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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>

存儲技術(shù)

提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點。

DRAM的分類、特點及技術(shù)指標(biāo)

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,是計算機系統(tǒng)中廣泛使用的內(nèi)存類型之一。它以其高速、大容量和相對低成本的特點,在數(shù)據(jù)處理和存儲中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下將詳細...

2024-08-20 標(biāo)簽:DRAMSDRAM存儲器 9724

半導(dǎo)體存儲器的基本結(jié)構(gòu)和分類

半導(dǎo)體存儲器,又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存,是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件,用于讀取和存儲數(shù)字信息。這種存儲器在現(xiàn)代計算機和其他電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色,是數(shù)據(jù)存儲和處理的...

2024-08-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲器只讀存儲器 4641

樂鑫ESP32S3與SD NAND的協(xié)同應(yīng)用|MK-米客方德

樂鑫ESP32S3與SD NAND的協(xié)同應(yīng)用|MK-米客方德

ESP32 S3是樂鑫科技推出的一款集成2.4 GHz Wi-Fi和Bluetooth 5 (LE)的MCU芯片,具備遠距離通信模式,搭載Xtensa? 32位LX7雙核處理器,主頻可達240 MHz,并內(nèi)置512 KB SRAM (TCM)。...

2024-08-20 標(biāo)簽:芯片樂鑫ESP32 4082

三星電子計劃2024年下半年推出CXL存儲

隨著人工智能(AI)領(lǐng)域數(shù)據(jù)處理需求的爆炸性增長,全球存儲廠商正競相研發(fā)下一代存儲解決方案,以應(yīng)對這一挑戰(zhàn)。三星電子在這一賽道上尤為亮眼,其在Compute Express Link(CXL)高速互聯(lián)存...

2024-08-19 標(biāo)簽:存儲AI人工智能 1787

佰維存儲推出工業(yè)級寬溫SD Card & microSD Card,高效穩(wěn)定錄影不掉幀

佰維存儲推出工業(yè)級寬溫SD Card & microSD Card,高效穩(wěn)定錄影不掉幀

近日,針對新一代高性能、高可靠性的工業(yè)視頻監(jiān)控及影像長時間穩(wěn)定錄制要求,佰維存儲推出了 工業(yè)級寬溫 TGC 207 SD Card microSD?Card精選 工業(yè)級3D TLC閃存 顆粒,擦寫次數(shù)(P/E Cycle)達 3000次 ,擁...

2024-08-19 標(biāo)簽:佰維存儲 1192

內(nèi)存擴展CXL加速發(fā)展,繁榮AI存儲

內(nèi)存擴展CXL加速發(fā)展,繁榮AI存儲

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)CXL即Compute Express Link,是一種全新的互連協(xié)議,為各種處理器包括CPU、GPU、FPGA、加速器和存儲設(shè)備提供統(tǒng)一接口標(biāo)準,可以有效解決內(nèi)存墻和IO墻的瓶頸。它通過...

2024-08-18 標(biāo)簽:存儲內(nèi)存2cxl內(nèi)存存儲 7189

3D DRAM內(nèi)嵌AI芯片,AI計算性能暴增

3D DRAM內(nèi)嵌AI芯片,AI計算性能暴增

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)盡管當(dāng)前AI訓(xùn)練主要采用GPU+HBM的方案,不過一些新的技術(shù)仍然希望進一步打破存儲數(shù)據(jù)傳輸帶來的瓶頸問題。最近,NEO半導(dǎo)體宣布開發(fā)其3D X-AI芯片技術(shù),旨在取...

2024-08-16 標(biāo)簽:DRAMAI芯片3D DRAMAI芯片DRAM 5108

SK海力士攜手Waymo提供第三代高帶寬存儲器(HBM2E)技術(shù)

據(jù)最新消息,SK海力士正攜手Waymo,為其標(biāo)志性的自動駕駛汽車項目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲器(HBM2E)技術(shù)。這一合作預(yù)示著隨著自動駕駛技術(shù)的日益普及,HBM不僅將在人工智...

2024-08-15 標(biāo)簽:SK海力士自動駕駛SK海力士waymo自動駕駛 2396

存儲大廠將企業(yè)級SSD容量推向128TB

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)近日,在FMS 2024上,西部數(shù)據(jù)、Solidigm等存儲廠商都展示了面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級SSD,其容量高達128TB。看來,AI時代一舉將SSD需求推向更高的階段。 ? 隨著人工...

