存儲技術(shù)
提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點。
DPTR是什么寄存器？DPTR寄存器能訪問片內(nèi)地址嗎
DPTR通常在一些微處理器和微控制器中使用，特別是在一些基于8051架構(gòu)的系統(tǒng)中。它是一個16位的寄存器，可以存儲從0x0000到0xFFFF之間的地址。...
首顆自研2D MLC NAND Flash！江波龍構(gòu)建完整的存儲芯片垂直整合能力
江波龍研發(fā)布局突破藩籬進入到集成電路設(shè)計領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶高度認可。繼 自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn) 后，首顆 自研32Gb 2D MLC NAND Flash 也于近日問世。該產(chǎn)品采用 BGA...
存儲市場風云再起！關(guān)鍵閃存芯片緊缺，SSD價格大幅上漲
對于單面設(shè)計的M.2 2280 SSD，都需要四顆閃存封裝芯片，2TB、4TB這種越來越普及的容量就得用到關(guān)鍵的4-die、8-die封裝。...
SK海力士持續(xù)投資無錫的原因
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。...
2024-01-31 標簽：DRAM半導體產(chǎn)業(yè)存儲芯片光刻機SK海力士 1759
電感在磁性存儲器中的作用是什么？
電感在磁性存儲器中的作用是什么？ 電感是一種能夠儲存和釋放磁能的被動電子元件，它在磁性存儲器中扮演著重要的角色。磁性存儲器是一種利用磁性記錄信息的設(shè)備，例如硬盤驅(qū)動器（H...
SD卡是什么？TF卡又是什么？它們兩個有什么區(qū)別
SD卡是什么？TF卡又是什么？它們兩個有什么區(qū)別? SD卡和TF卡眾所周知都是用來存儲數(shù)據(jù)使用的小卡片存儲介質(zhì)，所以我們都統(tǒng)一稱為SD存儲卡，是用于手機、數(shù)碼相機、便攜式電腦、MP3和其他...
AI大模型加速落地! 西部數(shù)據(jù)助力數(shù)據(jù)中心智能化升級
面對AI大模型的發(fā)展和普及，西部數(shù)據(jù)作為全球數(shù)據(jù)存儲解決方案提供商，如何看待這種浪潮到來，生成式AI技術(shù)發(fā)展對現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施部署工作帶來哪些挑戰(zhàn)？對存儲產(chǎn)品帶來了哪些新的發(fā)展機...
2024-02-18 標簽：SSD數(shù)據(jù)中心西部數(shù)據(jù)HDDAI大模型HDDSSD數(shù)據(jù)中心西部數(shù)據(jù) 6272
簡單介紹下PWM原理與設(shè)計
能夠看到，當一個正弦波信號經(jīng)過比較器出來以后，就成為了一個方波信號（PWM信號）。從廣義的角度上來說，PWM信號是模擬信號，可以所所有的信號都是模擬的，數(shù)字信號是我們將其所謂的高...
彰顯全球影響力 | 佰維存儲榮獲印度“增長最快的閃存制造商品牌”
近日，佰維亮相印度第15屆DT Awards 2023頒獎盛典，公司憑借在存儲技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品競爭力以及市場服務(wù)方面的突出表現(xiàn)，斬獲了“ 增長最快的閃存制造商品牌 ”大獎。 ? 佰維消費級業(yè)務(wù)經(jīng)理R...
2024-01-25 標簽：佰維存儲 952
DRAM漲價潮：廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增，持續(xù)尋求利潤改善
報導指出，因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場過剩情況緩解，2023年11月DRAM批發(fā)價約2年半來首度呈現(xiàn)揚升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利，今后將持續(xù)要求漲價。...
2024-01-25 標簽：DRAM存儲芯片Nand flashSK海力士 1061
存儲芯片市場升溫，DRAM價格連續(xù)兩個月上漲
存儲模組大廠威剛發(fā)布2023年財報數(shù)據(jù)，2023年全年合并營收達337億新臺幣，同比下降3.9%。...
緩存大小對CPU性能的影響解析
為了保證L1訪問延時可以做的足夠低，通常需要設(shè)計L1的associativity盡量小。因此在Sunny Cove之前通常為8 way。這里Sunny Cove增加了一個cycle的L1訪問延時，不確定是由TLB的改動引起的還是L1 associativ...
鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。...
SK海力士回應(yīng)出售中國大連工廠傳聞：暫無此計劃
針對美國媒體有關(guān)SK海力士準備出售中國大連工廠的報道，該韓國存儲芯片巨頭做出了回應(yīng)，明確表示目前沒有計劃出售該工廠。...
2024年DRAM投片量：一季度微增，下半年劇增
DRAM稼動率緩步改善，業(yè)界認為，整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升，較2023年第4季小幅提升約5%左右，下半年投片量回升速度將明顯加快。...
2024-01-23 標簽：DRAM存儲芯片Nand flash 1193
關(guān)于磁盤驅(qū)動器的四個問題
磁盤驅(qū)動器也可以被視為輸入設(shè)備，因為用戶可以通過鍵盤或鼠標等輸入設(shè)備將數(shù)據(jù)輸入到計算機，并將這些數(shù)據(jù)存儲在磁盤驅(qū)動器中。...
2024-01-22 標簽：處理器操作系統(tǒng)輸入設(shè)備驅(qū)動程序處理器操作系統(tǒng)輸入設(shè)備驅(qū)動程序 3586
臺積電引領(lǐng)新興存儲技術(shù)潮流，功耗僅為同類技術(shù)的1%
MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅(qū)動，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。...
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