日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

COVID-19大流行對(duì)存儲(chǔ)器市場造成了哪些大的影響

牽手一起夢 ? 來源:半導(dǎo)體文摘Semiconductor Di ? 作者:佚名 ? 2020-10-09 15:48 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來自Semiconductor Digest半導(dǎo)體文摘網(wǎng)站的一篇分析文章指出:雖然很容易想象,一場導(dǎo)致大范圍封鎖的全球流行病可能會(huì)對(duì)需求產(chǎn)生負(fù)面影響。也許一個(gè)更具啟發(fā)性的問題是,是否有任何需求部門受到COVID-19的積極影響。簡短的回答是肯定的。在這場危機(jī)中,數(shù)據(jù)中心是最大的贏家之一,這里可以分享一些事例來說明這一點(diǎn)。

第一個(gè)例子是Netflix。在過去八年中,Netflix平均每季度新增約450萬客戶。在第一季度至第20季度,世界上大部分地區(qū)都處于關(guān)閉狀態(tài),我們看到了媒體流的巨大激增。結(jié)果是,Netflix在2012年第1季度有近1600萬新用戶,是平均水平的3倍多,比之前的記錄高出60%,而第一季度北美和歐洲大部分地區(qū)的用戶僅關(guān)閉了幾周。顯然,這對(duì)流媒體和承載流媒體的數(shù)據(jù)中心來說是個(gè)福音。

另一個(gè)需求激增的領(lǐng)域是游戲業(yè)。在線游戲平臺(tái)Steam在關(guān)閉前的六個(gè)月內(nèi)平均每天有1600萬用戶。在關(guān)閉期間,它平均每天有2300萬用戶,需求猛增近50%。

推動(dòng)數(shù)據(jù)中心需求的其他類別還包括在線購物和視頻會(huì)議服務(wù),如Zoom和WebEx,隨著世界適應(yīng)“在家工作”,這些服務(wù)正在取代面對(duì)面的互動(dòng)方式。

在COVID之前,我們預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)中心在2020年將產(chǎn)生約380億美元的內(nèi)存(memory)收入,收入加權(quán)到下半年。今天,我們預(yù)計(jì)收入將略有增加,但在上半年和下半年卻出現(xiàn)平均分配的情況。從本質(zhì)上講,上半年需求的激增改變了2020年需求對(duì)半的態(tài)勢。云服務(wù)提供商今年以來一直是大買家,因?yàn)樗麄兛吹搅诵枨蟮娘@著上升,并增加了庫存,以對(duì)沖COVID可能導(dǎo)致的任何潛在供應(yīng)鏈中斷。此外,傳統(tǒng)企業(yè)一直在爭先恐后地評(píng)估“在家工作”,預(yù)算在現(xiàn)階段并未削減(圖1)。

COVID-19大流行對(duì)存儲(chǔ)器市場造成了哪些大的影響

然而,2020年下半年仍存在很大的不確定性。我們期望傳統(tǒng)企業(yè)減少開支,因?yàn)镃OVID的全面經(jīng)濟(jì)影響得到更好的理解。此外,盡管CSP封裝工藝是上半年需求的主要驅(qū)動(dòng)力,但人們擔(dān)心廣告收入的萎縮、過于強(qiáng)勁的內(nèi)存庫存以及普遍的經(jīng)濟(jì)不景氣將促使下半年削減支出。

PC領(lǐng)域

另一個(gè)我們認(rèn)為在COVID大流行期間表現(xiàn)相對(duì)較好的類別是個(gè)人電腦。我們?cè)贑OVID之前的預(yù)測是大約245億美元用于個(gè)人電腦的內(nèi)存,而我們目前的前景只比這個(gè)水平下降了約10億美元。雖然第一季度個(gè)人電腦銷量遠(yuǎn)低于預(yù)期,但這主要是由于供應(yīng)鏈的限制,而非需求不足。這些制約因素現(xiàn)在已經(jīng)得到解決,我們預(yù)計(jì)第二季度個(gè)人電腦銷量將大幅增長。

很明顯,“在家工作”正導(dǎo)致個(gè)人電腦需求激增,因?yàn)槿藗円庾R(shí)到要完成真正的工作——尤其是長時(shí)間的工作——需要合適的設(shè)備。個(gè)人電腦需求的激增可能是需求的一次性上升,而不是個(gè)人電腦市場的系統(tǒng)性變化。(圖2)。