2024-08-15 標(biāo)簽:存儲SSD 5124

韓國上半年存儲芯片出口激增

據(jù)南韓媒體報道,今年上半年,韓國存儲芯片對臺灣地區(qū)的出口呈現(xiàn)出驚人的增長態(tài)勢,同比增長率高達225.7%,出口額更是飆升至42.6億美元。這一顯著增長的主要驅(qū)動力來自SK海力士,該公司積...

2024-08-13 標(biāo)簽:臺積電存儲芯片英偉達 1580

2024年AI SSD采購容量預(yù)計突破45EB

隨著人工智能(AI)技術(shù)的飛速發(fā)展,其對于數(shù)據(jù)存儲和處理的需求也呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長。據(jù)知名市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce集邦咨詢的最新報告,由于AI需求的急劇升溫,AI服務(wù)器相關(guān)客戶在最近兩...

2024-08-13 標(biāo)簽:SSDAI人工智能 1327

SK海力士FMS 2024峰會揭秘:UFS 4.1存儲新品引領(lǐng)未來性能飛躍

在近日舉行的FMS 2024峰會上,SK海力士震撼發(fā)布了其存儲技術(shù)的最新成果,其中最為引人注目的便是尚未正式公布標(biāo)準的UFS 4.1通用閃存技術(shù)預(yù)覽。這一前瞻性的展示,不僅彰顯了海力士在存儲領(lǐng)...

2024-08-09 標(biāo)簽:NAND存儲SK海力士UFS 3649

從閃存普惠,到數(shù)字化普惠:極簡全閃數(shù)據(jù)中心引發(fā)的變革
AI魔術(shù)上演前夕,國產(chǎn)存儲早已強勢清場

AI魔術(shù)上演前夕,國產(chǎn)存儲早已強勢清場

逆襲AI,國產(chǎn)存儲已交出答卷...

2024-08-08 標(biāo)簽:存儲AI大模型 4193

是德科技與恩智浦半導(dǎo)體共同推動汽車數(shù)字鑰匙解決方案

是德科技(Keysight Technologies, Inc.)自豪地宣布,其設(shè)備安全研究領(lǐng)域的合作伙伴Riscure Security Solutions已成功協(xié)助恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)獲得了首個汽車連接聯(lián)盟(CCC)數(shù)字鑰匙小程序...

2024-08-08 標(biāo)簽:是德科技恩智浦半導(dǎo)體數(shù)字鑰匙是德科技 1889

三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試

近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應(yīng),明確表示該報道并不屬實。...

2024-08-08 標(biāo)簽:英偉達三星HBM3E 1405

瀚海微SD NAND存儲功能描述(8)專用命令CMD55  56

瀚海微SD NAND存儲功能描述(8)專用命令CMD55 56

應(yīng)用專用命令app_cmd (CMD55) 當(dāng)卡接收到這個命令時,會使卡將下面的命令解釋為一個特定于應(yīng)用程序的命令A(yù)CMD。ACMD提供命令擴展,具有與常規(guī)命令相同的結(jié)構(gòu),并且可能具有相同的CMD號??ㄍㄟ^...

2024-08-08 標(biāo)簽:NAND存儲SDCMD55 2251

SK海力士美國封裝廠獲巨額補貼與貸款支持

近日,SK海力士與美國商務(wù)部共同宣布了一項重大合作進展,雙方已正式簽署了一份具有前瞻性的初步備忘錄。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,SK海力士計劃在美國建設(shè)的先進封裝生產(chǎn)基地將享受到來自美國政...

2024-08-08 標(biāo)簽:內(nèi)存SK海力士SK海力士先進封裝內(nèi)存 1265

美光研發(fā)出世界首款PCIe Gen6 SSD

美光公司近期宣布,已成功研發(fā)出世界首款PCIe Gen6 SSD,這款設(shè)備可實現(xiàn)超26GB/s的順序讀取速度,以此滿足未來數(shù)據(jù)中心需求,再度彰顯其在存儲技術(shù)方面的卓越競爭力。就在最近,他們剛剛推...

2024-08-07 標(biāo)簽:存儲技術(shù)SSD美光PCIe 2275

Solidigm推出兩款數(shù)據(jù)中心固態(tài)存儲硬盤(SSD)

2024年8月7日,上海訊 —— 全球NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新先鋒Solidigm公司今日隆重推出了兩款專為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心設(shè)計的頂級固態(tài)存儲硬盤(SSD):Solidigm D7-PS1010與D7-PS1030。這兩款基于PCIe 5.0接口的超高...

