存儲技術(shù)
提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點。
以太網(wǎng)存儲網(wǎng)絡(luò)中的擁塞控制與管理策略
當出口隊列利用率超過上升閾值時，Cisco Nexus 9000 交換機可檢測到微突發(fā)。當隊列利用率低于下降閾值時，微突發(fā)結(jié)束。根據(jù)交換機型號的不同，本文撰寫時的最小微突發(fā)粒度為 0.64 微秒，持續(xù)...
2024-02-29 標簽：以太網(wǎng)交換機UDP光纖通道存儲網(wǎng)絡(luò) 1650
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)未來發(fā)展趨勢與前景展望
數(shù)據(jù)存儲對于數(shù)據(jù)挖掘與分析、數(shù)據(jù)整合與共享、智能決策支持、業(yè)務(wù)模式創(chuàng)新以及優(yōu)化資源配置等方面具有重要作用。按照存儲介質(zhì)不同，數(shù)據(jù)存儲技術(shù)主要可分為磁性存儲、光學(xué)存儲以及半...
2024-02-27 標簽：DRAM數(shù)據(jù)存儲EEPROM光存儲DRAMEEPROM光存儲數(shù)據(jù)存儲磁性存儲 6023
“超級光盤”在中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所誕生
存儲容量是普通光盤上萬倍、普通硬盤上百倍的“超級光盤”，在中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所誕生。...
2024-02-25 標簽：光存儲 1914
索尼新突破：半導(dǎo)體激光器讓數(shù)據(jù)存儲邁向30TB時代
日本索尼正通過大規(guī)模生產(chǎn)激光二極管來顯著提升大容量機械硬盤（HDD）的存儲容量，以滿足全球AI數(shù)據(jù)中心日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。...
2024-02-25 標簽：索尼數(shù)據(jù)存儲激光二極管半導(dǎo)體激光器 1201
國內(nèi)光存儲技術(shù)迎重大突破，“超級光盤”誕生，存儲容量超普通光盤萬倍
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）在數(shù)據(jù)爆炸的今天，尤其隨著AI的高速發(fā)展，文字、圖片甚至視頻都開始能夠被AI批量生成，這意味著整個社會即將迎來新一輪的數(shù)據(jù)浪潮。與之相對的是，數(shù)...
我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲新紀元
我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲新紀元 據(jù)新華社的報道，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所與上海理工大學(xué)等合作，在超大容量超分辨三維光存儲研究中取得突破性...
2024-02-22 標簽：光存儲 2515
2023年存儲芯片公司業(yè)績爆冷，存貨周轉(zhuǎn)高達635天，DRAM反轉(zhuǎn)漲價
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）近期，國內(nèi)多家存儲芯片上市公司發(fā)布2023年業(yè)績預(yù)告。為了了解去年存儲芯片企業(yè)的發(fā)展情況，電子發(fā)燒友整理了存儲芯片業(yè)務(wù)占比超50%的上市公司業(yè)績。 ? 存儲...
IBM積極推進Ceph擴展，以打造AI領(lǐng)域的底層數(shù)據(jù)存儲基石
BM正著手擴展Ceph的塊和文件存儲功能，希望將其定位為Storage Scale并行文件系統(tǒng)之下面向AI工作負載的后端數(shù)據(jù)存儲。...
2024-02-20 標簽：IBM數(shù)據(jù)存儲AITCPAIIBMTCP塊存儲數(shù)據(jù)存儲 1151
首顆自研2D MLC NAND Flash！江波龍構(gòu)建完整的存儲芯片垂直整合能力
江波龍研發(fā)布局突破藩籬進入到集成電路設(shè)計領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶高度認可。繼自研SLCNANDFlash系列產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)后，首顆自研32Gb2DMLCNANDFlash也于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支...
ChrentDDR4的特性
DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還在使用DDR4，本文將分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4和前代的DDR3相比，它的速度大幅提升，最高可以達到3200Mb/s，這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴...
存儲器層次結(jié)構(gòu)如何解釋？
存儲器層次結(jié)構(gòu)可以從圖片中清晰的看出來，圖片中共分為六級，越向上的層次，存儲器速度越快，容量更小，造價越高。...
2024-02-19 標簽：DRAM存儲器cpu內(nèi)存cpuDRAM內(nèi)存存儲器網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器 2200
NAND Flash的寫入速度和擦除速度分別是多少
NAND Flash的寫入速度和擦除速度會受到多種因素的影響，包括Flash芯片的具體型號、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此，無法給出確切的數(shù)值。...
2024-02-19 標簽：NANDFlash存儲器Nand flash 7310
nandflash和norflash的主要特點和區(qū)別
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場效應(yīng)晶體管（Floating Gate FET）的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極（Source）、漏極（Drain）、控制柵（Control Gate）和浮柵（Floating Gate）。...
2024-02-19 標簽：場效應(yīng)晶體管Nand flashNOR flash 3461
NOR FLASH的結(jié)構(gòu)和特性及原理圖
與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機訪問性能。...
淺談flash存儲器的特點和優(yōu)缺點
Flash存儲器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對存儲器進行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。...
MRAM特性優(yōu)勢和存儲原理
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯...
DRAM存儲器為什么要刷新
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。...
AI時代，傳統(tǒng)HDD硬盤的出路是什么？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）隨著存儲技術(shù)的進一步發(fā)展，以及大家對于存儲性能的看法發(fā)生了潛移默化的改變，HDD硬盤似乎在慢慢淡出普通消費者的視野。而AI的加速更是讓這一趨勢變得更...
Tech Talk：解讀閃存原理與顆粒類型
NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求...
簡述存儲器的層次結(jié)構(gòu)及其分層原因
存儲器的層次結(jié)構(gòu)是計算機系統(tǒng)中存儲器的層次化組織，分為多個層次，每個層次具有不同的訪問速度、容量和成本。...
2024-02-05 標簽：DRAM寄存器存儲器cpu計算機系統(tǒng) 4067
動態(tài)存儲器和靜態(tài)存儲器的區(qū)別
SRAM 中的每個存儲單元由多個觸發(fā)器構(gòu)成。每個觸發(fā)器可以存儲一個位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。...
2024-02-05 標簽：DRAM存儲器sram靜態(tài)存儲器DRAMsramzram存儲器靜態(tài)存儲器 7503
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