今年,我們已將個(gè)人電腦銷量預(yù)測下調(diào)約1%。盡管我們今天看到了強(qiáng)勁的需求,因?yàn)槿藗冊(cè)噲D在家工作,但我們預(yù)計(jì),隨著經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)來襲,在家工作的人進(jìn)行了必要的升級(jí),企業(yè)也希望緊縮預(yù)算,因此PC銷售在2020年下半年將受到影響。

手機(jī)領(lǐng)域

智能手機(jī)是受COVID影響最大的一類。年初,我們預(yù)計(jì)2020年將是智能手機(jī)的強(qiáng)勁一年。隨著圍繞5G的熱情推動(dòng)升級(jí)周期,我們預(yù)計(jì)明年新智能手機(jī)出貨量將在14億臺(tái)左右,內(nèi)存收入將達(dá)到近400億美元,增長至500億美元。

現(xiàn)在,我們預(yù)計(jì)智能手機(jī)出貨量將達(dá)到11億部左右,內(nèi)存收入將在2020年下降約20%,達(dá)到320億美元,到2021年才會(huì)恢復(fù)(圖3)。

智能手機(jī)是受COVID負(fù)面影響最大的一類。今年初,Yole曾預(yù)計(jì)2020年將是智能手機(jī)市場的強(qiáng)勁之年,5G熱情推動(dòng)了這輪升級(jí)周期,出貨量將達(dá)到14億部左右,存儲(chǔ)器收入將達(dá)到近400億美元,明年將增至500億美元。但最新預(yù)計(jì)2020年出貨量為11億部左右,存儲(chǔ)器收入在2021年恢復(fù)之前將下降約20%,為320億美元。

人們?cè)诮]期間無法外出購物購買新手機(jī),加上經(jīng)濟(jì)不確定性和困難,導(dǎo)致人們長期持有舊手機(jī),推遲升級(jí)。不過,我們相信,長期來看,該板塊將反彈。手機(jī)不會(huì)永遠(yuǎn)使用,目前也沒有智能手機(jī)的替代設(shè)備(就像十年前智能手機(jī)是個(gè)人電腦的替代設(shè)備一樣)。因此,舊手機(jī)最終需要更換。這將導(dǎo)致我們預(yù)計(jì)在2021年開始出現(xiàn)的“追趕”需求。我們預(yù)計(jì)明年智能手機(jī)市場的表現(xiàn)將非常樂觀。

存儲(chǔ)器Memory供應(yīng)商的反應(yīng)

資本支出

在COVID-19爆發(fā)之前,預(yù)計(jì)2020年DRAM和NAND資本支出(capex)為388億美元,同比下降15%,包括WFE和基礎(chǔ)設(shè)施支出。這一下降是由于NAND 2019年和2018年大部分時(shí)間內(nèi)存市場低迷,以及基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和技術(shù)轉(zhuǎn)型的情況造成的。

目前的預(yù)測假設(shè)2020年資本支出將大幅下降,DRAM和NAND資本支出合計(jì)為338億美元,較2019年下降26%,比之前的預(yù)期下降13%。

由于下半年需求的不確定性和長期的經(jīng)濟(jì)影響,預(yù)計(jì)今年內(nèi)存供應(yīng)商在投資上會(huì)更加謹(jǐn)慎。內(nèi)存供應(yīng)商很可能會(huì)在謹(jǐn)慎的一面犯錯(cuò),并將支出延后到2021年,或者根據(jù)市場情況可能進(jìn)一步推高支出(圖4)。

資本支出減少的后果是顯著的。較低的資本支出意味著技術(shù)轉(zhuǎn)型放緩,新晶圓增加量減少,比特增長減少,每比特成本下降。根據(jù)對(duì)內(nèi)存平均售價(jià)(ASP, average selling prices)的影響,較小的成本下降可能導(dǎo)致更低的利潤率和更低的收入TAM。鑒于市場的不確定性,短期內(nèi)減少資本支出似乎是一個(gè)謹(jǐn)慎的決定。供應(yīng)商可以寄希望于較低的資本支出(因此更低的比特bit出貨量)將導(dǎo)致更高的ASP,抵消較小的每比特 bit 成本下降。

