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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
Rambus解讀:6400MT/s及以上DDR內(nèi)存速率,不可或缺的CKD芯片

Rambus解讀:6400MT/s及以上DDR內(nèi)存速率,不可或缺的CKD芯片

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)針對(duì)服務(wù)器內(nèi)存模塊RDIMM的芯片組解決方案,Rambus一直以來(lái)有著深厚的技術(shù)實(shí)力,可提供寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)、電源管理芯片、串行檢測(cè)集線器(SPD Hub)、...

2024-09-12 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存RambusDDRRambus內(nèi)存 7943

國(guó)科微完成布局:固態(tài)硬盤控制芯片與行業(yè)產(chǎn)品全面覆蓋

近期,在投資者交流平臺(tái)上,有投資者就辦公電腦國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程中,特別關(guān)注到國(guó)科微公司所宣稱的擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的固態(tài)硬盤的市場(chǎng)表現(xiàn)與業(yè)內(nèi)地位。針對(duì)這一關(guān)切,國(guó)科微于9月6日在...

2024-09-07 標(biāo)簽:控制芯片固態(tài)硬盤國(guó)科微 2747

存儲(chǔ)2024H1財(cái)報(bào):行業(yè)上行帶動(dòng)高增長(zhǎng),新品搭上AI成驅(qū)動(dòng)力

存儲(chǔ)2024H1財(cái)報(bào):行業(yè)上行帶動(dòng)高增長(zhǎng),新品搭上AI成驅(qū)動(dòng)力

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)自2023年第三季度開(kāi)始,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)逐漸由之前的廠商虧損、大幅減產(chǎn)、需求不振等低迷行情,轉(zhuǎn)變?yōu)椴饺霃?fù)蘇的上行周期。在我們之前跟蹤的2023年第四季度以及...

2024-09-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ) 5404

三星攜手臺(tái)積電,共同研發(fā)無(wú)緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)

據(jù)最新報(bào)道,三星電子與臺(tái)積電攜手共謀AI芯片的未來(lái),雙方正緊密合作開(kāi)發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強(qiáng)各自在快速增長(zhǎng)的人工智能芯片市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位。在Semicon Tai...

2024-09-06 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電存儲(chǔ)器人工智能HBMHBM4 3044

繼HBM上車之后,移動(dòng)HBM有望用在手機(jī)上

繼HBM上車之后,移動(dòng)HBM有望用在手機(jī)上

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)據(jù)韓媒報(bào)道,三星和海力士正在開(kāi)發(fā)低功耗DRAM堆疊技術(shù),以用于移動(dòng)設(shè)備上,這類DRAM被稱之為移動(dòng)HBM存儲(chǔ)器,并計(jì)劃2026年左右實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。 ? 移動(dòng)HBM是堆疊和...

2024-09-06 標(biāo)簽:DRAMHBM 5890

SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

9月4日,半導(dǎo)體行業(yè)傳來(lái)重要?jiǎng)討B(tài),SK海力士社長(zhǎng)金柱善(Kim Ju Seon)在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講,分享了公司在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與未來(lái)展望。金柱善社長(zhǎng)自豪地宣...

2024-09-05 標(biāo)簽:內(nèi)存SK海力士HBMHBM3E 2001

存儲(chǔ)器容量單位有哪些

存儲(chǔ)器容量單位是指用于衡量存儲(chǔ)設(shè)備中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)能力的單位。在計(jì)算機(jī)科學(xué)中,這些單位構(gòu)成了一個(gè)完整的體系,從最小的單位到最大的單位,逐步擴(kuò)展,以滿足不同存儲(chǔ)需求。...

2024-09-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備 10707

EPROM的主要工作模式

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,能夠在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不變。它以其可重復(fù)編程、按字節(jié)操作和低功耗等特點(diǎn),在嵌入...

2024-09-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)EEPROM 3161

EEPROM存儲(chǔ)功能的實(shí)現(xiàn)方式

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)的存儲(chǔ)功能實(shí)現(xiàn)主要依賴于其獨(dú)特的浮柵晶體管結(jié)構(gòu)和工作原理。...

2024-09-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶體管EEPROM 3287

EPROM讀寫和擦寫原理

EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory,可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,能夠在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。其讀寫和擦寫原理涉及電子學(xué)、半導(dǎo)體物理等多個(gè)領(lǐng)域,以下是對(duì)EPRO...

