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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>

存儲技術

提供全球最前沿存儲技術,云存儲技術、快速存儲技術、虛擬存儲技術、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術等存儲技術新聞、產(chǎn)品信息及技術熱點。
存儲卡參考設計——MK品牌 SD NAND

存儲卡參考設計——MK品牌 SD NAND

為了確保芯片能正常上電初始化,電壓要在0.5V以下至少1ms;電源上升的時候需要保持電源是穩(wěn)定的、持續(xù)上升的,上升到正常工作電壓的時間是0.1ms-35ms;主機關閉電源時,將卡的VDD降至0.5伏以...

2024-08-05 標簽:單片機NAND存儲卡 1724

SK海力士HBM營收暴漲250%

韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發(fā)布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務報告,這份報告展現(xiàn)出了公司在復雜市場環(huán)境下的強勁韌性與增長潛力。盡管全球股市,尤其是美股科技板塊遭...

2024-08-05 標簽:存儲芯片SK海力士HBM 1482

邊緣AI時代已至,如何突破存儲瓶頸?

邊緣AI時代已至,如何突破存儲瓶頸?

AI 智馭未來, 2024 邁入存儲元年 “AI 一天,人間一年”,一句市場流行語完美闡釋了如今AI大模型的高速發(fā)展和廣泛應用。以人們?nèi)粘J褂玫闹悄苁謾C為例,眾多知名廠商在AI浪潮席卷之下,緊...

2024-08-05 標簽:存儲邊緣AI 712

泛林集團推出第三代低溫電介質蝕刻技術Lam Cryo 3.0,助力3D NAND邁向千層新紀元

在半導體技術日新月異的今天,美國領先的半導體設備制造商泛林集團(Lam Research)再次引領行業(yè)創(chuàng)新,正式推出其經(jīng)過嚴格生產(chǎn)驗證的第三代低溫電介質蝕刻技術——Lam Cryo 3.0。這一里程碑式...

2024-08-05 標簽:半導體NAND泛林集團 2171

SK海力士即將亮相FMS 2024,展示AI存儲器技術新突破

SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩,向全球業(yè)界展示其在存儲器技術領域的最新進展與對人工智能(AI)未來的深邃洞察。此次參展,SK海...

2024-08-05 標簽:半導體存儲器AISK海力士 1354

來一發(fā)干貨,一篇文章教會你如何利用PCIe擴展SSD硬盤存儲

來一發(fā)干貨,一篇文章教會你如何利用PCIe擴展SSD硬盤存儲

在當今高性能計算機體系架構中,PCIe(PeripheralComponentInterconnectExpress)通道扮演著數(shù)據(jù)高速傳輸?shù)暮诵慕巧?,以其卓越的傳輸速度、極低的延遲特性以及強大的可擴展能力,在眾多領域熠熠生輝...

2024-08-02 標簽:SSDPCIePCIeSSD硬盤存儲 3818

SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產(chǎn)在即

韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準備工作,并預計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉...

2024-08-02 標簽:半導體閃存NANDSK海力士 2021

SK海力士致力于研發(fā)超400層的NAND閃存芯片

近一年多來,DRAM芯片制造商為爭奪高帶寬內(nèi)存(HBM)市場份額,展開了激烈的研發(fā)競賽。這股競爭浪潮隨著存儲器市場的持續(xù)升溫,逐漸擴展到NAND閃存領域,特別是針對人工智能個人電腦(...

2024-08-02 標簽:閃存DRAMSK海力士 1440

Marvell推出CXL內(nèi)存擴展控制器Structera X 2404

在科技日新月異的今天,服務器技術的迭代升級正以前所未有的速度推進。然而,這一進程也伴隨著資源的巨大消耗與浪費。隨著新一代服務器的不斷涌現(xiàn),大量基于DDR4內(nèi)存的通用服務器即將...

2024-08-01 標簽:控制器內(nèi)存MarvellDDR4 1683

美光量產(chǎn)第九代NAND閃存技術產(chǎn)品

全球領先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術的固態(tài)硬盤(SSD)已正式進入量產(chǎn)出貨階段,標志著美光成為業(yè)界首家達成此里程碑的企業(yè)...

