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電子發(fā)燒友網>制造/封裝>今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

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三星存儲業(yè)務派狼將金奇南對戰(zhàn)SK海力士 SK海力士如臨大敵

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行業(yè) | 三星電子和SK海力士完成對本土氟化氫測試,已投入DRAM生產

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DRAM價格上漲,三星SK海力士營收或改善

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禁令影響 三星電子和SK海力士將在9月15日停止向華為出售芯片

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三星SK 海力士將停止向華為出售零部件

隨著特朗普政府加強對華為的制裁,三星SK 海力士將停止向華為出售零部件。華為真正的危機,來了! 三星、SK 海力士將斷供華為 近日,根據朝鮮日報和其他韓國新聞媒體的報道,三星SK 海力士
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三星SK海力士斷供華為,華為大量采購芯片價格大漲15%

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目前,三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產品。據報道,SK海力士大約有10%的銷售額來自華為,而華為同樣是三星重要的客戶之一。
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淺析三星SK海力士的半導體之戰(zhàn)

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內存價格仍在爆降,影響著三星、SK海力士等出貨量

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三星電子和SK海力士擴大招聘以應對芯片需求激增

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三星SK海力士重組 存儲芯片寒冬何時休

三星電子和 SK 海力士已經重組,以應對半導體行業(yè)的低迷。他們正在尋求突破復雜的全球危機,其中包括銷售因經濟低迷而下降。
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HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產

據業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導體企業(yè)正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產基地后,利用清州工廠的閑置空間。
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三星SK海力士加碼半導體設備投資與產量,以緩解行業(yè)壓力

12月18日,傳聞三星SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設備的投入,如三星電子預計投注27萬億韓元,SK海力士則計劃注入5.3萬億韓元,增幅分別達25%與100%。
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三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進“超級集群”計劃

三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進“超級集群”計劃。
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三星加大投資提升HBM產能,與SK海力士競爭加劇

近日,據報道,三星電子正計劃大規(guī)模擴大其HBM(高帶寬內存)產能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
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近日,OpenAI的首席執(zhí)行Sam Altman前往韓國,與三星電子和SK海力士的高管進行了會面。據報道,這次會面的主要議題是探討建立一個AI半導體聯(lián)盟以及投資機會的可能性。
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SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄

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三星追趕AI芯片競賽,計劃采用海力士制造技術

三星必須采取一些措施來提高其HBM產量......采用MUF技術三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術
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三星否認MR-RUF方式用于HBM內存生產

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英偉達對三星HBM3E進行測試,海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅

現(xiàn)如今,SK海力士為英偉達AI半導體提供主要HBM產品,同時自去年起,美光公司也加入了該供應陣營。據悉,相比其他競爭對手,三星電子在HBM授權上大約晚了一年有余。
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剛剛!SK海力士出局!

在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225

三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內存

慶桂顯此行主要推廣三星HBM內存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044

SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示,憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎,該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源,SK海力士將進一步提升存儲器產品性能,實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預計2026年投產

HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374

SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標2026年投產HBM4

4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄(MOU),推進 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術,目標在 2026 年投產 HBM4。 根據雙方簽署的諒解備忘錄,兩家公司初期目標是改善
2024-04-20 08:36:51492

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片

HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協(xié)議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392

SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年

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2024-05-06 15:10:211338

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SK海力士加速HBM4E內存研發(fā),預計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

三星電子與SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983

SK海力士提前一年量產HBM4E第七代高帶寬存儲器

據業(yè)內人士預計,HBM4E的堆疊層數將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產16層的HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合技術以實現(xiàn)更高的堆疊層數。
2024-05-15 09:45:351030

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注

業(yè)內評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863

臺積電在歐洲技術研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前,我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎Dies在滿足HBM性能需求的同時,具有顯著的成本優(yōu)勢;而N5基礎Dies則可在較低功耗條件下實現(xiàn)HBM4的預期速度。
2024-05-17 10:07:081432

三星SK海力士下半年停產DDR3內存

近日,三星SK海力士宣布,將于下半年停止生產并供應DDR3內存,轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業(yè)的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:211563

SK海力士HBM技術再創(chuàng)新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

三星海力士引領DRAM革新:新一代HBM采用混合技術

在科技日新月異的今天,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)作為計算機系統(tǒng)中的關鍵組件,其技術革新一直備受矚目。近日,據業(yè)界權威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486

臺積電攜手創(chuàng)意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單

在全球半導體市場的激烈競爭中,臺積電再次憑借其卓越的技術實力和創(chuàng)新能力,攜手旗下子公司創(chuàng)意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片領域的重大
2024-06-25 10:13:121230

