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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。

SK海力士攜手臺(tái)積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來(lái)構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的持續(xù)...

2024-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電內(nèi)存SK海力士HBMHBM4 1603

三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證,加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型

近日,三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào),其高頻寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品HBM3e已成功通過(guò)全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的嚴(yán)格認(rèn)證,標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)?;a(chǎn)階段,預(yù)計(jì)在本季度...

2024-07-18 標(biāo)簽:DRAM三星電子英偉達(dá) 1624

三星電子公布2024年異構(gòu)集成路線圖,LP Wide I/O移動(dòng)內(nèi)存即將面世

三星電子公布2024年異構(gòu)集成路線圖,LP Wide I/O移動(dòng)內(nèi)存即將面世

7月17日,三星電子公布了其雄心勃勃的2024年異構(gòu)集成路線圖,其中一項(xiàng)關(guān)鍵研發(fā)成果引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注——一款名為L(zhǎng)P Wide I/O的創(chuàng)新型移動(dòng)內(nèi)存即將面世。這款內(nèi)存不僅預(yù)示著存儲(chǔ)技術(shù)的又一...

2024-07-17 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存移動(dòng)內(nèi)存 3541

三星HBM3E批量出貨在即,DDR5市場(chǎng)或迎供應(yīng)緊張與價(jià)格上漲

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域,三星電子的每一次技術(shù)突破與產(chǎn)能調(diào)整都牽動(dòng)著市場(chǎng)的神經(jīng)。近期,業(yè)內(nèi)傳出消息,三星電子的HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)存儲(chǔ)器即將完成批量出貨驗(yàn)證,這一消息不僅標(biāo)志...

2024-07-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DDR5三星 1408

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計(jì)劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過(guò)程中引入混合鍵合技術(shù),這一舉措不僅標(biāo)...

2024-07-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SK海力士HBM 1647

單顆256GB,單一封裝達(dá)4TB容量,鎧俠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC開(kāi)始送樣

單顆256GB,單一封裝達(dá)4TB容量,鎧俠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC開(kāi)始送樣

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前,鎧俠宣布,其采用第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的2Tb四級(jí)單元 (QLC) 存儲(chǔ)器已開(kāi)始送樣。這款2Tb QLC存儲(chǔ)器擁有業(yè)界最大容量,將存儲(chǔ)器容量提升到一個(gè)全新的...

2024-07-17 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器鎧俠 5091

國(guó)芯筑夢(mèng) 南天門啟航 科摩思發(fā)布旗艦SSD性能高達(dá)7100MB/s

國(guó)芯筑夢(mèng) 南天門啟航 科摩思發(fā)布旗艦SSD性能高達(dá)7100MB/s

超盈智能科技蟄伏存儲(chǔ)行業(yè)13年,專注于產(chǎn)品封測(cè)和嵌入式存儲(chǔ)解決方案,強(qiáng)勁的產(chǎn)品篩選能力對(duì)產(chǎn)品的來(lái)料有著嚴(yán)格的把控,產(chǎn)品穩(wěn)定性得到高度保證?,F(xiàn)旗下科摩思品牌首次推出消費(fèi)類存儲(chǔ)...

2024-07-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)內(nèi)存SSD固態(tài)硬盤SSD內(nèi)存固態(tài)硬盤存儲(chǔ)科摩思 3118

FeRAM和MRAM的比較

FeRAM,全稱Ferroelectric RAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),是一種基于鐵電材料特性的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。它類似于傳統(tǒng)的SDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),但在存儲(chǔ)單元中使用了具有鐵電性的材料...

2024-07-15 標(biāo)簽:SDRAM存儲(chǔ)器MRAM 3679

簡(jiǎn)述RAM和ROM的區(qū)別

RAM(Random Access Memory,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和ROM(Read-Only Memory,只讀存儲(chǔ)器)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中兩種不同類型的存儲(chǔ)器,它們?cè)跇?gòu)造、用途、存儲(chǔ)原理、數(shù)據(jù)可修改性、數(shù)據(jù)保存、數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度、存...

2024-07-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器ROMRAM 20334

一文讀懂常見(jiàn)存儲(chǔ)器類型

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)的硬件組件,根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)和工作原理的不同,存儲(chǔ)器可以分為多種類型。本文將從易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩大類別出發(fā),詳細(xì)介紹幾種常見(jiàn)...

2024-07-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器cpu計(jì)算機(jī) 9573

SDRAM的發(fā)展經(jīng)歷和工作原理

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中使用最廣泛的內(nèi)存類型之一。它的發(fā)展歷程可以追溯到多個(gè)技術(shù)迭代,每個(gè)階段都帶來(lái)了性能上的顯著提升...

2024-07-15 標(biāo)簽:SDRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 2691

人工智能熱潮驅(qū)動(dòng)HBM需求飆升,行業(yè)巨頭競(jìng)相擴(kuò)產(chǎn)

7月12日,隨著人工智能技術(shù)的日新月異,作為其核心技術(shù)支撐的高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)正成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn),供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì)愈發(fā)明顯。面對(duì)這一挑戰(zhàn),存儲(chǔ)器行業(yè)的領(lǐng)軍者SK海力士、三星與美...

