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存儲(chǔ)技術(shù)
提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
佰維SS321服務(wù)器系統(tǒng)盤(pán)：核心器件國(guó)產(chǎn)化、高能效、高可靠
? ? ? ?作為信創(chuàng)PC固態(tài)硬盤(pán)的主力供應(yīng)商，佰維今年推出了其面向信創(chuàng)云市場(chǎng)的服務(wù)器系統(tǒng)盤(pán)—— BIWIN SS321 系列SSD 。 ?????? SS321所采用的主控芯片、NAND晶圓、DDR皆來(lái)自于國(guó)產(chǎn)品牌企業(yè)，并...
2022-11-29 標(biāo)簽：佰維 1659
STT-MRAM非易失存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。...
2022-11-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器MRAM非易失性存儲(chǔ)器 2436
易失性存儲(chǔ)器(VM)
在過(guò)去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě)，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)...
RRAM的研究進(jìn)展 RRAM的四大發(fā)展機(jī)遇
嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)以來(lái)，就被用作汽車(chē)中的ECU，市場(chǎng)上大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù)，但該技術(shù)一直在努力遷移到28納米以下，并且也被認(rèn)為效率低于RRAM。...
一文搞懂各種RAM、ROM存儲(chǔ)的異同點(diǎn)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快、存儲(chǔ)密度高、耗電量少、耐震等特點(diǎn)。...
基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器
二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級(jí)薄的厚度，其受到靜電場(chǎng)屏蔽效應(yīng)大大減弱，利用門(mén)電壓可以對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管(Memtransistor)可以模擬...
為什么單片機(jī)內(nèi)部RAM這么少？
也許大家都注意到了，在過(guò)去的20多年的時(shí)間里，微控制器（MCU）經(jīng)歷了跨越式的發(fā)展，這反映在很多方面，比如更高的系統(tǒng)時(shí)鐘、更多的外設(shè)模塊、更加便利的調(diào)試手段、32位的內(nèi)核等。但M...
浪潮自研SSD：基于SR-IOV技術(shù)，助力云數(shù)據(jù)中心降本增效
隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)蓬勃發(fā)展全球云服務(wù)市場(chǎng)持續(xù)穩(wěn)健增長(zhǎng)。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2021年全球公有云市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3307億美元，增速32.5%。Canalys數(shù)據(jù)顯示，2021年中國(guó)云基礎(chǔ)設(shè)施服務(wù)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)45%，達(dá)到2...
2022-11-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)SSD浪潮數(shù)據(jù)中心nvme 787
江波龍F(tuán)ORESEE發(fā)布首款教育電子專(zhuān)用存儲(chǔ)卡，EPLUS V10系列microSD帶來(lái)疾速響應(yīng)
市面上的存儲(chǔ)卡品類(lèi)覆蓋了行車(chē)記錄儀、高端數(shù)碼、安防監(jiān)控、教育電子等應(yīng)用市場(chǎng)，每個(gè)行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域?qū)τ诖鎯?chǔ)卡的要求也不盡相同。 ? 以教育電子為例，由于microSD僅作為存儲(chǔ)資料的數(shù)據(jù)“...
2022-11-28 標(biāo)簽：江波龍 999
是什么導(dǎo)致存儲(chǔ)器需求下降？
三星電子因?yàn)榫A代工廠規(guī)模小，所以租下了龐大的DRAM廠的一部分來(lái)練習(xí)EUV曝光30萬(wàn)到40萬(wàn)張，但似乎還不夠，7nm和5nm的良率也很低。更糟糕的是，它傳聞3nm這邊的尖端已經(jīng)無(wú)藥可救了，他們正...
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理分析
我們來(lái)思考一個(gè)問(wèn)題，當(dāng)我們?cè)诰幊唐髦邪岩粭l指令寫(xiě)進(jìn)單片機(jī)內(nèi)部，然后取下單片機(jī)，單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令，那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方，并且這個(gè)地方在單片機(jī)掉電后...
