與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤相比，固態(tài)硬盤有著速度快、重量輕、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，可謂是當(dāng)下裝機(jī)中的必需品。雖然固態(tài)硬盤的優(yōu)勢很多，但缺點(diǎn)也不少，例如“容量低”和“價(jià)格高”就是阻礙固態(tài)硬盤進(jìn)一步普及的原因，很多用戶在有限的預(yù)算下為了兼顧速度和大容量存儲，只能選擇小容量固態(tài)硬盤于機(jī)械硬盤組合搭配的折中方案。

多年來的閃存顆粒的演變致力于平衡這個(gè)問題，從早期的Single-Level Cell顆粒（以下簡稱SLC）、到Multi-Level Cell顆粒（以下簡稱MLC）,再到現(xiàn)在的主流Trinary-Level Cell顆粒（以下簡稱TLC），閃存顆粒中每個(gè)Cell所存儲的bit數(shù)量越來越大，每GB的價(jià)格也越來越低。當(dāng)然這也有副作用，更繁瑣的尋址會加速顆粒老化和同容量下更低的性能，所以每次新一代閃存顆粒面世時(shí)都會引起廣大用戶的爭論。

當(dāng)市場中“TLC黨”和“MLC黨”還在爭論的時(shí)候，三星存儲發(fā)布了一款2.5英寸SATA接口的860 QVO固態(tài)硬盤，這是三星首款QLC顆粒的消費(fèi)級固態(tài)硬盤，直接1TB起步、另有2TB和4TB可選，官方宣傳持續(xù)讀取速度高達(dá)550MB/s，持續(xù)寫入速度520MB/s，4K隨機(jī)讀寫（QD32）性能達(dá)到96K和86K IOPS，兼顧大容量與高性能。下面我們就通過幾項(xiàng)測試來看看這款產(chǎn)品的實(shí)際體驗(yàn)如何!

一．外觀賞析和機(jī)身拆解

三星860QVO的外包裝和860EVO相似，延續(xù)了簡潔、大氣的設(shè)計(jì)風(fēng)格。QVO的產(chǎn)品后綴則表明了這是一款采用QLC顆粒的產(chǎn)品。

硬盤外殼由全金屬打造，表面經(jīng)過了磨砂處理，非常具有質(zhì)感。

標(biāo)準(zhǔn)的SATA3接口和電源供電接口。

拆開外殼，我們可以看到硬盤內(nèi)部，860QVO的PCB板可以用“短小精悍”來形容。

主控、NAND閃存顆粒和緩存焊在了PCB板正面。

一顆64層堆疊的4bit QLC NAND芯片，容量為1TB，質(zhì)保壽命為3年或360TBW，約為860EVO的一半，從理論上來講應(yīng)付日常使用綽綽有余。

影響固態(tài)硬盤性能的除了閃存顆粒以外，主控也非常重要。三星860QVO采用了和860EVO同款的MJX主控，這款主控飽受市場考驗(yàn)，穩(wěn)定性和性能都有保障。

1GB LPDDR4緩存，用于輔助提高讀寫速度。

背部的PCB預(yù)留了一個(gè)空焊位，2TB版本的860QVO會在1TB版的基礎(chǔ)上多一顆64層堆疊的4bit QLC NAND芯片。

二．測試平臺介紹

進(jìn)行硬盤性能測試前，先簡單介紹一下測試平臺的軟硬件。

Intel 酷睿i9-9900K搭配了華碩ROG MAXIMUS XI GENE使用，華碩ROG MAXIMUS XI GENE采用Z390芯片組，10相CPU核心供電和2相Uncore供電，并擁有極強(qiáng)的拓展性，可以說是近些年來最為豪華的mATX規(guī)格主板了。

