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存儲(chǔ)技術(shù)
提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
全面解析存儲(chǔ)知識(shí)：RAID、CDP、集群、VTL虛擬帶庫(kù)等存儲(chǔ)技術(shù)
RAID （Redundant Array of Independent Disks）即獨(dú)立磁盤(pán)冗余陣列，RAID技術(shù)將多個(gè)單獨(dú)的物理硬盤(pán)以不同的方式組合成- -個(gè)邏輯硬盤(pán)，從而達(dá)到提升存儲(chǔ)容量、讀寫(xiě)性能和數(shù)據(jù)安全性的目的。...
2022-11-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)RAIDCDPRAID存儲(chǔ)技術(shù) 1311
美光DDR5內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代AMD EPYC處理器平臺(tái)出貨
內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過(guò) AMD 全新 EPYC （霄龍） 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存...
什么是列存儲(chǔ)，特點(diǎn)及場(chǎng)景在哪？
列式存儲(chǔ)(column-based)是相對(duì)于傳統(tǒng)關(guān)系型數(shù)據(jù)庫(kù)的行式存儲(chǔ)(Row-basedstorage)來(lái)說(shuō)的。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)兩者的區(qū)別就是如何組織表：...
STM32單片機(jī)擴(kuò)展下的IPUS SQPI PSRAM應(yīng)用領(lǐng)域
在入門(mén)級(jí)智能音箱或故事機(jī)上增加PSRAM作為語(yǔ)音數(shù)據(jù)的緩存，可以解決用戶端網(wǎng)絡(luò)連接不穩(wěn)定、或帶寬共享被卡或云端大量并發(fā)請(qǐng)求造成的響應(yīng)不及時(shí)所引起的語(yǔ)音播放卡頓/斷續(xù)問(wèn)題，提升用戶...
2022-11-18 標(biāo)簽：RAMSTM32單片機(jī)SRAM芯片 4079
介紹一種可編程邏輯控制器專用MRAM—MR0A16A
與其他標(biāo)準(zhǔn)主流存儲(chǔ)器不同，Everspin的MRAM可在惡劣環(huán)境下實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)完整性和可靠性，并在斷電且無(wú)需電池的情況下即時(shí)保存事件。...
關(guān)于FRAM技術(shù)的設(shè)備配置介紹
設(shè)計(jì)人員可以找到FRAM存儲(chǔ)器支持并行，SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如，連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM，富士通提供1MB的SPI串行器，MB85RS1MT，使設(shè)計(jì)人員能夠采用典型的SPI主/從配置（圖1）設(shè)備...
淺析SRAM的性能及其結(jié)構(gòu)
SRAM它也由晶體管組成。接通代表1，斷開(kāi)表示0，并且狀態(tài)會(huì)保持到接收了一個(gè)改變信號(hào)為止。這些晶體管不需要刷新，但停機(jī)或斷電時(shí)，它們同DRAM一樣，會(huì)丟掉信息。...
中科曙光發(fā)布業(yè)界首款液冷存儲(chǔ)——曙光 ParaStor 液冷存儲(chǔ)系統(tǒng)
“在液冷逐步商業(yè)化的背景下，用戶希望把液冷技術(shù)進(jìn)一步擴(kuò)展到存儲(chǔ)系統(tǒng)上，市場(chǎng)對(duì)于液冷存儲(chǔ)的需求日益迫切”，中科曙光存儲(chǔ)事業(yè)部副總經(jīng)理張新鳳在峰會(huì)上介紹。...
2022-11-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)系統(tǒng)中科曙光 1486
存儲(chǔ)市場(chǎng)10年增長(zhǎng)5倍！布局自研芯片 江波龍如何把握住IoT和汽車(chē)存儲(chǔ)市場(chǎng)機(jī)會(huì)
作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)領(lǐng)域的知名企業(yè)之一，江波龍此次在ELEXCON國(guó)際電子展上展示了哪些自研芯片產(chǎn)品？未來(lái)江波龍如何整合芯片+平臺(tái)+服務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)？呂巖川給我們帶來(lái)了精彩的回答。...
Solidigm QLC閃存SSD做到61.44TB
SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非常活躍，最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖，預(yù)計(jì)2023年上半年陸續(xù)落地。 雖然是企業(yè)級(jí)的，距離我們很遠(yuǎn)，但技術(shù)上依然令人相當(dāng)振奮...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠什么去存儲(chǔ)信息的呢
靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)記憶信息的;動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來(lái)記憶信息的...
2022-11-17 標(biāo)簽：CMOSDRAM晶體管SRAM存儲(chǔ)器 6753
RAM是什么？它都有哪些特點(diǎn)呢
現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪問(wèn)設(shè)備中寫(xiě)入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)設(shè)備相比顯得微不足道。...
