在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，存儲器的性能往往直接決定了整個系統(tǒng)的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性。對于需要額外擴(kuò)展數(shù)據(jù)緩存、但又受限于板載RAM資源的工程師而言，高速存儲器SRAM正成為一種兼顧成本與性能的理想選擇。以偉凌創(chuàng)芯推出的EMI502NF16VM-08I為例，這款國產(chǎn)SRAM芯片采用128Kb×16bit的存儲位寬組織方式，總?cè)萘窟_(dá)到2Mbit。高速存儲器sram最突出的優(yōu)勢在于讀取速度低至8ns，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)SRAM產(chǎn)品的運(yùn)行效率，同時通過集成輸出使能引腳，進(jìn)一步優(yōu)化了數(shù)據(jù)讀取時序控制。

在實(shí)際嵌入式應(yīng)用中，除了速度指標(biāo)，數(shù)據(jù)保持能力同樣關(guān)鍵。EMI502NF16VM-08I高速存儲器sram在芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了可選配的電池備份切換電路——當(dāng)主系統(tǒng)斷電時，可自動切換至備用電池供電，確保SRAM內(nèi)部關(guān)鍵數(shù)據(jù)不丟失。這一特性特別適用于工業(yè)控制、智能儀表等對數(shù)據(jù)完整性要求苛刻的場景。高速存儲器sram芯片工作電壓為3.3V，支持-40℃~85℃的工業(yè)溫度范圍，能夠適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。

高速存儲器sram芯片采用44引腳的TSOP2封裝，配合高速SPI/SQI通信總線，既減小了PCB布局總面積，又兼顧了并行訪問的高帶寬優(yōu)勢。整個高速存儲器sram芯片基于EMI先進(jìn)的全CMOS工藝制造，在保證低功耗的同時也提升了抗干擾能力，可廣泛用于嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)采集、協(xié)議轉(zhuǎn)換、圖像緩存等環(huán)節(jié)。如想了解更多方案詳情，請搜索英尚微電子。

審核編輯 黃宇