2024-08-01 標簽:閃存NAND美光科技固態(tài)硬盤 1520

SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND

近日,韓國權威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進程,并且已經(jīng)設定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前,全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備...

2024-08-01 標簽:NAND閃存SK海力士 1647

SD卡耐用性全解析:如何找到防水、防摔、抗沖擊的存儲卡

SD卡耐用性全解析:如何找到防水、防摔、抗沖擊的存儲卡

MK米客方德公司憑借其深厚的技術積累和對品質的嚴格把控,推出了一系列SD存儲卡,它們不僅在用料上嚴格標準化,在制成工藝上也嚴格按照標準生產(chǎn)流程進行制作。...

2024-08-01 標簽:存儲卡SD卡存儲器件SD卡sd存儲卡存儲卡存儲器件 2390

三星HBM技術逆襲:NVIDIA認證助力業(yè)績飆升

在8月1日公布的最新財報中,三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存(HBM)領域的強勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示,三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50%,營業(yè)利潤更是達到了6.45萬億韓元,這一成績顯...

2024-08-01 標簽:三星電子NVIDIAHBM 1443

FORESEE XP2300 PCIe SSD:引領AI PC存儲革新的旗艦級解決方案

FORESEE XP2300 PCIe SSD:引領AI PC存儲革新的旗艦級解決方案

隨著AI計算平臺迎來了新一輪升級浪潮,業(yè)界巨頭們紛紛推出了各自的創(chuàng)新產(chǎn)品:NVIDIA的RubinGPU、Intel的至強6處理器、以及AMD的銳龍和EPYC系列處理器,均強調了AI加速的核心地位。這些技術進步...

2024-08-01 標簽:存儲SSDAIAIFORESEESSD存儲 1238

江波龍FORESEE XP2300 PCIe SSD:引領AI PC存儲革新的旗艦級解決方案

江波龍FORESEE XP2300 PCIe SSD:引領AI PC存儲革新的旗艦級解決方案

隨著AI計算平臺迎來了新一輪升級浪潮,業(yè)界巨頭們紛紛推出了各自的創(chuàng)新產(chǎn)品:NVIDIA的Rubin GPU、Intel的至強6處理器、以及AMD的銳龍和EPYC系列處理器,均強調了AI加速的核心地位。這些技術進步...

2024-08-01 標簽:存儲SSD江波龍PCIe SSDAI PC 1211

紫光閃存推出UNIS SSD S2系列產(chǎn)品

近日,紫光旗下的知名品牌——紫光閃存正式宣告,已成功研發(fā)并推出全新UNIS SSD S2系列產(chǎn)品,這款備受期待的產(chǎn)品定位為PCIe 4.0 NVMe 2.0 SSD,將對行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。盡管該系列新品尚未亮相于...

2024-07-31 標簽:SSDPCIe紫光 1640

美光第九代3D TLC NAND閃存技術的SSD產(chǎn)品開始出貨

知名存儲品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆...

2024-07-31 標簽:NAND美光固態(tài)硬盤閃存技術 2035

三星第二季度業(yè)績高于預期,內(nèi)存熱潮推動半導體市場增長

7月31日,據(jù)官方報道,在本周三,韓國最大的半導體制造商三星電子對外公布了其第二季度的財務報表數(shù)據(jù)。這份報表顯示,三星電子在第二季度的總營收達到了驚人的74.07萬億韓元(約合534...

2024-07-31 標簽:半導體三星電子內(nèi)存 1224

存儲廠商上半年業(yè)績飄紅,終端回暖與新品創(chuàng)新效應迭加

存儲廠商上半年業(yè)績飄紅,終端回暖與新品創(chuàng)新效應迭加

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)SK海力士發(fā)布截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務報告,2024財年第二季度結合并收入為16.4233萬億韓元,營業(yè)利潤為5.4685萬億韓元,凈利潤為4.12萬億韓元。...

2024-07-31 標簽:存儲 4415

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業(yè)務后成立的獨立美國...

