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緩沖/存儲技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為緩沖/存儲技術(shù)專區(qū)，有豐富的緩沖/存儲技術(shù)應(yīng)用知識與緩沖/存儲技術(shù)資料，可供緩沖/存儲技術(shù)行業(yè)人群學(xué)習(xí)與交流。

緩沖/存儲技術(shù)

西門子S7-1500存儲卡的選擇和使用

自動化數(shù)據(jù)位于自動化系統(tǒng)的不同存儲區(qū)中。在TIA STEP7 中創(chuàng)建的項目的離線數(shù)據(jù)位于編程設(shè)備的硬盤上。項目的在線數(shù)據(jù)位于 SIMATIC 存儲卡上的裝載存儲器上。裝載存儲器位于 SIMATIC 存儲卡上...

2021-03-15 標(biāo)簽：存儲器西門子 SMC 12377

【紫光同創(chuàng)國產(chǎn)FPGA教程】【第十二章】SD卡音樂播放例程

WAV文件作為多媒體中使用的聲波文件格式之一，它是以RIFF格式為標(biāo)準(zhǔn)的。RIFF是英文Resource Interchange File Format的縮寫，每個WAV文件的頭四個字節(jié)便是“RIFF”，所以本實驗就簡單的以每個扇區(qū)的前...

2021-02-19 標(biāo)簽：FPGA 音頻 SD 開發(fā)板紫光同創(chuàng) 8636

【紫光同創(chuàng)國產(chǎn)FPGA教程】【第十章】DDR3讀寫測試實驗

本實驗為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實驗做鋪墊，通過循環(huán)讀寫DDR3內(nèi)存，了解其工作原理和DDR3控制器的寫法，由于DDR3控制復(fù)雜，控制器的編寫難度高，這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的...

2021-02-05 標(biāo)簽：FPGA DDR3 DDR 內(nèi)存紫光同創(chuàng) 11449

【紫光同創(chuàng)國產(chǎn)FPGA教程】【第八章】SD卡讀寫實驗

SD卡是現(xiàn)在嵌入式設(shè)備重要的存儲模塊，內(nèi)部集成了nand flash控制器，方便了主機的的管理。本實驗主要是練習(xí)對sd卡的扇區(qū)進行讀寫，通常sd卡都有文件系統(tǒng)，可以按照文件名和目錄路徑來讀寫...

2021-02-05 標(biāo)簽：FPGA 嵌入式 SD卡 SPI 紫光同創(chuàng) 9526

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第二十四章PS端SD卡讀寫

FatFs是一個通用的文件系統(tǒng)模塊，用于在小型嵌入式系統(tǒng)中實現(xiàn)FAT文件系統(tǒng)。FatFs的編寫遵循 ANSI C，因此不依賴于硬件平臺。它可以嵌入到便宜的微控制器中，如 8051, PIC, AVR, SH, Z80, H8, ARM等等，...

2021-01-28 標(biāo)簽：FPGA 嵌入式 SD卡 Zynq MPSoC 6596

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第八章FPGA片內(nèi)FIFO讀寫測試實驗

FIFO: First in, First out代表先進的數(shù)據(jù)先出，后進的數(shù)據(jù)后出。Xilinx在VIVADO里為我們已經(jīng)提供了FIFO的IP核, 我們只需通過IP核例化一個FIFO，根據(jù)FIFO的讀寫時序來寫入和讀取FIFO中存儲的數(shù)據(jù)。...

2021-01-22 標(biāo)簽：FPGA Xilinx fifo Zynq MPSoC 6269

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第七章FPGA片內(nèi)ROM測試實驗

既然是ROM，那么我們就必須提前給它準(zhǔn)備好數(shù)據(jù)，然后在FPGA實際運行時，我們直接讀取這些ROM中預(yù)存儲好的數(shù)據(jù)就行。Xilinx FPGA的片內(nèi)ROM支持初始化數(shù)據(jù)配置。如下圖所示，我們可以創(chuàng)建一個名...

2021-01-22 標(biāo)簽：FPGA ROM RAM Zynq MPSoC 5092

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第六章FPGA片內(nèi)RAM讀寫測試實驗

RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實驗將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ揜AM的數(shù)據(jù)讀寫操作。...

2021-01-22 標(biāo)簽：FPGA ROM RAM Zynq MPSoC 6190

鐵電存儲器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

1、鐵電存儲器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性。鐵電晶體的...

2021-01-13 標(biāo)簽：單片機 mcu 存儲器 fram 鐵電存儲器 18656

PureStorage公司可能成為戴爾或聯(lián)想等潛在買家的目標(biāo)

據(jù)外媒Seeking Alpha消息，Betaville上個月曾在PSTG上進行過推測，猜測PureStorage公司可能成為戴爾或聯(lián)想等潛在買家的目標(biāo)之后，Pure Storage股價應(yīng)聲上漲，漲幅5.2%。 ? 關(guān)于PureStorage PureStorage(NYSE:PST...