供應(yīng)情況

供應(yīng)商感受幾乎立刻感受到了疫情的影響,已反映在上半年的DRAM和NAND出貨量中。這種在家工作和學(xué)習(xí)的模式在短期內(nèi)提振了存儲(chǔ)器供應(yīng)商,導(dǎo)致上半年存儲(chǔ)器出貨量高于先前的預(yù)期。強(qiáng)勁的服務(wù)器和PC需求以及供應(yīng)鏈擔(dān)憂導(dǎo)致的客戶購買量推動(dòng)了出貨量的增長,這幫助抵消了智能手機(jī)和消費(fèi)市場最初因新冠病毒而出現(xiàn)的疲軟。

展望今年余下的時(shí)間,盡管數(shù)據(jù)中心需求預(yù)計(jì)將保持彈性,但我們預(yù)計(jì)智能手機(jī)和消費(fèi)市場將繼續(xù)疲軟,個(gè)人電腦需求在上半年的初始飆升減弱后將趨于疲軟。對(duì)傳統(tǒng)企業(yè)服務(wù)器的需求也面臨風(fēng)險(xiǎn),因?yàn)榻?jīng)濟(jì)不確定性可能導(dǎo)致IT支出更加保守。因此,DRAM和NAND在2020年下半年的出貨量預(yù)期都降低了(圖5)。

由于以下幾個(gè)原因,預(yù)計(jì)對(duì)NAND出貨量的影響不會(huì)像DRAM那樣嚴(yán)重。在疫情爆發(fā)之前,預(yù)計(jì)2020年NAND的增長將受到限制,市場正從嚴(yán)重的衰退中復(fù)蘇,而先前的資本支出削減也對(duì)供應(yīng)產(chǎn)生了影響。

此外,NAND在PC上具有從HDD到SSD更換周期的持續(xù)優(yōu)勢,目前的個(gè)人電腦需求激增來自企業(yè)買家,他們大量使用基于SSD的存儲(chǔ),而在教育領(lǐng)域,大多數(shù)使用基于NAND的Chromebook。最后,由于引入HDD轉(zhuǎn)向基于高密度SSD的存儲(chǔ)解決方案,今年晚些時(shí)候的新游戲主機(jī)將對(duì)下半年的存儲(chǔ)需求產(chǎn)生提振作用。就全年而言,DRAM增長(2020年與2019年相比)從先前預(yù)測的17%降至15%,而NAND增長從30%降至29%。

價(jià)格情況

數(shù)據(jù)中心和個(gè)人電腦需求的內(nèi)存定價(jià)優(yōu)勢導(dǎo)致DRAM和NAND在2020年上半年的定價(jià)高于預(yù)期。然而,下半年需求減弱可能會(huì)降低定價(jià),這與之前的預(yù)期相比?,F(xiàn)實(shí)情況是,下半年的定價(jià)將在很大程度上取決于供應(yīng)商對(duì)這一流行病的反應(yīng)。面對(duì)需求的不確定性,他們會(huì)調(diào)整晶圓產(chǎn)量和技術(shù)轉(zhuǎn)型,還是繼續(xù)按照先前的計(jì)劃行事?面對(duì)需求的不確定性,供應(yīng)商可以采取一些措施來提高定價(jià),包括減少資本支出、降低工廠利用率和保持戰(zhàn)略庫存。

自2019年底以來,強(qiáng)勁的數(shù)據(jù)中心需求推動(dòng)服務(wù)器DRAM定價(jià)上漲約40%。然而,服務(wù)器DRAM的價(jià)格在2020年不太可能上漲太多,因?yàn)榇笮虲SP擁有充足的庫存,而且隨著供應(yīng)商將晶圓從移動(dòng)DRAM轉(zhuǎn)移到計(jì)算,服務(wù)器DRAM的可用性在2020年下半年應(yīng)該會(huì)更大。2020年上半年定價(jià)的飆升將導(dǎo)致本年度的整體定價(jià)略好于之前的預(yù)期,但由于預(yù)期經(jīng)濟(jì)影響對(duì)需求的拖累,預(yù)計(jì)2021年的價(jià)格不會(huì)攀升到如此高的水平(圖6)。