FORESEE發(fā)布首款教育電子專(zhuān)用存儲(chǔ)卡，EPLUS V10系列microSD帶來(lái)疾速響應(yīng)
市面上的存儲(chǔ)卡品類(lèi)覆蓋了行車(chē)記錄儀、高端數(shù)碼、安防監(jiān)控、教育電子等應(yīng)用市場(chǎng)，每個(gè)行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域?qū)τ诖鎯?chǔ)卡的要求也不盡相同。...
2022-11-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)卡移動(dòng)存儲(chǔ)FORESEEFORESEE存儲(chǔ)卡教育電子移動(dòng)存儲(chǔ) 715
一種高性能單晶硅溝道3D NOR儲(chǔ)存器
NOR閃存以速度快、可靠性高和使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，在人工智能、汽車(chē)電子和工業(yè)領(lǐng)域中發(fā)揮著不可替代的作用。...
主存儲(chǔ)器的基本組成
基本上主存由三部分組成 存儲(chǔ)體 地址寄存器 數(shù)據(jù)寄存器。...
2022-11-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體Mar存儲(chǔ)體存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 4164
DDR5滲透率快速提升 長(zhǎng)電科技高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)
近日，長(zhǎng)電科技宣布，高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢(shì)為國(guó)內(nèi)外客戶提供高性價(jià)比和高可靠性的解決方案。 隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智...
2022-11-24 標(biāo)簽：封裝存儲(chǔ)DDR5DDR5存儲(chǔ)封裝長(zhǎng)電科技 3193
介紹關(guān)于SRAM兩大問(wèn)題挑戰(zhàn)
平面到FinFET的過(guò)渡對(duì)SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關(guān)鍵節(jié)距已導(dǎo)致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對(duì)更大的片上SRAM容量的需求不斷增長(zhǎng)，這樣做的時(shí)機(jī)不會(huì)更糟。離SRAM將主...
2022-11-24 標(biāo)簽：CMOS存儲(chǔ)器sramFlash單片機(jī) 1683
2021存儲(chǔ)行業(yè)營(yíng)收概況 非易失性存儲(chǔ)表現(xiàn)亮眼
在芯片產(chǎn)業(yè)中，存儲(chǔ)芯片是全球集成電路市場(chǎng)銷(xiāo)售額占比最高的分支，在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)很重要的地位。2021年存儲(chǔ)行業(yè)整體營(yíng)收共計(jì) 214.49億元，同比增長(zhǎng) 91%，達(dá)五年間最高增速。...
2022-11-24 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)芯片非易失性存儲(chǔ)器 1091
美光出貨量環(huán)比下跌21% ，第四季NAND Flash營(yíng)收恐續(xù)跌
第三季NAND Flash市場(chǎng)仍不敵需求疲弱沖擊，無(wú)論在消費(fèi)電子或服務(wù)器領(lǐng)域出貨皆劣于預(yù)期，導(dǎo)致第三季NAND Flash價(jià)格跌幅擴(kuò)大至18.3%。...
2022-11-23 標(biāo)簽：DRAM美光Nand flash 663
英特爾數(shù)據(jù)存儲(chǔ)如何操作和實(shí)現(xiàn)
隨著CPU性能的不斷提升，以及PCIe 4.0時(shí)代的來(lái)臨，原本基于磁盤(pán)的存儲(chǔ)方案越發(fā)捉襟見(jiàn)肘。磁盤(pán)存儲(chǔ)容量有所提升，但單位容量的性能卻不斷降低，從而使得SLA下降。...
2022-11-23 標(biāo)簽：英特爾數(shù)據(jù)存儲(chǔ)云存儲(chǔ)PCIe 4.0 1309
FM25V02A-GTR型號(hào)存儲(chǔ)器的產(chǎn)品介紹
FM25V02A-GTR型號(hào)元器件是一款鐵電存儲(chǔ)器，采用先進(jìn)的鐵電工藝，可提供可靠的數(shù)據(jù)保留功能，可以保持151年，同時(shí)消除了復(fù)雜性，串行通信引起的開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題閃存、EEPROM和其他...
2022-11-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器EEPROMF-RAM鐵電存儲(chǔ)器 3149
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