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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。

利用尖端HBM4技術(shù)加速人工智能發(fā)展

人工智能(AI)與機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展,驅(qū)動(dòng)著各行各業(yè)的革新。隨著模型復(fù)雜度與數(shù)據(jù)量的激增,實(shí)時(shí)處理海量數(shù)據(jù)的需求對(duì)底層硬件基礎(chǔ)設(shè)施,尤其是內(nèi)存系統(tǒng),提...

2024-10-11 標(biāo)簽:人工智能機(jī)器學(xué)習(xí)HBMHBM4 2005

三星電子或2026年將HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺(tái)積電

據(jù)媒體報(bào)道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預(yù)計(jì)將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺(tái)積電,并計(jì)劃采用12nm至6nm的先進(jìn)制程技術(shù)。同時(shí),展望未來五年,該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)15%至...

2024-10-10 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電HBMHBM4 1706

SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,或引領(lǐng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局轉(zhuǎn)變

在9月25日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉會(huì)議中心舉行的一場(chǎng)半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)上,SK海力士發(fā)布的一項(xiàng)關(guān)于其高帶寬內(nèi)存(HBM)的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。這一數(shù)據(jù)...

2024-10-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SK海力士HBM 2048

SK海力士Q3利潤(rùn)有望趕超三星半導(dǎo)體

隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財(cái)務(wù)報(bào)告,市場(chǎng)焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的預(yù)期差距如何進(jìn)一步拉大。   SK海力士因在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn),預(yù)計(jì)將迎...

2024-10-08 標(biāo)簽:內(nèi)存SK海力士HBM三星 1913

微星推出首款磁吸式移動(dòng)固態(tài)硬盤

10月8日,微星公司正式推出了其首款磁吸式移動(dòng)固態(tài)硬盤——DATAMAG 20Gbps,該硬盤的最大存儲(chǔ)容量高達(dá)4TB。   在設(shè)計(jì)上,DATAMAG 20Gbps獨(dú)具匠心地將曲邊八邊形的美學(xué)元素與實(shí)用的掛繩孔設(shè)計(jì)...

2024-10-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)微星固態(tài)硬盤 1631

得瑞領(lǐng)新將展示其企業(yè)級(jí)NVMe SSD產(chǎn)品及存儲(chǔ)解決方案

第12屆中國(guó)移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)將于2024年10月11日至13日在廣州保利世貿(mào)博覽館隆重召開,大會(huì)主題為“智煥新生 共創(chuàng)AI+時(shí)代”,旨在匯聚全球頂尖企業(yè)與技術(shù)精英,深入探索AI、大數(shù)據(jù)、5G等...

2024-10-08 標(biāo)簽:AI大數(shù)據(jù)得瑞領(lǐng)新 1638

風(fēng)景獨(dú)好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

風(fēng)景獨(dú)好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)在早前的報(bào)道中,對(duì)于HBM產(chǎn)能是否即將過剩,業(yè)界有不同的聲音,但絲毫未影響存儲(chǔ)芯片廠商對(duì)HBM產(chǎn)品升級(jí)的步伐。 ? 三大廠商12 層HBM3E 進(jìn)展 ? 9月26日SK海力士...

2024-10-06 標(biāo)簽:SK海力士HBM3HBM3HBM3ESK海力士 6047

鐵威馬NAS新品F8 SSD Plus上市

國(guó)慶小長(zhǎng)假將至,這不僅是逃離日?,嵤隆⑻剿餍缕媸澜绲慕^佳時(shí)機(jī),也是面臨數(shù)字資產(chǎn)管理挑戰(zhàn)的時(shí)刻。隨著高清圖片、4K視頻及大型游戲文件等數(shù)字資產(chǎn)的快速增長(zhǎng),如何高效且安全地管理...

2024-09-30 標(biāo)簽:SSDNAS網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)鐵威馬 1972

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)“寒冬將至”?供求過剩將延續(xù)至2026年

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)“寒冬將至”?供求過剩將延續(xù)至2026年

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的周期性是半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)一個(gè)顯著的特點(diǎn),不過相比半導(dǎo)體中其他元器件,存儲(chǔ)器的周期性波動(dòng)往往更大。通常一個(gè)完整周期在2至3年不等,主要受...

2024-10-03 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器存儲(chǔ) 6059

三星電子發(fā)布最新固態(tài)硬盤產(chǎn)品990 EVO Plus

9月26日,三星電子震撼發(fā)布了其旗艦級(jí)固態(tài)硬盤新品——990 EVO Plus,該產(chǎn)品標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)的新里程碑。融合了三星自研的第8代V-NAND尖端技術(shù)與突破性的5納米主控芯片,990 EVO Plus在性能與效率...