2024-09-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶體管EPROM 7420

EEPROM讀寫程序詳解

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)讀寫程序的詳解涉及多個(gè)方面,包括EEPROM的基本工作原理、讀寫流程、編程接口、代碼示例以及注意事項(xiàng)等。以下是對(duì)EEPROM讀寫程序的詳細(xì)解析。...

2024-09-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器EEPROMEEPROM存儲(chǔ)器讀寫程序 7174

EEPROM故障的原因和影響

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),即電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器,是一種非易失性存儲(chǔ)器芯片,能夠在不通電的情況下保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,用于存儲(chǔ)...

2024-09-05 標(biāo)簽:芯片存儲(chǔ)器EEPROM 12584

如何向EEPROM寫入數(shù)字

向EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)寫入數(shù)字是一個(gè)相對(duì)直接的過(guò)程,但涉及到多個(gè)步驟和細(xì)節(jié)。以下是一個(gè)詳細(xì)的步驟說(shuō)明,旨在幫助您理解并成功向...

2024-09-05 標(biāo)簽:單片機(jī)存儲(chǔ)器EEPROM 3189

EEPROM的擦除過(guò)程

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)的擦除過(guò)程是一個(gè)涉及硬件和軟件操作的復(fù)雜過(guò)程,旨在清除EEPROM內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),以便重新編程。...

2024-09-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)單元晶體管EEPROM 6541

EEPROM的地址怎么確定

關(guān)于EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)的地址確定,涉及多個(gè)方面,包括設(shè)備地址、存儲(chǔ)地址以及具體的硬件連接和通信協(xié)議。...

2024-09-05 標(biāo)簽:芯片存儲(chǔ)器EEPROM 5698

EEPROM是什么存儲(chǔ)器

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)指的是即電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器。這是一種特殊的半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備,以其非易失性和可編程性在多種應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著重要作用。下面將從...

2024-09-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器EEPROM存儲(chǔ)設(shè)備 9985

PLC主要使用的存儲(chǔ)器類型

PLC(可編程邏輯控制器)中的存儲(chǔ)器是其重要組成部分,用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和系統(tǒng)信息。PLC的存儲(chǔ)器主要分為兩大類:系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。下面將詳細(xì)介紹這兩類存儲(chǔ)器及其各自存儲(chǔ)的...

2024-09-05 標(biāo)簽:plc存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 8275

只讀存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程

只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory,ROM)是一種重要的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備,它以非破壞性讀出方式工作,即只能讀出存儲(chǔ)的信息而無(wú)法直接寫入新的信息。這種特性使得ROM在存儲(chǔ)固定程序和數(shù)據(jù)方面具有...

2024-09-05 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備只讀存儲(chǔ)器 4102

外部存儲(chǔ)器有哪些

外部存儲(chǔ)器是指用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的獨(dú)立設(shè)備,它們通常與計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備連接,并提供額外的存儲(chǔ)空間,允許用戶在不改變主設(shè)備內(nèi)部存儲(chǔ)的情況下保存和訪問(wèn)大量數(shù)據(jù)。常見(jiàn)的外部存儲(chǔ)器...

2024-09-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器硬盤計(jì)算機(jī) 8244

內(nèi)部存儲(chǔ)器有哪些

內(nèi)部存儲(chǔ)器,也稱為內(nèi)存(Memory),是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于暫時(shí)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的重要組件。它直接與CPU相連,是CPU處理數(shù)據(jù)的主要來(lái)源。內(nèi)部存儲(chǔ)器主要由隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(...

2024-09-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)內(nèi)存 8267

計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別

計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的重要部分,用于存放程序和數(shù)據(jù)。隨著科技的進(jìn)步,存儲(chǔ)器的種類越來(lái)越多,功能和性能也日益豐富。一般來(lái)說(shuō),計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器可以按照不同的分類標(biāo)準(zhǔn)...

2024-09-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 6274

TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨

9月4日最新資訊,據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程,并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同...

2024-09-04 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存HBM3E 2255

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)預(yù)計(jì)明年將歷史性突破2000億美元大關(guān)

年初之際,SK海力士收到了來(lái)自前沿人工智能(AI)加速器制造商A公司的慷慨提議:“我們?cè)割A(yù)付超5000億韓元,誠(chéng)邀您打造專屬存儲(chǔ)半導(dǎo)體生產(chǎn)線?!边@一提議的背景,是高帶寬內(nèi)存(HBM)——...

