“高德紅外研制的百萬像素中波/中波雙色二類超晶格制冷紅外探測器代表了紅外成像技術(shù)尖端水平，打破少數(shù)國外企業(yè)的技術(shù)壟斷，為我國特色紅外技術(shù)產(chǎn)業(yè)提供堅實的科技支撐，滿足我國對于高端制冷紅外探測器的需求?！痹诮衲陜蓵陂g，全國政協(xié)委員、高德紅外董事長黃立向媒體發(fā)布了公司最新取得的成果。而這一成果，也和他此次的提案相關(guān)，即在國家促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展政策方面，應(yīng)突出特殊半導(dǎo)體的戰(zhàn)略地位，針對不同的特殊半導(dǎo)體給予不同的線寬政策。

特殊半導(dǎo)體是多學(xué)科高技術(shù)聚合物

集成電路是信息社會的基石，也是信息技術(shù)的重要基礎(chǔ)。芯片產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，關(guān)系到現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。近年來，中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得了驕人成績，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷增長。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)測算，2020年我國集成電路銷售收入達到8848億元，增長率為同期全球產(chǎn)業(yè)增速的3倍。技術(shù)創(chuàng)新上也不斷取得突破，在制造工藝、封裝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備材料都有明顯大幅提升。

黃立表示，相對于硅基集成電路的邏輯運算，特殊半導(dǎo)體作為與外界環(huán)境交互的重要手段和感知信息的主要來源，已成為決定未來數(shù)字通信、傳感互聯(lián)、人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心與“卡脖子”的關(guān)鍵技術(shù)。他指出，特殊半導(dǎo)體是多學(xué)科的高技術(shù)聚合物，涵蓋了化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體、傳感器件和微機電器件，具有信息采集、信息處理、信息交換、信息存儲等多元化功能。

黃立認(rèn)為，黨的十八大以來，黨中央把握住歷史契機，出臺了一系列半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策，在加快我國集成電路技術(shù)創(chuàng)新，推動集成電路產(chǎn)業(yè)進步方面取得了長足發(fā)展。特別是去年8月國務(wù)院印發(fā)的《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》更是為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展推波助瀾。“然而，特殊半導(dǎo)體未能充分享受到集成電路產(chǎn)業(yè)的相關(guān)政策支持?！秉S立表示。

特殊半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目前面臨三大挑戰(zhàn)

特殊半導(dǎo)體的制造工藝和制造條件要求極高，和集成電路有一定的相似度，但更加側(cè)重于工藝的特殊性和復(fù)雜性。黃立表示，目前產(chǎn)業(yè)水平低的主要問題有以下幾點，首先，核心特殊半導(dǎo)體產(chǎn)品品種數(shù)較多，國內(nèi)僅能生產(chǎn)其中的約1/3，整體技術(shù)含量也較低。同時，核心功能性器件市場需求量上萬億元，且逐年上升，每年進口額數(shù)千億元，包括汽車電子或科學(xué)儀器等高端特殊半導(dǎo)體95%以上市場份額都掌握在外資企業(yè)手里。

其次，核心特殊半導(dǎo)體器件生產(chǎn)制造工藝流程繁瑣復(fù)雜、產(chǎn)業(yè)鏈較長，企業(yè)規(guī)模偏小，人才集聚和培養(yǎng)難度大，上下游協(xié)同門檻高、成本高，產(chǎn)業(yè)發(fā)展尚未形成合力。

最后，特殊半導(dǎo)體涉及的技術(shù)領(lǐng)域眾多、工序復(fù)雜。特殊半導(dǎo)體對于光刻線寬的要求相對較低，但是對于工藝、材料的控制更加復(fù)雜，被稱為“工業(yè)藝術(shù)品”。例如MEMS傳感器，學(xué)科涉及電子、機械、材料、制造、物理、化學(xué)和生物等多種學(xué)科，并集約了當(dāng)今科學(xué)技術(shù)發(fā)展的許多尖端成果;設(shè)計與傳統(tǒng)IC行業(yè)注重二維靜止的電路設(shè)計不同，以理論力學(xué)為基礎(chǔ)，結(jié)合電路知識設(shè)計三維動態(tài)產(chǎn)品;工藝包含更多非標(biāo)準(zhǔn)的定向工藝步驟，如體硅工藝、背面工藝、高溫工藝、高深寬比蝕刻等;材料往往會涉及特殊材料，如相變材料、磁致伸縮材料、記憶合金材料等。

針對不同特殊半導(dǎo)體給予不同線寬政策

針對特殊半導(dǎo)體的“特殊性”，黃立提出如下建議：

第一，在國家促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展政策，應(yīng)突出特殊半導(dǎo)體的戰(zhàn)略地位，針對不同的特殊半導(dǎo)體給予不同的線寬政策。如化合物半導(dǎo)體類和MEMS微機電類，線寬小于0.25微米的企業(yè)。給予該類企業(yè)所得稅最高“十免”優(yōu)惠政策——鼓勵符合條件的特殊半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)或項目，第一年至第十年免征企業(yè)所得稅。

第二，加快核心技術(shù)攻關(guān)，針對材料體系和特殊工藝給予相應(yīng)的配套政策，如針對非硅基的III-V、II-VI化合物半導(dǎo)體，及相關(guān)的多元材料外延工藝，給予專項扶持、市場準(zhǔn)入、人才認(rèn)定等持續(xù)支持，以彌補產(chǎn)業(yè)技術(shù)短板與政策缺失，實現(xiàn)傳感器產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

第三，培育產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動能。聚焦特殊半導(dǎo)體的工藝復(fù)雜性，從產(chǎn)業(yè)鏈出發(fā)，加強國產(chǎn)替代。發(fā)展壯大細分領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，分類培育產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的高端配套骨干企業(yè)，形成融通發(fā)展的良好局面。

此外，黃立還針對加大知識產(chǎn)權(quán)保護力度給出了建議，他表示，國家應(yīng)進一步完善以知識產(chǎn)權(quán)、商業(yè)秘密保護為核心的法律法規(guī)和運行機制;開展打擊侵犯知識產(chǎn)權(quán)、商業(yè)秘密專項行動;加大對侵犯商業(yè)秘密的企業(yè)和勞動者的處罰力度以及加大對知識產(chǎn)權(quán)保護的宣傳力度。
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