電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）9月29日美光科技公布財報，公告顯示公司2022財年第四財季的營業(yè)收入為66.43億美元，同比下跌19.71%。歸屬于母公司普通股股東凈利潤為14.92億美元，同比下降45.15%。預計第一季度經(jīng)調(diào)整營收40億美元至45億美元。



看2022財年，盡管下半年的環(huán)境充滿挑戰(zhàn)，2022財年美光實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的年度收入，但仍具有穩(wěn)定的盈利能力和自由現(xiàn)金流。在產(chǎn)品組合中擴大了業(yè)界領(lǐng)先的1-alpha DRAM和176層NAND節(jié)點。在移動、汽車、工業(yè)和網(wǎng)絡(luò)業(yè)務實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的收入。此外，客戶和數(shù)據(jù)中心SSD份額的增加為SSD以及NAND業(yè)務帶來了創(chuàng)紀錄的收入。還擴大了新產(chǎn)品類別，如高帶寬HBM2e內(nèi)存和GDDR6X。

2022第四季度財報來看，業(yè)績受到所有終端市場消費者需求迅速減弱和客戶庫存大幅調(diào)整的影響。美光通過大幅削減2023財年的資本支出和降低工廠的利用率來降低供應增長加以應對。

2022財年，美光的1-alpha DRAM和176層NAND節(jié)點大幅降低了成本。在第四財季，美光引領(lǐng)業(yè)界推出232層NAND，成為第一家在200層以上節(jié)點上批量生產(chǎn)的公司。還將在今年底開始1-beta DRAM節(jié)點的制造。同樣1-beta DRAM節(jié)點和232層NAND節(jié)點在大批量時將逐漸降低成本。





本月早些時候，美光已經(jīng)宣布選擇博伊西作為兩個領(lǐng)先的DRAM制造工廠之一，預計10年總投資約150億美元。

這一新的制造工廠與美光位于博伊西總部的現(xiàn)有研發(fā)基地相配合，有利于提高研發(fā)和制造效率，縮短產(chǎn)品的上市時間。美光將很快宣布第二個美國DRAM生產(chǎn)基地。這些新的晶圓廠將滿足后續(xù)增加晶圓產(chǎn)能的需求。

終端市場方面，首先看數(shù)據(jù)中心，數(shù)據(jù)中心的收入環(huán)比和同比均下滑。云業(yè)務創(chuàng)造新的收入紀錄，同比增長超過30%。受AI和數(shù)字經(jīng)濟長期增長的推動，云終端需求保持穩(wěn)健增長。
市場仍然受限于服務器建設(shè)和宏觀環(huán)境的不確定性。廣泛的數(shù)據(jù)中心解決方案組合包括DDR4、DDR5、高帶寬內(nèi)存和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤，美光將繼續(xù)助力全球OEM推出176層 NVMe數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤。


電腦與圖形業(yè)務方面，由于較低的PC終端需求和客戶減少庫存，個人電腦客戶業(yè)務的收入下降。美光已大批量生產(chǎn)16Gb DDR5。也是唯一一家擁有全套176層TLC和Gen4 QLC NVMe固態(tài)硬盤產(chǎn)品組合的公司，這些產(chǎn)品都經(jīng)過認證，并已交付給PC OEM廠商。

圖形業(yè)務收入下降。在第四財季，美光已大批量出貨24Gbps GDDR6X，以及被NVIDIA最近推出的GeForce RTX 4090和4080采用的專有內(nèi)存。

移動和智能邊緣方面，第四財季移動業(yè)務收入環(huán)比和同比均下降，但在21財年和22財年實現(xiàn)了連續(xù)兩年創(chuàng)紀錄的移動收入。

在第四財年，1-alpha占美光LPDRAM移動應用出貨量的70%以上，176層 NAND占移動NAND應用出貨量的約95%。

汽車在第四財季是又一個創(chuàng)紀錄的季度。2022財年汽車收入創(chuàng)歷史新高，同比增長30%。工業(yè)市場則受到宏觀環(huán)境影響而下跌，但長期保持強勁。

2022財年預計DRAM需求增長預計在個位數(shù)百分比范圍，NAND略高于10%。宏觀環(huán)境和客戶庫存調(diào)整抑制了DRAM和NAND的需求，也將導致供應商的庫存高企。展望2023財年，美光預計需求增長將接近DRAM和NAND的長期增長率。預計DRAM供應增長將低于需求增長。預計DRAM的長期增長率將在15%左右，略低于之前預期的15%到16%，原因是PC銷量的放緩。

對此，美光計劃了多項舉措。首先將大幅削減了資本支出，預計2023財年的資本支出約為80億美元，同比下降30%以上；建筑資本支出同比增加一倍以上，以支持下半年的需求。

預計2023財年WFE資本支出同比下降近50%，1-beta DRAM和232層NAND的增長速度遠低于此前的預期。23財年WFE資本支出用于開發(fā)領(lǐng)先節(jié)點的技術(shù)能力和新產(chǎn)品。為了立即解決現(xiàn)在的庫存狀況并減少供應增長，將有選擇地減少DRAM和NAND中的利用率。