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存儲(chǔ)技術(shù)
提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
兆易創(chuàng)新今年Q1凈利超2023全年，NOR Flash出貨量已超212億顆
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）近日，知名存儲(chǔ)芯片廠商兆易創(chuàng)新發(fā)布《2023年年度報(bào)告》以及《2024年第一季度報(bào)告》。存儲(chǔ)芯片行業(yè)在經(jīng)歷一段時(shí)間的市場(chǎng)波動(dòng)后，目前正處于一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期。多...
2024-04-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)芯片NOR flash兆易創(chuàng)新 5280
余震恰逢原廠缺貨期，固態(tài)硬盤或迎新一輪漲價(jià)
今日凌晨，中國(guó)臺(tái)灣東部的花蓮縣連續(xù)發(fā)生地震，最高強(qiáng)度為6.3級(jí)，震源深度10公里，據(jù)中國(guó)地震臺(tái)網(wǎng)分析，本次地震均為4月3日臺(tái)灣花蓮縣海域發(fā)生的7.3級(jí)地震的余震。中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在全球半...
RDMA在高速網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用及其實(shí)現(xiàn)策略
在大型模型應(yīng)用領(lǐng)域，要獲得最佳性能，關(guān)鍵在于精密配置，特別是當(dāng)GPU與InfiniBand網(wǎng)卡協(xié)同工作時(shí)。這里參考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系統(tǒng)，它倡導(dǎo)了一種GPU與InfiniBand網(wǎng)卡一對(duì)一配對(duì)的設(shè)計(jì)理...
2024-04-22 標(biāo)簽：cpugpu適配器計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)RDMA 2413
AI時(shí)代的存儲(chǔ)墻，哪種存算方案才能打破？
回顧計(jì)算行業(yè)幾十年的歷史，芯片算力提升在幾年前，還在遵循摩爾定律。可隨著如今摩爾定律顯著放緩，算力發(fā)展已經(jīng)陷入瓶頸。而且禍不單行，陷入同樣困境的還有存儲(chǔ)。從新標(biāo)準(zhǔn)推進(jìn)的角...
什么是相變存儲(chǔ)器？如何表征相變材料及器件電學(xué)性能？
相變存儲(chǔ)器（Phase-Change Random Access Memory，簡(jiǎn)稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲(chǔ)器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間的相互轉(zhuǎn)換來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ)和擦除，通過(guò)測(cè)...
2024-04-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器 2463
SK海力士和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄 目標(biāo)2026年投產(chǎn)HBM4
4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進(jìn) HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)，目標(biāo)在 2026 年投產(chǎn) HBM4。 根據(jù)雙方簽署的諒解備忘錄，兩家公司初期目標(biāo)是改善 HBM 封裝內(nèi)最底...
企業(yè)存儲(chǔ)設(shè)備資源劃分之存儲(chǔ)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)探究
1.web訪問(wèn)存儲(chǔ)管理頁(yè)面 2.創(chuàng)建硬盤域 根據(jù)業(yè)務(wù)需求調(diào)整硬盤域 3.在硬盤域之上創(chuàng)建存儲(chǔ)池，分別創(chuàng)建一個(gè)文件及存儲(chǔ)StoragePool002和塊級(jí)存儲(chǔ)StoragePool001...
2024-04-19 標(biāo)簽：Web文件系統(tǒng)塊存儲(chǔ) 702
基于FPGA的內(nèi)存128M flash芯片控制器設(shè)計(jì)方案
這款flash芯片的的存儲(chǔ)是一個(gè)扇區(qū)4KB，一個(gè)扇區(qū)可以存256個(gè)字，一個(gè)字是8位，一個(gè)塊是64KB，一共有256個(gè)塊組成一個(gè)存儲(chǔ)flash內(nèi)存。...
2024-04-19 標(biāo)簽：FPGAFlaSh內(nèi)存狀態(tài)寄存器FlaShFPGA內(nèi)存狀態(tài)寄存器芯片控制器 2293
東芝日本裁員情況：計(jì)劃裁員約5000人
據(jù)日本媒體報(bào)道，東芝計(jì)劃在日本本土裁員約5000人，這一數(shù)字占其日本員工總數(shù)的近十分之一。...
2024-04-18 標(biāo)簽：東芝半導(dǎo)體器件機(jī)械硬盤 1624
康盈半導(dǎo)體：嵌入式存儲(chǔ)進(jìn)階，加速AI落地智能穿戴
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）近日，TechInsights可穿戴設(shè)備研究服務(wù)指出，預(yù)計(jì)2024年，全球智能手表的銷量將達(dá)到9100萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)5%；2025年增長(zhǎng)率將進(jìn)一步上升至近8%，到2026年將保持在7%以...
2024-04-18 標(biāo)簽：可穿戴設(shè)備康盈半導(dǎo)體可穿戴設(shè)備嵌入式存儲(chǔ)康盈半導(dǎo)體 3716
鎧俠公司重啟上市計(jì)劃
作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的佼佼者，鎧俠始終站在市場(chǎng)和技術(shù)的前沿。在人工智能技術(shù)的持續(xù)滲透下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求呈現(xiàn)出穩(wěn)健的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。...