2024-07-12 標(biāo)簽:人工智能SK海力士HBM 1509

鐵威馬推出全新硬盤陣列柜D8 Hybrid

在當(dāng)今這個(gè)數(shù)字化時(shí)代,電腦已成為我們生活中不可或缺的一部分,即便是面對(duì)特殊時(shí)期如口罩時(shí)代,我們也不得不依賴電腦進(jìn)行遠(yuǎn)程工作和學(xué)習(xí)。然而,每當(dāng)換置新電腦時(shí),如何高效、安全地...

2024-07-12 標(biāo)簽:硬盤數(shù)據(jù)存儲(chǔ)鐵威馬 1659

Micron美光科技揭開(kāi)新一代顯存的神秘面紗:GDDR7

Micron美光科技揭開(kāi)新一代顯存的神秘面紗:GDDR7

“游戲加載中……” 假如您是一位游戲玩家,在游戲中面對(duì)突然彈出的“加載中……”提示框時(shí),會(huì)是怎樣的心情?假如您是一位數(shù)據(jù)科學(xué)家,需要多花幾個(gè)小時(shí)等待計(jì)算結(jié)果;或者您是一位...

2024-07-10 標(biāo)簽:DRAMMicron美光科技顯存GDDR 1390

NAND Flash與NOR Flash:壞塊管理需求的差異解析

NAND Flash與NOR Flash:壞塊管理需求的差異解析

NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù),它們?cè)诖鎯?chǔ)單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。...

2024-07-10 標(biāo)簽:mcuNANDFlaSh 4827

佰維存儲(chǔ)第三屆“Factory Tour”即將啟航,誠(chéng)邀夢(mèng)想少年共赴精彩“芯”程!

佰維存儲(chǔ)第三屆“Factory Tour”即將啟航,誠(chéng)邀夢(mèng)想少年共赴精彩“芯”程!

從機(jī)器學(xué)習(xí)到AIGC 從智能手機(jī)到AI手機(jī) 從智能穿戴到空間計(jì)算 每一比特的數(shù)據(jù)躍動(dòng) 都點(diǎn)亮了無(wú)數(shù)的便捷與可能 存儲(chǔ)芯片 以方寸之軀,承載著浩瀚的數(shù)據(jù) 而芯片微型化、高性能、大容量 的“奇...

2024-07-08 標(biāo)簽:佰維存儲(chǔ) 594

AI PC存儲(chǔ):多通道支持PCIe 5.0,PCIe 5.0 SSD越來(lái)越能打

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys數(shù)據(jù)顯示,2024年全球AI PC出貨量將達(dá)到 4800萬(wàn)臺(tái),占個(gè)人電腦(PC)總出貨量的18%。預(yù)計(jì)到2025年,AI PC出貨量將超過(guò)1億臺(tái),占PC總出貨量的40%。到...

2024-07-06 標(biāo)簽:存儲(chǔ)SSDAIPCIePCIe5.0AI PC 6254

三星和鎧俠持續(xù)加大對(duì)NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新

AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動(dòng)著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的飛躍,其中,海量數(shù)據(jù)的激增對(duì)存儲(chǔ)容量與性能提出了更高要求,使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下,全球存儲(chǔ)巨頭如三...

2024-07-05 標(biāo)簽:NANDFlaShqlc鎧俠三星 1984

三星電子HBM3E測(cè)試傳聞引發(fā)熱議,緊急澄清市場(chǎng)誤解

在科技界與金融市場(chǎng)的交匯點(diǎn),一則關(guān)于三星電子HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)芯片通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格質(zhì)量測(cè)試的消息于7月4日悄然傳開(kāi),瞬間點(diǎn)燃了業(yè)界內(nèi)外對(duì)于高性能存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)發(fā)展的無(wú)限遐...

2024-07-04 標(biāo)簽:芯片三星電子存儲(chǔ) 1516

IAEIS 2024 | 佰維存儲(chǔ):深耕車規(guī)存儲(chǔ),賦能汽車智能化發(fā)展

IAEIS 2024 | 佰維存儲(chǔ):深耕車規(guī)存儲(chǔ),賦能汽車智能化發(fā)展

近日,IAEIS 2024第十三屆國(guó)際汽車電子產(chǎn)業(yè)峰會(huì)在深圳召開(kāi),匯聚汽車產(chǎn)業(yè)鏈上下游代表性企業(yè),旨在探討汽車電子行業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力,布局全球產(chǎn)業(yè)鏈,促進(jìn)智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。佰維...

2024-07-03 標(biāo)簽:存儲(chǔ)佰維存儲(chǔ) 5812

存儲(chǔ)芯片廠商紫光國(guó)芯登陸新三板

在科技與創(chuàng)新的浪潮中,西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體股份有限公司正式揚(yáng)帆新三板,這一里程碑事件標(biāo)志著紫光國(guó)芯在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域的深厚積淀與強(qiáng)勁實(shí)力得到了資本市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可。作為紫光集團(tuán)...