2022-11-17 標(biāo)簽：電容器RAM易失性存儲(chǔ)器 6939
介紹關(guān)于SRAM讀寫(xiě)中“寫(xiě)操作”的分析
在六管單元的寫(xiě)操作中，外部電路驅(qū)動(dòng)兩個(gè)互補(bǔ)的信號(hào)到位線BIT 和BIT_上，字線驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)字線ROW 到高電平，位線信號(hào)經(jīng)兩個(gè)傳輸管寫(xiě)入存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。...
2022-11-17 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)器反相器SRAM芯片 2055
如何設(shè)計(jì)SRAM存儲(chǔ)器的主板呢？
各份電源的切換，電池各份的重點(diǎn)將會(huì)在于電源切換和片選信號(hào)的控制。本次為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，只單純獲取vcc和電池（為cn2提供3.6v的電池）的二極管or，但需要注意二極管正向電壓降。...
2022-11-17 標(biāo)簽：二極管電源電壓SRAM存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)緩沖器 1040
熱電堆紅外傳感器在微波爐中的應(yīng)用
熱電堆測(cè)量原理：在測(cè)量過(guò)程中，熱電堆紅外傳感器與待測(cè)物體進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，感應(yīng)物體發(fā)出的紅外線，紅外線轉(zhuǎn)換成模擬電壓信號(hào)，熱電堆紅外溫度傳感器的溫度由熱敏電阻檢測(cè)，最后使用信號(hào)處...
淺析MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝
EVERSPIN的SPI產(chǎn)品系列中增加了具有2mm底部裸露焊盤(pán)的新型DFN8封裝。這種新封裝允許該器件既可用于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)SOIC-8引腳又可用于DFN8 PCB焊盤(pán)圖案...
介紹一款超小型封裝尺寸的1Mbit串行FRAM—MB85RS1MT
使用的存儲(chǔ)單元可以執(zhí)行1013次寫(xiě)/讀操作，大大超過(guò)了閃存或E2PROM可以重寫(xiě)的次數(shù)。不需要像閃存和E2PROM這樣的長(zhǎng)寫(xiě)入時(shí)間，并且寫(xiě)入等待時(shí)間為零。 因此，無(wú)需等待寫(xiě)入完成序列。...
MCU系統(tǒng)設(shè)計(jì)中Iot RAM的潛在應(yīng)用
通過(guò)用IoT ram替換DRAM，消除了對(duì)外部刷新控制器的需求，這降低了接口的復(fù)雜性和相關(guān)的驗(yàn)證成本，利用了外部SPI接口的使用，同時(shí)保持了最新IoT應(yīng)用程序所要求的高性能水平，并降低整個(gè)系統(tǒng)...
2022-11-17 標(biāo)簽：控制器RAMSPI接口MCU設(shè)計(jì)RAMSPI接口控制器控制器 774
如何辨別SRAM是否屬于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器呢
SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。...
介紹一下關(guān)于靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片的設(shè)計(jì)
SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。...
2022-11-17 標(biāo)簽：寄存器SRAM芯片CMOS反相器SRAM芯片信號(hào)處理電路寄存器 1780
美光：DRAM和NAND晶圓將削減20%開(kāi)工率
美光表示：“最近，人們對(duì)2023年的市場(chǎng)前景有所減弱?！辈⒅赋觯A(yù)計(jì)DRAM bit的供應(yīng)同比將有所收縮，NAND bit的供應(yīng)增長(zhǎng)也將顯著低于此前預(yù)期。...
2022-11-17 標(biāo)簽：DRAM 484
談?wù)劗?dāng)靜態(tài)SRAM芯片存儲(chǔ)字節(jié)的過(guò)程是怎樣的
對(duì)于X86處理器，它通過(guò)地址總線發(fā)出一個(gè)具有22位二進(jìn)制數(shù)字的地址編碼－－其中11位是行地址，11位是列地址，這是通過(guò)RAM地址接口進(jìn)行分離的。...
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的原理是什么
RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供中央處理器在需要的時(shí)候進(jìn)行調(diào)用。對(duì)于RAM等存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)仍是一樣的，雖然存儲(chǔ)的都是代表0和1的代碼，但是不同的組合就是不同的數(shù)據(jù)。...
基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件存在的兩個(gè)弊端
隨著工藝減小，熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲(chǔ)壽命取決于熱穩(wěn)定性勢(shì)壘和磁各向異性場(chǎng)，面內(nèi)磁各向異性的來(lái)源是薄膜平面較大的長(zhǎng)寬比。...
2022-11-17 標(biāo)簽：MRAM 2930
Everspin展示了28nm單機(jī)1Gb STT-MRAM芯片
everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單...
openwifi OFDM接收機(jī)信道估計(jì)優(yōu)化
openwifi的接收機(jī)一直性能比較弱。具體表現(xiàn)就是如果測(cè)量吞吐，那么下行（流量方向是openwifi發(fā)射方向）總是好于上行，因?yàn)樯闲型掏率芟抻趏penwifi接收機(jī)。...
2022-11-17 標(biāo)簽：寄存器接收機(jī)OFDM技術(shù) 3702
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