2024-09-26 標(biāo)簽:三星電子存儲(chǔ)固態(tài)硬盤 2999

SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲(chǔ)技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn),此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度...

2024-09-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SK海力士HBM 2482

HBM需求強(qiáng)勁,美光科技預(yù)測(cè)第一財(cái)季營(yíng)收將超87億美元

美光科技在盤后交易中股價(jià)飆升約14%,這一顯著漲幅源自其發(fā)布的樂觀第一財(cái)季營(yíng)收預(yù)測(cè),背后驅(qū)動(dòng)力在于人工智能(AI)計(jì)算領(lǐng)域?qū)?nèi)存芯片,尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的強(qiáng)勁需求。作為HBM市...

2024-09-26 標(biāo)簽:內(nèi)存AIHBM 1510

今日看點(diǎn)丨華為 Mate 70 系列被曝整機(jī)已量;SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3

1. 臺(tái)積電2nm 小規(guī)模試產(chǎn) ? 臺(tái)積電將于2025年量產(chǎn)其2nm工藝,日本SMC社長(zhǎng)高田芳樹近日表示,臺(tái)積電已經(jīng)在其2nm芯片試產(chǎn)線上采用SMC的水冷式冷卻器進(jìn)行小規(guī)模生產(chǎn)。 ? SMC宣布,該公司已向臺(tái)積...

2024-09-26 標(biāo)簽:臺(tái)積電華為SK海力士HBM3E 1981

鐵威馬NAS新品發(fā)布:存儲(chǔ)升級(jí)新紀(jì)元,全面革新存儲(chǔ)體驗(yàn)

 今年,NAS市場(chǎng)迎來了前所未有的活力,各大品牌競(jìng)相推出新品,評(píng)價(jià)雖多元,但無疑彰顯了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的關(guān)注與重要性。在此背景下,鐵威馬(TerraMaster),作為存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域...

2024-09-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)NAS鐵威馬 1542

東芯股份“存、算、聯(lián)”一體化,礪算GPU進(jìn)入流片前準(zhǔn)備,可支持3A游戲大作

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)東芯股份2024年中報(bào)顯示,公司主營(yíng)收入2.66億元,同比上升11.12%;歸母凈利潤(rùn)-9112.11萬元,同比下降21.32%;扣非凈利潤(rùn)-9914.12萬元,同比下降22.43%;其中2024年第二...

2024-09-24 標(biāo)簽:gpu存算一體gpu東芯存算一體 5401

創(chuàng)見資訊發(fā)布工業(yè)級(jí)PCIe M.2 22110固態(tài)硬盤MTE730P

9月23日最新消息,領(lǐng)先的存儲(chǔ)模組制造商創(chuàng)見資訊(Transcend Information)于本月19日正式推出了其首款專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的PCIe M.2 22110固態(tài)硬盤——MTE730P。這款SSD以其卓越的寬溫工作能力(-40℃至...

2024-09-23 標(biāo)簽:存儲(chǔ)PCIe固態(tài)硬盤 2255

三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動(dòng),引領(lǐng)AI時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元

三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品,集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破,標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-NAND,通過創(chuàng)新...

2024-09-23 標(biāo)簽:三星電子AINAND閃存 1832

構(gòu)建智能安全出行體驗(yàn),存儲(chǔ)在OTA中扮演什么角色?

近年來,隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速向智能化與電氣化轉(zhuǎn)型升級(jí),智能化的駕乘體驗(yàn)已經(jīng)成為車輛標(biāo)配。從智能駕駛到智能座艙,再到智能泊車輔助、座艙溫度調(diào)節(jié)、車機(jī)定時(shí)充電以及全景影像等諸多“...

2024-09-23 標(biāo)簽:存儲(chǔ)OTA 744

HBM4到來前夕,HBM熱出現(xiàn)兩極分化

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)高帶寬存儲(chǔ)器HBM由于生成式AI的到來而異軍突起,成為AI訓(xùn)練不可或缺的存儲(chǔ)產(chǎn)品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光科技也因HBM的供應(yīng)迎來了業(yè)績(jī)的高增長(zhǎng)...

2024-09-23 標(biāo)簽:HBMHBM4 4113

簡(jiǎn)述HBM技術(shù)的重要性

簡(jiǎn)述HBM技術(shù)的重要性

眾所周知,數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),芯片技術(shù)正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內(nèi)存(HBM)以其開創(chuàng)性的內(nèi)存堆疊技術(shù)獨(dú)占鰲頭,導(dǎo)致其容量需求激增;而傳統(tǒng)內(nèi)存架構(gòu)在應(yīng)對(duì)此類高性...

