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品
領域的領先地位,更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業(yè)界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術布局
2024-11-05 15:01:20
1231
1231特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片
近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:44
1524
1524特斯拉也在搶購HBM 4
據報道,特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內存芯片原型。據KEDGlobal報道,特斯拉已要求三星和SK海力士供應通用的HBM4芯片。預計
2024-11-22 01:09:32
1508
1508
三星調整1cnm DRAM設計,力保HBM4量產
據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
2025-02-13 16:42:51
1341
1341SK海力士與三星或停用中國EDA軟件
列入貿易限制名單,也對SK海力士的決策產生了影響。業(yè)內普遍預測,SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件,而三星電子也可能緊隨其后,做出類似決定。 若SK海力士與三星電子真的停用中國EDA軟件,它們對美國EDA軟件的依賴程度將顯著增強,這將
2025-02-18 10:51:54
1081
1081SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1667
1667SK海力士宣布量產HBM4芯片,引領AI存儲新變革
HBM4 的開發(fā),并在全球首次構建了量產體系,這一消息猶如一顆重磅炸彈,在半導體行業(yè)乃至整個科技領域激起千層浪。 ? 高帶寬存儲器(HBM)作為一種能夠實現(xiàn)高速、寬帶寬數據傳輸的下一代 DRAM 技術,自誕生以來便備受矚目。其核心結構是將多個 DRAM 芯片通過
2025-09-16 17:31:14
1367
1367HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!
電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產,HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:13
6874
6874
電子發(fā)燒友App




評論