過去幾年的NAND低迷導(dǎo)致該行業(yè)在2019年大幅虧損。盡管行業(yè)利潤率在2020年第一季度有所上升,但在未來幾個(gè)季度,價(jià)格大幅下跌的空間微乎其微。此外,削減資本支出將影響NAND供應(yīng)商在今年及以后降低成本的能力。因此,2020年混合NAND定價(jià)的全年展望基本不變,預(yù)計(jì)價(jià)格將同比增長6%。根據(jù)目前的預(yù)測,NAND行業(yè)的長期利潤率是不可持續(xù)的,該行業(yè)可能需要進(jìn)行整合或其他結(jié)構(gòu)性調(diào)整,才能產(chǎn)生足夠的回報(bào)。

—— 小 結(jié) ——

COVID-19大流行對(duì)存儲(chǔ)器市場的影響是即時(shí)的和戲劇性的,預(yù)計(jì)在可預(yù)見的將來還會(huì)繼續(xù)影響存儲(chǔ)器市場。雖然由于工作、教育和休閑習(xí)慣的改變,短期內(nèi)需求有所上升,但長期的經(jīng)濟(jì)影響可能是嚴(yán)重的,并在中長期阻礙需求??紤]到市場的不確定性,內(nèi)存供應(yīng)商必須積極、謹(jǐn)慎地做出反應(yīng),以確保內(nèi)存行業(yè)的長期健康發(fā)展。

此外,在另外一篇文章中,Semiconductor Digest網(wǎng)站編輯分析認(rèn)為,COVID-19正在推動(dòng)全球制造設(shè)備支出上升。

SEMI分析指出,全球?qū)π酒男枨蟛粩囡j升,這些芯片可為通信和IT基礎(chǔ)設(shè)施、個(gè)人電腦、游戲和醫(yī)療電子產(chǎn)品提供動(dòng)力,2020年全球晶圓廠設(shè)備支出將增長8%,2021年將增長13%。隨著美中貿(mào)易緊張加劇,對(duì)數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器存儲(chǔ)的半導(dǎo)體需求不斷上升,以及安全庫存的增加,這也是今年增長的原因。

在半導(dǎo)體行業(yè)從2019年晶圓廠支出9%的下滑中復(fù)蘇之際,半導(dǎo)體行業(yè)迎來了過山車式的2020年,第一季度和第三季度的實(shí)際和預(yù)計(jì)支出將下降,而第二季度和第四季度則出現(xiàn)增長。

在所有芯片行業(yè)中,內(nèi)存將在2020年實(shí)現(xiàn)最大的增長,增長37億美元,同比增長16%,達(dá)到264億美元,2021年將增長18%,達(dá)到312億美元。3D NAND支出將創(chuàng)下今年最大的百分比增長,增長39%,2021年將實(shí)現(xiàn)7%的適度增長。DRAM預(yù)計(jì)在2020年下半年增速放緩后將增長4%,明年將躍升39%。

其他半導(dǎo)體行業(yè)的設(shè)備支出預(yù)測:

芯片工廠是2020年設(shè)備支出的第二大行業(yè),預(yù)計(jì)2021年將增長25億美元,或同比增長12%,達(dá)到232億美元,并將增長2%至235億美元。

2020年,MPU設(shè)備支出將下降12億美元,或18%,2021年將增長9%至60億美元。

2020年,模擬設(shè)備支出將強(qiáng)勁增長48%,2021年將增長6%,這主要是由混合信號(hào)電源工廠的設(shè)備投資推動(dòng)的。

圖像傳感器設(shè)備支出預(yù)計(jì)將在2020年增長4%至30億美元,并在2021年躍升11%至34億美元。

責(zé)任編輯:gt

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 智能手機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    18707

    瀏覽量

    186375
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7764

    瀏覽量

    172356
  • 電腦
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1817

    瀏覽量

    72290
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    存儲(chǔ)器件的基本原理和技術(shù)演進(jìn)

    存儲(chǔ)器是構(gòu)成數(shù)字系統(tǒng)的另一類重要器件。由于這些數(shù)字系統(tǒng)處理的數(shù)據(jù)量越來越大,運(yùn)算速度越來越快,這就要求存儲(chǔ)器件相應(yīng)提高存儲(chǔ)容量和存取速度,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)必須滿足這些要求。
    的頭像 發(fā)表于 05-13 11:44 ?239次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>件的基本原理和技術(shù)演進(jìn)