2024-09-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)SK海力士HBM 1354

憶恒創(chuàng)源發(fā)布國(guó)產(chǎn)PCIe 5.0企業(yè)級(jí)NVMe SSD PBlaze7 7A40系列

9月3日,在備受矚目的ODCC大會(huì)上,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)級(jí)PCIe SSD產(chǎn)品與服務(wù)提供商憶恒創(chuàng)源,榮耀發(fā)布了其自主研發(fā)的PCIe 5.0企業(yè)級(jí)NVMe SSD新品——PBlaze7 7A40系列。該系列SSD的誕生,標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)技...

2024-09-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)SSDPCIenvme 2092

緊扣AI浪潮和IOT融合大趨勢(shì),西部數(shù)據(jù)推新品

緊扣AI浪潮和IOT融合大趨勢(shì),西部數(shù)據(jù)推新品

2024年,AI技術(shù)在端側(cè)的應(yīng)用已成為主流趨勢(shì),算力從云端下放到終端帶動(dòng)六大主要設(shè)備加速落地。包括AI智能手機(jī)、AI PC、智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能汽車、健康檢測(cè)設(shè)備以及智能安防監(jiān)控。其中智...

2024-09-03 標(biāo)簽:AI西部數(shù)據(jù)IOT 4389

緊扣AI浪潮和IOT融合大趨勢(shì),西部數(shù)據(jù)亮相IOTE2024

緊扣AI浪潮和IOT融合大趨勢(shì),西部數(shù)據(jù)亮相IOTE2024

8月28日到8月30日, IOTE 2024第二十二屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站+AGIC 2024 國(guó)際通用人工智能展在深圳國(guó)際會(huì)展中心盛大開(kāi)幕。作為領(lǐng)先的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案提供商,西部數(shù)據(jù)攜旗下針對(duì)智能網(wǎng)聯(lián)車、...

2024-09-02 標(biāo)簽:SSD西部數(shù)據(jù)IOTIOTSSDUFS3.1智算中心西部數(shù)據(jù) 4231

MK米客方德存儲(chǔ)卡:TF卡與SD卡的詳細(xì)解讀

MK米客方德存儲(chǔ)卡:TF卡與SD卡的詳細(xì)解讀

在這個(gè)數(shù)字化時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)變得至關(guān)重要。TF卡(TransFlash卡)和SD卡(Secure Digital卡)作為兩種常見(jiàn)的存儲(chǔ)介質(zhì),它們?cè)谖覀兊娜粘I钪邪缪葜匾巧1疚膶钊肓私釺F卡的基本概念...

2024-09-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)卡SD卡TF卡SD卡TF卡存儲(chǔ)卡 2809

三星、SK海力士及美光正全力推進(jìn)HBM產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃

近期,科技界傳來(lái)重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。據(jù)預(yù)測(cè),至2025年,這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬(wàn)個(gè)單位,推動(dòng)年度總產(chǎn)...

2024-08-29 標(biāo)簽:美光SK海力士HBM三星 2168

DNA計(jì)算機(jī)研究取得突破性進(jìn)展:PB級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與高效處理

8月29日,科學(xué)界傳來(lái)振奮人心的消息,一項(xiàng)革命性的研究成果為實(shí)現(xiàn)全功能DNA計(jì)算機(jī)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。研究團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)出一種創(chuàng)新技術(shù),該技術(shù)不僅能在DNA中存儲(chǔ)驚人的PB級(jí)數(shù)據(jù),還能確保這...

2024-08-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)DNA 1658

Rambus推出DDR5客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器,將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品擴(kuò)展到高性能 PC領(lǐng)域

Rambus推出DDR5客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器,將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品擴(kuò)展到高性能

通過(guò)豐富的服務(wù)器內(nèi)存專業(yè)知識(shí)滿足臺(tái)式和筆記本PC日益增長(zhǎng)的AI、游戲和內(nèi)容創(chuàng)作需求 新推出的客戶端產(chǎn)品,包括 DDR5客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器和 SPD Hub 支持先進(jìn)的DDR5客戶端 DIMM,最高運(yùn)行速率達(dá) ...

2024-08-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器內(nèi)存Rambus時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器DDR5 1560

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