英偉達(dá)公版RTX 2080顯卡：

內(nèi)存方面選擇了兩條芝奇幻光戟DDR4-3200 8GB C14組成雙通道，較高的頻率和極低的時(shí)序使其無論是寫入性能、讀取性能、還是內(nèi)存延遲表現(xiàn)都非常不錯(cuò)。

測試平臺一覽：

測試前先安裝最新版本的SANSUNG MagicianSoftware，檢查硬盤信息、確認(rèn)已開啟ACHI模式，并將固件更新至最新版本。

三．基準(zhǔn)性能測試

首先使用CrystalDiskInfo檢測硬盤的使用狀態(tài)，可以看到三星860QVO雖然是面向中端用戶的低價(jià)產(chǎn)品，但S.M.A.R.T、NCQ、TRIM、DevSleep等技術(shù)都被保留了下來，這值得肯定。

使用官方軟件SANSUNG MagicianSoftware進(jìn)行測試，順序讀取速度為559MB/s、順序?qū)懭胨俣?28MB/s；隨機(jī)讀取94K IOPS、隨機(jī)寫入86K IOPS。

在AS SSD Benchmark和CrystalDiskMark兩項(xiàng)常規(guī)的硬盤測試軟件中，三星860QVO的讀取和寫入速度都能達(dá)到500MB/s左右，4K讀寫穩(wěn)定在300MB/s以上，和官方宣傳數(shù)據(jù)基本一致，也與SATA接口TLC顆粒的固態(tài)硬盤處于同一個(gè)水平線上。

在ATTO Disk Benchmark測試中，860QVO的最大讀取速度為561MB/s、最大寫入速度為528MB/s，同樣非常出色。

另一項(xiàng)測試TxBench中，860QVO的順序讀取速度達(dá)到了561MB/s、順序?qū)懭胱畲笾禐?31MB/s；4K QD32讀寫速度也達(dá)到了363MB/s和345MB/s。

四．大容量持續(xù)讀寫測試

為了進(jìn)一步檢測三星860QVO的性能，我們使用HD TUNE對其進(jìn)行全盤寫入壓力測試?？梢钥吹?，在空盤狀態(tài)下三星860QVO的寫入速度能穩(wěn)定在330MB/s以上，證明了：當(dāng)寫入文件大小沒有超出SLC緩存時(shí)成績非常不錯(cuò)。

但寫入過半后，三星860QVO的成績斷崖式下跌到了70MB/s左右，可見在SLC緩存被寫爆后、QLC顆粒的硬盤速度確實(shí)會受到顯著影響。

為了進(jìn)一步驗(yàn)證，我們在970EVO PLUS系統(tǒng)盤中找到了一個(gè)高達(dá)62.6GB的超大文件，并將其拷貝到860QVO中。通過Windows10自帶的資源管理器，我們可以看到在前40GB時(shí)，平均復(fù)制速度高達(dá)450MB/s，但后期的復(fù)制速度也出現(xiàn)了顯著的下降。

五．總結(jié)

從我們的測試中可以看到，三星860QVO的緩內(nèi)讀寫速度都非常不錯(cuò)，達(dá)到了官方宣傳的水平，并和市面上主流的SATA3接口TLC固態(tài)硬盤基本相當(dāng)。

當(dāng)數(shù)據(jù)寫入量超出SLC緩存后，硬盤性能會下降很多，但鑒于大部分用戶并不會經(jīng)常做超大文件讀寫，所以三星860QVO面對日常的辦公和游戲還是毫無壓力的。

另外，價(jià)格低也是它的突出賣點(diǎn)，作為國際一線存儲廠商推出的原片固態(tài)，三星860QVO的1TB版價(jià)格僅需769元，比860EVO 1TB版便宜300元左右（參考京東自營旗艦店），折合下來1GB不到0.8元。對于那些使用PC做輕度辦公、或想給老電腦升級的用戶來說，三星860QVO在較低的價(jià)格下提供了遠(yuǎn)超機(jī)械硬盤的性能，是非常理想的購買選擇。