2021-01-12 標(biāo)簽：戴爾聯(lián)想存儲 5084

可穿戴設(shè)備等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用案例介紹旺宏之低功耗NOR FLASH

物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用旺宏之低功耗NOR FLASH ? 得益于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、5G、智能手機及其周邊（如TWS耳機、可穿戴式設(shè)備）等需求的推動，近一兩年，NOR Flash市場得到了飛速增長。詳細(xì)應(yīng)用如下：汽車...

2021-01-12 標(biāo)簽：FlaSh 5G NOR flash 可穿戴設(shè)備 TWS 2920

華為設(shè)立2021全球數(shù)據(jù)存儲OlympusMons獎

2020年12月31日，在中國東莞2020年全球存儲教授論壇上，來自華為，中國工程院以及國內(nèi)外頂級大學(xué)和研究所的一百多位存儲專家見證了這一消息。華為宣布了2021年OlympusMons獎，并邀請全球科學(xué)...

2021-01-06 標(biāo)簽：華為存儲算法數(shù)字化華為存儲 1650

半導(dǎo)體輪漲得一微電子嵌入式存儲控制芯片漲價50%

受上游晶圓代工產(chǎn)能緊缺問題的持續(xù)影響，自去年四季度以來，很多半導(dǎo)體芯片都出現(xiàn)了一波價格上漲。特別是在去年12月，不少芯片廠商都宣布旗下的產(chǎn)品價格將于1月1日起正式上調(diào)。比如，...

2021-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體嵌入式存儲內(nèi)存內(nèi)存半導(dǎo)體存儲嵌入式得一微電子 1600

中科曙光基于區(qū)塊鏈存儲應(yīng)用的智能高效的專屬存儲系統(tǒng)—區(qū)塊鏈存儲系統(tǒng)Ch

近日，中科曙光在北京發(fā)布了基于區(qū)塊鏈存儲應(yīng)用打造的一款智能高效的專屬存儲系統(tǒng)——區(qū)塊鏈存儲系統(tǒng)ChainStor。ChainStor沿用了曙光多年技術(shù)積累的分布式存儲架構(gòu)，底層核心是基于裸設(shè)備的...

2020-12-31 標(biāo)簽：存儲存儲系統(tǒng)中科曙光區(qū)塊鏈 14927

國產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資

? DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資，內(nèi)存芯片的國產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實控企業(yè)、小米長江產(chǎn)業(yè)基金等機構(gòu)入...

2020-12-25 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存存儲芯片 SK海力士長鑫存儲 6885

閃存可降低MCU系統(tǒng)功耗？

備的設(shè)計越來越多地采用片上嵌入式內(nèi)存容量有限的微控制器，或者干脆完全避開閃存。原因之一是，盡管可以嵌入所需的任意大小容量的內(nèi)存，但是為了實現(xiàn)更高性能而逐漸縮小尺寸這個自然...

2020-12-23 標(biāo)簽：微控制器 mcu 閃存存儲 IIoT 4235

兆易創(chuàng)新為嵌入式產(chǎn)品提供豐富的存儲解決方案

雖然此前在DRAM內(nèi)存芯片布局上，兆易創(chuàng)新主要是通過其與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團合作的長鑫存儲來進行布局。但是，兆易創(chuàng)新的自研DRAM項目也早已開始。...

2020-11-03 標(biāo)簽：芯片嵌入式存儲 RRAM 兆易創(chuàng)新 5435

ASIC設(shè)計方案提供商燦芯半導(dǎo)體為NVDIMM OEM提供控制器芯片方案

此前，國際領(lǐng)先的定制化芯片（ASIC）設(shè)計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱燦芯半導(dǎo)體）對外宣布為一家著名的NVDIMM供應(yīng)商提供完整的NVDIMM控制器...

2020-10-28 標(biāo)簽：asic 存儲器 DDR 燦芯半導(dǎo)體 1543

高帶寬內(nèi)存突破4Gbps！Rambus獨家內(nèi)存接口方案發(fā)力AI和HPC市場

“在人工智能領(lǐng)域，對帶寬需要上升到1.0Gbps需求，Rambus HBM2E的性能正式提高到4.0 Gbps每秒，4.0 Gbps是全新的行業(yè)標(biāo)桿，我們一個開發(fā)過程中的合作伙伴就是SK海力士，我們提供的HBM2E內(nèi)存達(dá)到了...

2020-10-23 標(biāo)簽：臺積電 Rambus HBM GDDR6 9353

兆易創(chuàng)新推出全國產(chǎn)化24nm SPI NAND Flash

兆易創(chuàng)新今日正式推出全國產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點的4Gb SPI NANDFlash產(chǎn)品GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了從設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測試所有環(huán)節(jié)的純國產(chǎn)化和自主化，并已成功量產(chǎn)，標(biāo)志著國內(nèi)SLC...