2024-04-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器人工智能Nand flash鎧俠Nand flash東芝存儲(chǔ)器人工智能半導(dǎo)體存儲(chǔ)器鎧俠 1496
消息稱三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)
HBM，即高帶寬內(nèi)存，以其獨(dú)特的“樓房設(shè)計(jì)”概念，打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計(jì)局限，憑借出色的性能在市場(chǎng)中贏得了廣泛認(rèn)可。...
2024-04-15 標(biāo)簽：DDR內(nèi)存HBM三星HBM3E 1657
四種不同類型的存儲(chǔ)器介紹
ROM、RAM、DRAM和SRAM都是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)的術(shù)語(yǔ)，它們代表了不同類型的存儲(chǔ)器，各自有不同的特性和用途...
2024-04-15 標(biāo)簽：DRAMROMsramRAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2371
三星/SK海力士DRAM大幅擴(kuò)產(chǎn)，恢復(fù)至削減前水平，存儲(chǔ)新周期開啟
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia的研究報(bào)告，隨著全球需求復(fù)蘇，韓國(guó)內(nèi)存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓投入，有效結(jié)束減產(chǎn)。 ? Omdia在報(bào)告中...
西部數(shù)據(jù)硬盤全線提價(jià)，AI需求激增與供應(yīng)鏈緊張成漲價(jià)雙引擎
西部數(shù)據(jù)高級(jí)副總裁Scott Davis在函件中明確指出，由于市場(chǎng)對(duì)HDD機(jī)械硬盤和SSD固態(tài)硬盤的需求遠(yuǎn)超預(yù)期，導(dǎo)致產(chǎn)品供應(yīng)出現(xiàn)嚴(yán)重短缺。...
2024-04-11 標(biāo)簽：SSDAI固態(tài)硬盤西部數(shù)據(jù)HDD 2304
美光科技擬上調(diào)產(chǎn)品報(bào)價(jià)，漲幅預(yù)計(jì)突破20%
就在幾天前的4月3日，臺(tái)灣花蓮縣海域遭受了一場(chǎng)7.3級(jí)的強(qiáng)烈地震，并伴隨著多次余震，給當(dāng)?shù)貛?lái)了嚴(yán)重的破壞。...
2024-04-10 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND半導(dǎo)體行業(yè) 1372
存儲(chǔ)市場(chǎng)再遇供應(yīng)短缺困境，SSD價(jià)格強(qiáng)勢(shì)上漲引關(guān)注
在消費(fèi)級(jí)SSD市場(chǎng)，價(jià)格也呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)，批發(fā)價(jià)較前一季度上漲了約10%至12%。盡管面對(duì)漲價(jià)要求，大多數(shù)買家表示接受，但也有人對(duì)此提出了警告。...
2024-04-09 標(biāo)簽：SSD固態(tài)硬盤存儲(chǔ)設(shè)備Nand flash三星 1619
關(guān)于同步FIFO和異步FIFO的基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)
FIFO是一種先進(jìn)先出數(shù)據(jù)緩存器，它與普通存儲(chǔ)器的區(qū)別是沒(méi)有外部讀寫地址線，使用起來(lái)非常簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是只能順序讀寫，而不能隨機(jī)讀寫。...
2024-04-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸EDA工具二進(jìn)制計(jì)數(shù)器FIFO存儲(chǔ) 4993
先進(jìn)工藝下的SRAM功耗和性能挑戰(zhàn)
隨著AI設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器訪問(wèn)的要求越來(lái)越高，SRAM在工藝節(jié)點(diǎn)遷移中進(jìn)一步增加功耗已成為一個(gè)的問(wèn)題。...
2024-04-09 標(biāo)簽：CMOSDRAMsram數(shù)據(jù)中心人工智能 2311
如何打造超越英偉達(dá)性能的GPU
PHY 是一種物理網(wǎng)絡(luò)傳輸設(shè)備，它將交換芯片、網(wǎng)絡(luò)接口或計(jì)算引擎上或內(nèi)部的任何數(shù)量的其他類型的接口鏈接到物理介質(zhì)（銅線、光纖、無(wú)線電信號(hào)），而物理介質(zhì)又連接它們相互之間或網(wǎng)絡(luò)...
2024-04-08 標(biāo)簽：DRAMgpu內(nèi)存網(wǎng)絡(luò)傳輸英偉達(dá) 2888
如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新
正如我們?cè)谧畛跎孀鉉elestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時(shí)所討論的那樣，該公司的零件分為三大類：小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺(tái)積電CoWoS的光學(xué)旋轉(zhuǎn)，稱為OMIB。...
韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)新型超低功耗存儲(chǔ)設(shè)備
DRAM是最常用的存儲(chǔ)器之一，速度非?？欤哂幸资蕴匦?，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)消失。NAND閃存是一種存儲(chǔ)設(shè)備，讀/寫速度相對(duì)較慢，但它具有非易失性特性，即使在電源被切斷時(shí)也能保存...
存儲(chǔ)芯片大反彈，三星一季度利潤(rùn)暴漲近10倍
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，三星電子公布了其2024年第一季度的財(cái)報(bào)預(yù)估數(shù)據(jù)，顯示利潤(rùn)有大幅增長(zhǎng)，漲幅近10倍。巨大漲幅的原因主要在于半導(dǎo)體價(jià)格，尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格的大反...
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