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存儲(chǔ)技術(shù)
提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價(jià)格暴漲
消息人士指出，NAND封裝短缺對(duì)供應(yīng)鏈的全面影響可能需要兩到三個(gè)月的時(shí)間，屆時(shí)一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤的價(jià)格將 "暴漲"。...
FORESEE XP2200系列SSD推出M.2 2280規(guī)格
自從NANDFlash進(jìn)入3D時(shí)代，3DNAND從單純提高制程工藝轉(zhuǎn)變?yōu)槎询B多層，成功解決了平面NAND在增加容量的同時(shí)性能降低的問題，實(shí)現(xiàn)容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。近日，F(xiàn)ORESEEXP2200系列...
手機(jī)AI大模型來襲，存儲(chǔ)來到16GB+512GB？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）手機(jī)處理器廠商最先引領(lǐng)了AI大模型在手機(jī)上的落地。去年下半年以來，高通、聯(lián)發(fā)科相繼發(fā)布最新處理器，都開始支持AI大模型。 ? 驍龍8 Gen3是高通首款以生成...
2024-01-19 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科AI大模型AI大模型AIAI大模型大模型天璣9300聯(lián)發(fā)科 8817
英特爾重返龍頭，英偉達(dá)首次躋身前五
由于全球存儲(chǔ)芯片需求銳減，拖累了2023年全球半導(dǎo)體營(yíng)收萎縮11%至5330億美元。其中，2023年全球存儲(chǔ)芯片營(yíng)收暴跌37%，DRAM暴跌38.5%至484億美元，NAND Flash暴跌37.5%至362億美元。...
2024-01-19 標(biāo)簽：英特爾DRAMNand flash英偉達(dá)三星 948
LLW DRAM：AI智能手機(jī)時(shí)代的財(cái)富密碼
LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存，擁有寬I/O、低延遲、每個(gè)模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬，與一個(gè)128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。...
2024-01-17 標(biāo)簽：智能手機(jī)DRAM片上系統(tǒng)AI三星 1315
ufs3.1和ufs4.0有什么區(qū)別？ufs4.0和ufs3.1實(shí)際使用區(qū)別
ufs3.1和ufs4.0有什么區(qū)別？ufs4.0和ufs3.1實(shí)際使用區(qū)別? UFS是一種高速、節(jié)能、可靠的非易失性存儲(chǔ)器，旨在提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更好的用戶體驗(yàn)。在這里，我們將詳細(xì)討論UFS 3.1和UFS 4.0之間...
2024-01-17 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸UFS非易失性存儲(chǔ)器 46290
康芯威亮相CES 2024 多元化存儲(chǔ)解決方案大放異彩
當(dāng)?shù)貢r(shí)間2024年1月12日，CES （國(guó)際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展）在美國(guó)拉斯維加斯完美謝幕，為期4天的科技盛宴吸引了全球4000余家科技企業(yè)參展，中國(guó)企業(yè)在其中的占比也逐年遞增。 作為科技行業(yè)的“...
2024-01-16 標(biāo)簽：康芯威 964
長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC411 1TB SSD詳細(xì)評(píng)測(cè)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧Xtacking架構(gòu)的原理就是在兩片獨(dú)立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更高的密度、更快的速度。...
2024-01-16 標(biāo)簽：DRAMSSDNAND閃存PCIe長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3494
SK海力士：挑戰(zhàn)美國(guó)限制，推進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。...
2024-01-16 標(biāo)簽：DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 987
SK海力士計(jì)劃提升中國(guó)無錫工廠技術(shù)水平，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇，SK海力士認(rèn)識(shí)到，為了保持市場(chǎng)地位，推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。...
2024-01-15 標(biāo)簽：DRAMSK海力士EUV光刻機(jī) 2298
M.2接口的固態(tài)硬盤有何優(yōu)勢(shì)？
M.2接口的固態(tài)硬盤有何優(yōu)勢(shì)？ M.2接口的固態(tài)硬盤(M.2 SSD)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備中的一種快速、高容量解決方案。與傳統(tǒng)的SATA接口的固態(tài)硬盤相比，M.2接口的固態(tài)硬盤具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。 首先...
2024-01-15 標(biāo)簽：SSD固態(tài)硬盤計(jì)算機(jī)存儲(chǔ) 4429
三星電子轉(zhuǎn)型之路：應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，聚焦超級(jí)差距技術(shù)
三星電子現(xiàn)在的目標(biāo)是在新興的高密度存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域趕上競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，計(jì)劃到2024年將容量提高2.5倍。HBM是一種能夠更快地處理數(shù)據(jù)的先進(jìn)芯片，可與硬件配合使用，例如英偉達(dá)的加速器，用于加...