2020-10-15 標(biāo)簽：NAND 兆易創(chuàng)新 8740

紫光集團DRAM事業(yè)群執(zhí)行副總裁高啟全退休坂本幸雄接收紫光DRAM布局

紫光集團全球執(zhí)行副總裁高啟全在2020年9月30日正式退休，未來紫光集團的DRAM事業(yè)布局將由前爾必達(dá)社長、現(xiàn)任紫光高級副總的坂本幸雄接手。...

2020-10-02 標(biāo)簽：DRAM 爾必達(dá)3d nand 紫光 8117

禁令影響三星電子和SK海力士將在9月15日停止向華為出售芯片

最新消息，據(jù)韓媒報道，由于美國禁令，三星電子和SK海力士將從下周二（9月15日）開始停止向華為出售芯片！雖然三星和SK海力士是韓企，但問題在于，美方禁令要求非美國公司不能向華為出...

2020-09-11 標(biāo)簽：中芯國際三星電子華為存儲 SK海力士 18950

大數(shù)據(jù)需要多層存儲策略西部數(shù)據(jù)先進技術(shù)賦能應(yīng)對冷數(shù)據(jù)存儲

我們的世界正在快速、全面的進入數(shù)字化，數(shù)據(jù)的爆發(fā)態(tài)勢已經(jīng)持續(xù)數(shù)年并仍將持續(xù)。根據(jù)IDC的預(yù)測，到2025年，由用戶產(chǎn)生的、IoT設(shè)備捕獲的以及數(shù)據(jù)中心創(chuàng)建并復(fù)制的數(shù)據(jù)總量，將會達(dá)到1...

2020-09-04 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)存儲數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤西部數(shù)據(jù) 3974

長鑫存儲今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬片

長鑫存儲今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬片，預(yù)計將超越南亞科技，屆時市占率將僅次于三大巨頭。此外，長鑫 17nm工藝即將出世，明年可實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。報道稱，長鑫存儲 19nm DRAM 工藝已于 2020 年上...

2020-09-03 標(biāo)簽：DRAM 存儲長鑫存儲 7118

曙光云存儲產(chǎn)品通過耦合方式組成海量存儲資源池助力國網(wǎng)通航開創(chuàng)數(shù)字化運營

隨著國家大力推動數(shù)字經(jīng)濟新基建的發(fā)展，國內(nèi)各大行業(yè)紛紛開啟數(shù)字化轉(zhuǎn)型行動。近日，曙光存儲中標(biāo)國網(wǎng)通航，硬核支撐智慧國網(wǎng)通航系統(tǒng)建設(shè)。將現(xiàn)代科技融入通航公司全產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)數(shù)...

2020-09-01 標(biāo)簽：存儲云存儲中科曙光 3524

蠶絲硬盤聽說過嗎？生物技術(shù)和半導(dǎo)體融合的新型存儲方式

這種存儲技術(shù)以生物兼容性良好、易于摻雜功能化、降解速率可控的天然蠶絲蛋白作為信息存儲介質(zhì)，近場紅外納米光刻技術(shù)作為數(shù)字信息寫入方式。...

2020-08-13 標(biāo)簽：硬盤存儲大數(shù)據(jù) 5538

存儲芯片商普冉股份沖刺科創(chuàng)板 NOR Flash爆發(fā)式增長

科創(chuàng)板芯版圖或再添一位新軍。近日，上交所受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下稱普冉股份）的科創(chuàng)板申請。普冉股份主營業(yè)務(wù)為非易失性存儲器芯片的設(shè)計與銷售，此次公司擬...

2020-08-13 標(biāo)簽：閃存 NAND EEPROM 兆易創(chuàng)新科創(chuàng)板 1754

上交所受理非易失性存儲器芯片企業(yè)上海普冉科創(chuàng)板IPO申請

8月3日，上交所正式受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下簡稱普冉股份）的科創(chuàng)板上市申請。招股書顯示，普冉股份的主營業(yè)務(wù)是非易失性存儲器芯片的設(shè)計與銷售，目前主要產(chǎn)品包...

2020-08-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲器指紋識別科創(chuàng)板 4110

回顧聯(lián)蕓科技的NAND DSP研究成果

聯(lián)蕓科技 Self-Adaptive NAND DSP 的自適配技術(shù)，能快速提升 LDPC 硬解碼和軟解碼的數(shù)據(jù)錯誤恢復(fù)能力，收集讀取數(shù)據(jù)塊的更多信息，并不斷的在先前失敗的 LDPC 解碼中學(xué)習(xí)，利用時間和空間局部性來...

2020-08-04 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 固態(tài)硬盤聯(lián)蕓科技 1825

科賦KLEVV CRAS C710 PCIe M.2 SSD固態(tài)硬盤采用PCle Gen3x4高速接口

在這個5G盛行、ACG文化逐漸大眾化的時代,幾百兆的CS早已退出歷史舞臺,各大游戲開發(fā)商、制作商紛紛順應(yīng)5G熱潮,推出《荒野大鏢客2》、《使命召喚16》、《最終幻想》等大型史詩級巨作。雖然這...

2020-07-22 標(biāo)簽：硬盤存儲 SSD 固態(tài)硬盤 5G 5022

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