存儲技術(shù)
提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
耐寬溫、高可靠、高性價比，佰維存儲TGP200系列工規(guī)級SSD賦能工業(yè)應(yīng)用
工業(yè)設(shè)備通常在高低溫、異常斷電、震動、沖擊、臟污等環(huán)境下運(yùn)行，存儲器作為設(shè)備的數(shù)據(jù)中樞，要求支持寬溫工作、高度抗振抗沖擊、掉電保護(hù)以及強(qiáng)電磁兼容性等，以確保嚴(yán)苛環(huán)境下數(shù)據(jù)...
2024-04-03 標(biāo)簽：佰維存儲 1280
押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 4月1日，韓國股市開盤后，存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%，市值已超過 1,000 億美元，受益于投資者持續(xù)買入AI相關(guān)股票，由于市場對于SK海力士高帶寬內(nèi)存（HBM）的需...
三星企業(yè)級SSD計劃漲價，需求激增推動市場格局
這一價格調(diào)整的背后，實(shí)際上反映出市場需求“遠(yuǎn)超預(yù)期”的現(xiàn)實(shí)情況。...
如何利用憶阻器技術(shù)改變高精度的科學(xué)計算
當(dāng)組織成縱橫陣列時，這種憶阻電路通過以大規(guī)模并行方式使用物理定律進(jìn)行模擬計算，從而大大加速矩陣運(yùn)算，這是神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中最常用但非常耗電的計算。...
2024-04-03 標(biāo)簽：電阻器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憶阻器存算一體 1593
江波龍企業(yè)級SSD再度通過OpenCloudOS兼容性認(rèn)證，產(chǎn)品力獲認(rèn)可
近日，江波龍旗下企業(yè)級存儲產(chǎn)品 FORESEE UNCIA 3836系列企業(yè)級SATA SSD 產(chǎn)品完成與 OpenCloudOS/TencentOS相互兼容認(rèn)證 。測試認(rèn)證期間整體運(yùn)行穩(wěn)定，在功能、性能及兼容性方面表現(xiàn)良好。 ? 自研高能...
2024-04-03 標(biāo)簽：江波龍 948
工業(yè)級存儲：工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵要素與挑戰(zhàn)解析
工業(yè)級存儲的廣泛應(yīng)用范圍涵蓋了工業(yè)PLC、工業(yè)HMI、工業(yè)網(wǎng)關(guān)、電力數(shù)據(jù)采集器、電力通訊管理器、工業(yè)控制、能源電力、軌道交通、電力DTU、運(yùn)動控制器等多個領(lǐng)域，并在這些領(lǐng)域中扮演著至...
2024-04-01 標(biāo)簽：風(fēng)力發(fā)電機(jī)工業(yè)控制存儲芯片 1629
超快移動固態(tài)硬盤是什么極速體驗(yàn)？
如果選擇常規(guī)的 USB?C 接口，那么速度將限制在 1000MB/s 左右。例如體驗(yàn)期間同時使用了 MacBook?Pro?16 (M1?Pro，2021) 進(jìn)行測試，英睿達(dá) X10?Pro 的順序讀取速度在 900MB/s，寫入速度在 850MB/s，性能...
一文看懂從DDR1到DDR5的主要區(qū)別和特點(diǎn)
DDR內(nèi)存技術(shù)自問世以來，已經(jīng)經(jīng)歷了多代的迭代和優(yōu)化。每一代DDR內(nèi)存都在性能、容量、功耗和功能上有所提升。...
2024-04-01 標(biāo)簽：SDRAMDDR隨機(jī)存取存儲器 7070
以信任為基，圍繞AI，美光推動存儲革命
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）在數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中，人工智能（AI）已成為推動社會進(jìn)步的關(guān)鍵力量。作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存和存儲解決方案提供商，美光正以其深厚的技術(shù)積累和創(chuàng)新精神，...
群聯(lián)電子：Home Computing助力平民化生成式AI
生成式AI帶動以HBM為代表的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)興盛起來，那么閃存如何助力生成式AI應(yīng)用的普及。群聯(lián)電子在去年整個存儲市場景氣度不足的情況下，依然大幅投入研發(fā)費(fèi)用（約占去年營收的22%），并前...
2024-03-29 標(biāo)簽：閃存UFS群聯(lián)電子生成式AIUFS生成式AI群聯(lián)電子閃存 3625
存儲芯片是什么樣存儲信息的
在存儲信息時，對于動態(tài)存儲器，行地址首先將RAS鎖存于芯片中，然后列地址將CAS鎖存于芯片中，當(dāng)WE有效時，寫入數(shù)據(jù)則被存儲于指定的單元中。...
2024-03-29 標(biāo)簽：集成電路DRAM半導(dǎo)體存儲器存儲芯片隨機(jī)存取存儲器 9533
FORESEE全新工規(guī)級DIMM：高可靠性設(shè)計賦能工業(yè)應(yīng)用
在智能制造與工業(yè)自動化日益精密的今天，數(shù)據(jù)處理的實(shí)時性、穩(wěn)定性和耐久性成為衡量系統(tǒng)性能的關(guān)鍵指標(biāo)，內(nèi)存條作為存儲系統(tǒng)的核心部件，其性能與穩(wěn)定性直接影響到整個系統(tǒng)的運(yùn)行效果...
ODCC春季全會召開| 憶聯(lián)持續(xù)5年以領(lǐng)先技術(shù)為ODCC項(xiàng)目研究提供支持
2024開放數(shù)據(jù)中心委員會（ODCC）春季全會于3月27日-29日在江西省上饒市召開，作為長期的合作伙伴，憶聯(lián)應(yīng)邀參加本次會議，并在新技術(shù)與測試工作組會議上就研究課題開展了匯報與討論。202...
2024-03-28 標(biāo)簽：SSD數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤 1157
DRAM市場面臨雙重壓力：庫存調(diào)整與需求疲軟影響價格走勢
今年市場對DRAM的整體需求并不樂觀。尤其去年第四季度供應(yīng)商的大幅漲價，已經(jīng)讓市場開始擔(dān)憂庫存回補(bǔ)的動能會減弱。...
美光西安封裝和測試工廠擴(kuò)建項(xiàng)目破土動工
2024年3月27日，中國西安 —— 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布其位于西安的封裝和測試新廠房已正式破土動工，進(jìn)一步強(qiáng)化...
2024-03-27 標(biāo)簽： 1627
Telink Python腳本生成工廠數(shù)據(jù)的步驟介紹
工廠數(shù)據(jù)是在制造過程中寫入非易失性存儲器的一組設(shè)備參數(shù)。...
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