    高速存儲(chǔ)器sram芯片嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用

    在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,存儲(chǔ)器的性能往往直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性。對(duì)于需要額外擴(kuò)展數(shù)據(jù)緩存、但又受限于板載RAM資源的工程師而言,高速存儲(chǔ)器SRAM正成為一種兼顧成本與性能的理想選擇。
    的頭像 發(fā)表于 05-12 16:54 ?278次閱讀

    相變存儲(chǔ)器 (PCM) 技術(shù)介紹

    PCM(Phase-Change Memory 相變存儲(chǔ)器)屬于新型電阻式存儲(chǔ)器,其存儲(chǔ)元件工作原理及對(duì) CMOS 工藝集成度的影響,與浮柵存儲(chǔ)器存在顯著差異。任何浮柵
    發(fā)表于 04-29 15:58

    串行mram磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的工作原理與存儲(chǔ)機(jī)制

    存儲(chǔ)器技術(shù)不斷演進(jìn)的今天,MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的非易失性、高速讀寫與高耐久性,正成為越來越多高端應(yīng)用場景的理想選擇。尤其是串行MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,通過精簡的接口設(shè)計(jì)與靈活的集成方式,進(jìn)一步拓展了MRAM在嵌入式
    的頭像 發(fā)表于 03-30 16:27 ?291次閱讀
    串行mram磁性隨機(jī)<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的工作原理與<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>機(jī)制

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì),用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)在由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:20 ?508次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>選型的考慮要點(diǎn)

    探索DS4510:帶非易失性存儲(chǔ)器和可編程I/O的CPU監(jiān)控

    Semiconductor(現(xiàn)Maxim)推出的DS4510——一款集成了64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程非易失性(NV)I/O引腳的CPU監(jiān)控。 文件下載: DS4510.pdf 一、DS4510概述
    的頭像 發(fā)表于 02-03 10:00 ?330次閱讀

    FIFO存儲(chǔ)器的種類、IP配置及應(yīng)用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,F(xiàn)IFO是一個(gè)數(shù)據(jù)具有先進(jìn)先出的存儲(chǔ)器
    的頭像 發(fā)表于 01-13 15:15 ?674次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的種類、IP配置及應(yīng)用

    瑞薩RA系列FSP庫開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用存儲(chǔ)器介紹

    存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?;镜?b class='flag-5'>存儲(chǔ)器種類見圖21_1。
    的頭像 發(fā)表于 01-12 06:21 ?7477次閱讀
    瑞薩RA系列FSP庫開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>介紹

    存儲(chǔ)器缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局:力積電成焦點(diǎn),功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇

    全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下,力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲(chǔ)器產(chǎn)能,雙方已敲定三種合作方向,只待力
    的頭像 發(fā)表于 12-22 11:43 ?3222次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局:力積電成焦點(diǎn),功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇

    CW32L052 FLASH存儲(chǔ)器介紹

    概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。 芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫操作,支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。 芯片內(nèi)置 FLASH 編程
    發(fā)表于 12-05 08:22

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?853次閱讀

    芯源的片上存儲(chǔ)器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。 ●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
    發(fā)表于 11-12 07:34

    Everspin存儲(chǔ)器8位并行總線MRAM概述

    在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器,以高達(dá)35
    的頭像 發(fā)表于 10-24 16:36 ?887次閱讀

    QSPI PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器選型攻略

    QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲(chǔ)功能的高效芯片。QSPI(四線串行外設(shè)接口)是一種高速串行通信接口,用于連接外部設(shè)備;而PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問與動(dòng)態(tài)
    的頭像 發(fā)表于 10-23 15:40 ?799次閱讀

    簡單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?5837次閱讀
    内江市| 通道| 蒙城县| 阿克| 武安市| 吉水县| 华安县| 黔西县| 山东省| 阳东县| 九龙县| 罗山县| 靖州| 同心县| 壶关县| 肥城市| 新民市| 綦江县| 河曲县| 当涂县| 北川| 莎车县| 永年县| 旬阳县| 女性| 兴业县| 萨迦县| 江川县| 邹平县| 灯塔市| 靖州| 云霄县| 芜湖市| 通海县| 遵义县| 营山县| 同江市| 扶绥县| 和静县| 栾城县| 娱乐|