2024-07-03 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片紫光國(guó)芯 1967

Intel放棄傲騰持久內(nèi)存200系列

近日,全球半導(dǎo)體巨頭Intel正式宣布了一項(xiàng)重要決定,標(biāo)志著其創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)——傲騰持久內(nèi)存Optane Persistent Memory 200系列正式步入停產(chǎn)退市的歷史階段。根據(jù)官方通知,該系列產(chǎn)品將于2024年1...

2024-07-03 標(biāo)簽:intel內(nèi)存傲騰 2101

AI訓(xùn)練狂飆,DDR5集成PMIC護(hù)航,內(nèi)存技術(shù)持續(xù)助力

AI訓(xùn)練狂飆,DDR5集成PMIC護(hù)航,內(nèi)存技術(shù)持續(xù)助力

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)集正高速增長(zhǎng),與之相適應(yīng)的不僅是HBM的迭代升級(jí),還有用于處理這些海量數(shù)據(jù)的服務(wù)器內(nèi)存技術(shù)的不斷發(fā)展。 ? 以經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)化的AI訓(xùn)練管道流程來(lái)看,...

2024-07-04 標(biāo)簽:服務(wù)器內(nèi)存PMICRambusAIDDR5 5342

浪潮信息推出基于新一代分布式存儲(chǔ)平臺(tái)AS13000G7的AIGC存儲(chǔ)解決方案

浪潮信息推出基于新一代分布式存儲(chǔ)平臺(tái)AS13000G7的AIGC存儲(chǔ)解決方案

6月28日,浪潮信息“元腦中國(guó)行”全國(guó)巡展杭州站順利舉行。會(huì)上,浪潮信息重磅推出基于新一代分布式存儲(chǔ)平臺(tái)AS13000G7的AIGC存儲(chǔ)解決方案。通過(guò)加持EPAI/AIStation的資源調(diào)度能力、新一代分布式...

2024-07-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)浪潮分布式存儲(chǔ)AIGC 2869

被稱為“小號(hào)HBM”,華邦電子CUBE進(jìn)階邊緣AI存儲(chǔ)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)與AI訓(xùn)練以GPU搭配HBM不同,邊緣AI采用何種內(nèi)存方式,DDR、GDDR、LPDDR等適用于不同的場(chǎng)景。日前,華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪接受包括電子發(fā)燒友網(wǎng)在內(nèi)的媒體采訪,...

2024-07-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)華邦電子CUBEHBM邊緣AI 5341

希捷科技任命楊曉東先生為高級(jí)副總裁,領(lǐng)導(dǎo)中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)

希捷科技任命楊曉東先生為高級(jí)副總裁,領(lǐng)導(dǎo)中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)

2024年7月1日——海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先創(chuàng)新者希捷科技(NASDAQ: STX)今天宣布任命楊曉東(Robert Yang)先生為高級(jí)副總裁,領(lǐng)導(dǎo)中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。他將全面負(fù)責(zé)希捷在中國(guó)區(qū)的戰(zhàn)略規(guī)劃、業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)...

2024-07-01 標(biāo)簽:希捷科技 2532

預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲(chǔ)器。三星也在此前表示,將在2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊...

2024-06-29 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器3d nand鎧俠 9991

2024 MWC上海:江波龍?zhí)剿鞔鎯?chǔ)技術(shù)新趨勢(shì)

2024 MWC上海:江波龍?zhí)剿鞔鎯?chǔ)技術(shù)新趨勢(shì)

6月26日至28日,2024 MWC上海在新國(guó)際博覽中心隆重舉行,半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)江波龍亮相展會(huì),并在現(xiàn)場(chǎng)展示其最新成果,與全球行業(yè)精英共同探索存儲(chǔ)在移動(dòng)通信領(lǐng)域的無(wú)限可能。 本次展會(huì),...

2024-06-27 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)江波龍 1213

MK米客方德SD NAND:小容量到大容量的全方位覆蓋

MK米客方德SD NAND:小容量到大容量的全方位覆蓋

高清視頻制作 對(duì)于需要處理4K或8K視頻的專業(yè)視頻制作,大容量SD NAND提供了足夠的空間來(lái)存儲(chǔ)高分辨率視頻文件,確保了視頻編輯和后期處理的流暢性。...

2024-06-25 標(biāo)簽:mcuNAND存儲(chǔ) 1550

SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率達(dá)到56.1%

近日,半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了一項(xiàng)重大技術(shù)突破。據(jù)BUSINESSKOREA報(bào)道,在6月16日至6月20日于美國(guó)夏威夷舉行的半導(dǎo)體盛會(huì)“VLSI 2024”上,韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK hynix(SK海力士)提交了一份關(guān)于3D DRAM(三維...

2024-06-24 標(biāo)簽:DRAM3DSK海力士 2099

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