2024-08-07 標(biāo)簽:硬盤存儲SSD 2100

【MK米客方德SD NAND】嵌入式高效存儲

【MK米客方德SD NAND】嵌入式高效存儲

作為全球首家推出基于SLC開發(fā)SD NAND產(chǎn)品的原廠,MK米客方德推動了存儲技術(shù)的創(chuàng)新,為廣大用戶提供了高性能的存儲解決方案。...

2024-08-07 標(biāo)簽:mcu嵌入式NAND存儲mcuNAND存儲嵌入式 1575

Microchip推出高性能第五代PCIe?固態(tài)硬盤控制器系列

Flashtec? NVMe? 5016 控制器經(jīng)過優(yōu)化,可管理不斷增長的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心工作負載 ? 人工智能(AI)的蓬勃發(fā)展和云服務(wù)的快速普及正推動對更強大、更高效和更高可靠性的數(shù)據(jù)中心的需求。為滿...

2024-08-07 標(biāo)簽:microchipPCIe固態(tài)硬盤nvmemicrochipnvmePCIe固態(tài)硬盤固態(tài)硬盤控制器 1729

三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存,技術(shù)再突破

三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實現(xiàn)了對上一代產(chǎn)品0.71mm厚度的顯...

2024-08-07 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存封裝技術(shù) 2106

SK海力士GDDR7顯存性能飆升60%

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商SK 海力士近日宣布了一項重大突破,正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產(chǎn)品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設(shè)計的顯存,憑借其前所未有的高速與卓越性能,再次...

2024-08-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體顯存SK海力士 1572

江波龍SLC NANDFlash存儲芯片出貨量超5000萬顆

江波龍電子近期公布的投資者關(guān)系活動數(shù)據(jù)顯示,公司在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)加大研發(fā)投入,2024年上半年研發(fā)費用較去年同期實現(xiàn)顯著增長,彰顯了其在企業(yè)級、工規(guī)級存儲器,以及自研主...

2024-08-07 標(biāo)簽:NAND存儲芯片江波龍 1544

TDC_GP22模塊的狀態(tài)寄存器為0x0408,粗值計算溢出

TDC_GP22模塊的狀態(tài)寄存器為0x0408,粗值計算溢出

TDC_GP22狀態(tài)寄存器讀數(shù)(0x0408 )錯誤,0x0408 & 0x0600 > 0...

2024-08-07 標(biāo)簽:狀態(tài)寄存器單片機狀態(tài)寄存器 2365

英飛凌2024財年第三季度營收和利潤略有增長

英飛凌2024財年第三季度營收和利潤略有增長

預(yù)計2024財年第四季度業(yè)績表現(xiàn)將進一步改善,整個2024財年的營收預(yù)期符合之前給出的業(yè)績指導(dǎo)范圍 ? 2024財年第三季度:營收為37.02億歐元,利潤達7.34億歐元,利潤率為19.8%。 2024財年第四季度...

2024-08-06 標(biāo)簽:英飛凌 534

西部數(shù)據(jù)攜全新解決方案亮相FMS2024,推動釋放人工智能創(chuàng)新力量

西部數(shù)據(jù)攜全新解決方案亮相FMS2024,推動釋放人工智能創(chuàng)新力量

全新推出的西部數(shù)據(jù)AT EN610是一款車規(guī)級,高性能,支持寬溫工作范圍的存儲解決方案,專為滿足下一代高性能中央計算(High-Performance Centralized Computing, HPCC)架構(gòu)的嚴苛需求而設(shè)計。AT EN610采用...

2024-08-06 標(biāo)簽:存儲人工智能西部數(shù)據(jù) 1157

多家初企積極囤積三星電子高帶寬存儲器芯片

據(jù)多位知情人士透露,面對美國可能加強對華芯片出口的限制,中國科技巨頭如百度、多家大型企業(yè)及初創(chuàng)企業(yè)正積極囤積三星電子生產(chǎn)的高帶寬存儲器(HBM)芯片,以確保技術(shù)發(fā)展的持續(xù)動力...

2024-08-06 標(biāo)簽:三星電子存儲器HBM 1431

三星電子實現(xiàn)低功耗LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)

三星電子于6日正式宣布,其已成功實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存儲器(LPDDR5X DRAM)的量產(chǎn),這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè),同時提供12GB及16GB的存儲容...

2024-08-06 標(biāo)簽:DRAM三星電子存儲器 1779

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