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中芯技術(shù)能否超臺(tái)積電,為華為全面供貨?

如意 ? 來(lái)源:百家號(hào) ? 作者:LeoGo科技 ? 2020-06-24 11:05 ? 次閱讀
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【中芯技術(shù)是否能超過(guò)臺(tái)積電?并且能為華為全面供貨,解決燃眉之急呢】

美國(guó)的實(shí)體清單就像是緊箍咒一般,給華為的芯片發(fā)展帶來(lái)了不可言喻的禁錮。而我們也知道,華為采取了多種措施來(lái)解決這種束縛,比如華為和中芯國(guó)際合作,推出了14納米的麒麟710A處理器;比如華為推出了聯(lián)發(fā)科的處理器手機(jī),這些都說(shuō)明了,華為并沒(méi)有坐以待斃,反而積極采取措施來(lái)解決在芯片方面被束縛的問(wèn)題。

實(shí)際上,臺(tái)積電也并沒(méi)有明確的表示,不給華為提供芯片代工,但是美國(guó)的政策,如果華為需要進(jìn)行芯片代工,它就必須要獲得美國(guó)方面的批準(zhǔn),這樣的一條政策,確實(shí)對(duì)于華為在芯片發(fā)展中帶來(lái)了一定的影響,臺(tái)積電需要思考,在給華為在芯片代工方面的一些持續(xù)問(wèn)題。

我們現(xiàn)在考慮的是,中芯國(guó)際有沒(méi)有能力趕超臺(tái)積電,能夠達(dá)到臺(tái)積電,目前5nm工藝制程的需求呢?

中芯國(guó)際我們所知的是它的N+1、N+2芯片工藝研發(fā),這個(gè)技術(shù)確實(shí)接近于臺(tái)積電7nm工藝,這種技術(shù)能夠帶來(lái)芯片整體性能能夠提高20%,功耗直接降低57%,晶體管邏輯面積減少63%,SOC面積直接減少55%。

而中芯國(guó)際的N+2工藝性能應(yīng)該更顯眼,而根據(jù)預(yù)計(jì),中芯國(guó)際N+1工藝很可能在將會(huì)在2020年第四季度正式投入量產(chǎn),確實(shí)能夠?qū)τ谌A為的芯片發(fā)展起到一定的緩解作用。可是,缺乏ASML的光刻機(jī),在技術(shù)能力,產(chǎn)能表現(xiàn)等等方面,還是于臺(tái)積電有一定的差異,想要完全的達(dá)到臺(tái)積電技術(shù),中芯國(guó)際還有很長(zhǎng)一段路要走,我覺(jué)得彎道超車(chē)的可能性偏小。

在目前國(guó)際工藝制程中,中興國(guó)際如果持續(xù)走相同的路,要趕超臺(tái)積電等企業(yè)的步伐,我覺(jué)得可能還是相對(duì)比較低的;我們只有走另外一條路。走出一條與國(guó)際社會(huì)公益支撐不同的路,才有可能彎道超車(chē),真正的解決芯片制造問(wèn)題。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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