2024-09-23 標(biāo)簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 3144

長(zhǎng)江存儲(chǔ)使用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片

9月20日最新資訊指出,長(zhǎng)江存儲(chǔ)面對(duì)美國(guó)出口禁令及被列入實(shí)體清單的雙重挑戰(zhàn),展現(xiàn)出了強(qiáng)大的自主創(chuàng)新能力,成功引入國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了供應(yīng)鏈的自立自強(qiáng)。...

2024-09-20 標(biāo)簽:3DNAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4581

普冉“存儲(chǔ)+”戰(zhàn)略下,閃存與MCU互為優(yōu)勢(shì),2024上半年實(shí)現(xiàn)高增長(zhǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2024年上半年,普冉半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.96億元,同比增加91.22%,實(shí)現(xiàn)扣非前凈利潤(rùn) 1.36億元,同比增長(zhǎng)273.78%。近日,在業(yè)績(jī)說明會(huì)上,普冉高管對(duì)公司業(yè)績(jī)以及產(chǎn)品...

2024-09-20 標(biāo)簽:mcu閃存存儲(chǔ)NOR flashmcuNOR flash存儲(chǔ)普冉閃存 5044

三星調(diào)整晶圓代工策略,聚焦NAND Flash與HBM

三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,決定暫緩平澤P4工廠的進(jìn)一步擴(kuò)建,轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映了三星對(duì)當(dāng)前市場(chǎng)需求的精準(zhǔn)把握...

2024-09-19 標(biāo)簽:NAND三星電子晶圓代工HBM 1890

江波龍主控芯片破千萬導(dǎo)入,車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)迎新機(jī)遇

9月19日,江波龍電子在最新機(jī)構(gòu)調(diào)研中分享了其在主控芯片領(lǐng)域的顯著進(jìn)展。公司自主研發(fā)的WM6000與WM5000兩款主控芯片已成功實(shí)現(xiàn)批量出貨,并順利完成了超過千萬顆的規(guī)?;a(chǎn)品導(dǎo)入,標(biāo)志著...

2024-09-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)主控芯片 2017

北京君正首顆 21nm DRAM下半年推出,三大存儲(chǔ)類芯片持續(xù)研發(fā),待行業(yè)市場(chǎng)復(fù)蘇

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2024年上半年,北京君正實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 210,684.96萬元,同比下降5.15%,實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn) 19,749.34 萬元,同比下降 11.1%,其中 2024 年第一季度公司實(shí)...

2024-09-19 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)存儲(chǔ)芯片北京君正 6069

GPU集成12顆HBM4,臺(tái)積電CoWoS-L、CoW-SoW技術(shù)演進(jìn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前消息,臺(tái)積電計(jì)劃于2027年量產(chǎn)CoW-SoW(晶圓上系統(tǒng))封裝技術(shù),該技術(shù)是將InFO-SoW(集成扇出晶圓上系統(tǒng))與SoIC(集成芯片系統(tǒng))結(jié)合,把存儲(chǔ)器和邏輯芯片...

2024-09-13 標(biāo)簽:臺(tái)積電gpuCoWoSHBMHBM4 6067

第二季度全球NAND閃存平均漲價(jià)15%

2024年第二季度,全球NAND閃存市場(chǎng)迎來價(jià)格顯著上漲的行情,平均售價(jià)攀升了15%,反映出市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛與供應(yīng)端的緊張態(tài)勢(shì)。然而,與此同時(shí),NAND閃存的出貨量卻出現(xiàn)小幅下滑,環(huán)比下降...

2024-09-11 標(biāo)簽:閃存NAND 1409

顯存技術(shù)不斷升級(jí),AI計(jì)算中如何選擇合適的顯存

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)顯存,是顯卡上用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)、紋理、幀緩沖區(qū)等的內(nèi)存。它的大小直接決定了顯卡能夠同時(shí)處理的數(shù)據(jù)量。 ? 在AI計(jì)算中,顯存的大小對(duì)處理大規(guī)模數(shù)據(jù)...

2024-09-11 標(biāo)簽:AI顯存 6325

從甲骨文到芯片,IFA展上的存儲(chǔ)文化與創(chuàng)新

從甲骨文到芯片,IFA展上的存儲(chǔ)文化與創(chuàng)新

存儲(chǔ)文化如同一條源遠(yuǎn)流長(zhǎng)的河流,見證了五千年文明的沉淀與發(fā)展。從古老的甲骨文到竹簡(jiǎn),再到青銅器上的銘文,每一種存儲(chǔ)方式都是歷史的見證,文化的傳承。如今,在IFA展100周年之際,...

2024-09-10 標(biāo)簽:芯片存儲(chǔ)IFA 1249

美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動(dòng)交付

美光科技近期宣布,其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動(dòng)交付,標(biāo)志著AI計(jì)算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗(yàn)證其在整個(gè)AI生態(tài)...

2024-09-09 標(biāo)簽:內(nèi)存美光科技HBM3E 1872

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