2024-07-30 標簽:NANDSSDSK海力士 2743

256位1-Wire EEPROM存儲器GXE00產(chǎn)品概述

GXE00是一款 256 位 1-Wire EEPROM的存儲芯片, 用于識別和保存產(chǎn)品的相關信息,識別碼和這些相關信息可以通過最少的接口(例如,微控制器的一個端口)進行訪問。...

2024-07-30 標簽:存儲器EEPROM存儲芯片 1840

美光推出數(shù)據(jù)中心SSD產(chǎn)品美光9550 NVMe SSD新品

美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)近日宣布,推出數(shù)據(jù)中心 SSD 產(chǎn)品美光 9550 NVMe SSD,性能業(yè)界領先,同時具備卓越的 AI 工作負載性能及能效。1美光 9550 SSD 集成了自有的控制器、...

2024-07-29 標簽:SSD數(shù)據(jù)中心美光語言模型 2290

MK米客方德 SD NAND 在行車記錄儀中的應用案例分享

MK米客方德 SD NAND 在行車記錄儀中的應用案例分享

行車記錄儀作為現(xiàn)代汽車的重要組成部分,其對存儲芯片的要求非常高。存儲芯片不僅需要具備高容量和高速度,還必須在惡劣環(huán)境中保持穩(wěn)定的性能。以下是MK米客方德SD NAND在某知名行車記錄...

2024-07-29 標簽:mcu存儲芯片行車記錄儀SD NAND 1711

NAND Flash的擦寫次數(shù)介紹

NAND Flash作為非易失性存儲技術的重要一員,其擦寫次數(shù)是評估其性能和壽命的關鍵因素之一。以下將詳細介紹NAND Flash的擦寫次數(shù),包括其定義、不同類型NAND Flash的擦寫次數(shù)、影響因素、延長壽...

2024-07-29 標簽:NANDFlaSh存儲技術 8226

蘋果計劃在2026年iPhone上啟用2TB存儲,QLC NAND閃存成關鍵

 隨著科技的飛速發(fā)展和用戶對智能手機功能需求的日益增長,蘋果再次在存儲技術上邁出了重要一步。據(jù)國外媒體最新報道,蘋果公司計劃在2026年的iPhone上啟用前所未有的2TB存儲容量,這一...

2024-07-29 標簽:智能手機NANDiPhone存儲qlc 3498

NAND Flash和NOR Flash哪個更好

在討論NAND Flash和NOR Flash哪個更好時,我們需要從多個維度進行深入分析,包括它們的技術特性、應用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢等。...

2024-07-29 標簽:驅動器NANDFlaSh 3810

SDRAM的特點與應用

同步動態(tài)隨機存儲器(Synchronous Dynamic Random Access Memory,簡稱SDRAM)是一種基于同步時鐘的DRAM。...

2024-07-29 標簽:SDRAM存儲器cpu 4738

芯片中的存儲器有哪些

芯片中的存儲器是芯片功能實現(xiàn)的重要組成部分,它們負責存儲和處理數(shù)據(jù)。根據(jù)功能、特性及應用場景的不同,芯片中的存儲器可以分為多種類型。以下是對芯片中主要存儲器的詳細介紹。...

2024-07-29 標簽:芯片存儲器RAM 3567

SDRAM的工作原理和時序分析

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機訪問內(nèi)存)是一種廣泛應用于計算機系統(tǒng)和服務器中的內(nèi)存技術。它具有內(nèi)置控制器,通過與CPU時鐘同步來工作,使得數(shù)據(jù)傳輸更為高效。...

2024-07-29 標簽:SDRAM存儲單元計算機 3056

鐵威馬D8 Hybrid硬盤盒:提供高效安全的數(shù)據(jù)存儲解決方案

在全球范圍內(nèi)的數(shù)字化變革浪潮中,數(shù)據(jù)規(guī)模呈現(xiàn)出令人矚目的指數(shù)式增長,無論企業(yè)還是個人用戶,都面臨著日益嚴重且復雜的數(shù)據(jù)管理及存儲難題。如何才能有效地、安全地存儲并訪問這些...

2024-07-29 標簽:存儲數(shù)據(jù)存儲鐵威馬 1506

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