ASMPT與美光攜手開發(fā)下一代HBM4設備

在半導體制造技術的持續(xù)演進中,韓國后端設備制造商ASMPT與全球知名的內存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據悉,ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內存(HBM)生產的演示熱壓(TC)機,雙方將攜手開發(fā)下一代技術,以支持HBM4的生產。
2024-07-01 11:04:151932

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰(zhàn)

雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領軍企業(yè),正嚴陣以待,積極調整策略以應對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061

三星、SK海力士探索激光解技術

在半導體技術的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器(HBM)晶圓工藝技術的重大革新。據韓媒最新報道,這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM技術探索之旅,其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技術,這一變革預示著HBM制造領域的新篇章。
2024-07-12 09:29:561545

英偉達、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產HBM4內存,能效顯著提升

科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中,英偉達、臺積電與SK海力士大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內存(HBM技術的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內存。這一合作不僅標志著半導體行業(yè)的一次重要聯(lián)手,也為未來數據處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎。
2024-07-15 17:28:051574

SK海力士將在HBM生產中采用混合技術

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產過程中引入混合技術,這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破,也預示著全球半導體行業(yè)將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:191366

SK海力士探索無焊劑技術,引領HBM4創(chuàng)新生產

在半導體存儲技術的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進一步演進。據最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑工藝引入其下一代HBM4產品的生產中,這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889

SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內存

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續(xù)深耕,也預示著HBM內存技術即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531328

SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

三星電子加速推進HBM4研發(fā),預計明年底量產

三星電子在半導體技術的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步,據業(yè)界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM4產品的量產做足準備。
2024-08-22 17:19:071465

三星SK海力士及美光正全力推進HBM產能擴張計劃

近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存(HBM)的產能擴張計劃。據預測,至2025年,這一領域的新增產量將激增至27.6萬個單位,推動年度總產量翻番至54萬個單位,實現(xiàn)驚人的105%年增長率,標志著HBM產能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:251771

SK海力士引領未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局

今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產,此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311984

SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體

隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第季度初步財務報告,市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預期差距如何進一步拉大。   SK海力士因在高帶寬內存(HBM)領域的強勁表現(xiàn),預計將迎來歷史最佳
2024-10-08 15:58:351552

韓華精密機械向SK海力士提供HBM設備

 韓華精密機械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器(HBM)生產中的核心設備——TC測試設備。   針對10月16日部分媒體所報道的“韓華精密機械與SK海力士HBM TC
2024-10-18 15:51:081444

三星SK海力士市值份額差距縮至13年最小

韓國交易所近日發(fā)布的數據顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經縮小至近13年來的最低水平。
2024-10-28 15:44:591992

P7+引領能耗管理革新,續(xù)航提升顯著

10月30日,在“小P7+技術溝通會”上,小汽車動力總成中心負責人顧捷先生分享了小P7+在純電能耗管理方面的卓越表現(xiàn)。他強調,小汽車始終將能耗水平視為檢驗續(xù)航能力的核心標準,拒絕采用簡單的“堆電池”策略,而是致力于通過系統(tǒng)化方案解決能耗難題。
2024-10-30 15:11:242017

英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇

韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執(zhí)行黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707

英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求

近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執(zhí)行黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內存芯片,這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:481202

HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新

董事長崔泰源透露,英偉達公司首席執(zhí)行黃仁勛已向SK海力士提出請求,希望其能提前六個月供應最新一代的高帶寬內存芯片——HBM4。
2024-11-05 14:13:031482

英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品

領域的領先地位,更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業(yè)界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術布局
2024-11-05 15:01:201231

特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片

近日,SK海力士三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:441524

特斯拉也在搶購HBM 4

據報道,特斯拉已要求三星SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內存芯片原型。據KEDGlobal報道,特斯拉已要求三星SK海力士供應通用的HBM4芯片。預計
2024-11-22 01:09:321508

三星調整1cnm DRAM設計,力保HBM4量產

據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
2025-02-13 16:42:511341

SK海力士三星或停用中國EDA軟件

列入貿易限制名單,也對SK海力士的決策產生了影響。業(yè)內普遍預測,SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件,而三星電子也可能緊隨其后,做出類似決定。 若SK海力士三星電子真的停用中國EDA軟件,它們對美國EDA軟件的依賴程度將顯著增強,這將
2025-02-18 10:51:541081

SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

SK海力士宣布量產HBM4芯片,引領AI存儲新變革

HBM4 的開發(fā),并在全球首次構建了量產體系,這一消息猶如一顆重磅炸彈,在半導體行業(yè)乃至整個科技領域激起千層浪。 ? 高帶寬存儲器(HBM)作為一種能夠實現(xiàn)高速、寬帶寬數據傳輸的下一代 DRAM 技術,自誕生以來便備受矚目。其核心結構是將多個 DRAM 芯片通過
2025-09-16 17:31:141367

HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!

電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產,HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:136874

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