2024-01-12 標(biāo)簽：DRAM三星電子人工智能數(shù)據(jù)處理存儲(chǔ)芯片 968
一文詳解具備Quad SPI接口的8Mbit FeRAM
作為當(dāng)今存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，非易失性存儲(chǔ)器（FeRAM）正逐漸成為市場(chǎng)上的主流存儲(chǔ)解決方案。...
2024-01-11 標(biāo)簽：緩沖器EEPROM電源電壓SPI接口非易失性存儲(chǔ)器 2647
NAND Flash市場(chǎng)動(dòng)態(tài)：需求擴(kuò)大與價(jià)格漲勢(shì)
在2024年第一季度，NAND Flash及其相關(guān)產(chǎn)品的價(jià)格預(yù)計(jì)將呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)。盡管面臨傳統(tǒng)淡季需求下降的情況，采購(gòu)活動(dòng)仍在持續(xù)擴(kuò)大，以建立安全庫(kù)存水位。...
2024-01-11 標(biāo)簽：智能手機(jī)SSDNand flashemmcUFS 2041
三星財(cái)報(bào)：存儲(chǔ)市場(chǎng)疲軟，尋求新增長(zhǎng)點(diǎn)
去年第四季度，三星營(yíng)業(yè)利潤(rùn)下降35%，至2.8萬億韓圓（約合人民幣153億元），遜于分析師的平均預(yù)期3.7萬億韓圓。公司該季度營(yíng)收為67萬億韓圓（約合3664億元），低于分析師平均預(yù)期的70.31萬億...
市場(chǎng)需要密切關(guān)注8個(gè)存儲(chǔ)趨勢(shì)
Boland指出存在三種主要的存儲(chǔ)類型：對(duì)象、塊和文件。他說，“對(duì)象存儲(chǔ)是唯一能夠以EB規(guī)模提供低成本和高性能的存儲(chǔ)。”Boland補(bǔ)充說，最近的IDC調(diào)查顯示，80%的受訪者認(rèn)為對(duì)象存儲(chǔ)可以支持...
2024-01-10 標(biāo)簽：網(wǎng)絡(luò)安全SSD數(shù)據(jù)庫(kù) 1066
MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和FRAM（鐵電RAM）有何區(qū)別
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。...
2024-01-09 標(biāo)簽：電容器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)framMRAM 3128
固態(tài)硬盤、U盤和機(jī)械硬盤：不同存儲(chǔ)設(shè)備之間的特點(diǎn)與選擇
固態(tài)硬盤、U盤和機(jī)械硬盤：不同存儲(chǔ)設(shè)備之間的特點(diǎn)與選擇? 固態(tài)硬盤（SSD），U盤和機(jī)械硬盤（HDD）是常見的存儲(chǔ)設(shè)備，在電腦和其他電子設(shè)備中廣泛使用。每種存儲(chǔ)設(shè)備都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和...
談?wù)凬RAM的“用武之地”
NRAM是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點(diǎn)：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM芯片的可擴(kuò)展性和對(duì)閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。...
2024-01-09 標(biāo)簽：DRAM閃存芯片人工智能伺服驅(qū)動(dòng)器 1907
深入探索MRAM的原理與技術(shù)
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯...
2024-01-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器sramMRAM非易失性存儲(chǔ)器 3023
一文介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫過程
ram也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫（刷新時(shí)除外）且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。...
2024-01-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器cpuRAM易失性存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5890
憶聯(lián)多項(xiàng)存儲(chǔ)產(chǎn)品通過Intel VROC技術(shù)認(rèn)證
UH711a面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用場(chǎng)景而開發(fā)，針對(duì)數(shù)據(jù)中心級(jí)業(yè)務(wù)場(chǎng)景及負(fù)載Workload IO模型，UH711a具有全面的性能優(yōu)化能力，結(jié)合One Time Read、智能多流、SR-IOV等多種特性，可為數(shù)據(jù)中心提供更高性價(jià)比的...
2024-01-09 標(biāo)簽：英特爾SSD數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤nvme 1364
狹義EEPROM和廣義EEPROM有什么區(qū)別？
這種ROM的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。...
MicroSD卡如何轉(zhuǎn)接成SD卡？
SD卡套主要用于將TF卡（MicroSD卡）轉(zhuǎn)接成SD卡的形狀，以實(shí)現(xiàn)TF卡在SD卡插槽中的兼容性...
2024-01-11 標(biāo)簽：MicroSD卡sd存儲(chǔ)卡 4048
九種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的類型及工作原理
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對(duì)其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔?，而不是遵循?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位之間的訪問時(shí)間。...
2024-01-06 標(biāo)簽：cpuPROM計(jì)算機(jī)內(nèi)存EEPROM 4155
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