【科普小貼士】MOSFET的性能：漏極電流和功耗
允許損耗和漏極電流是MOSFET的典型最大額定值，計算如下。
（有些產(chǎn)品采用了不同的電流表達式。）
通過熱阻和結(jié)溫來計算功耗。漏極電流將采用歐姆定律，由計算得出的功耗和導通電阻進行計算。
PD：功耗
?器件指定溫度條件下允許的功耗
ID：漏極電流
?直流額定值：正向流動的直流電流。（在室溫下定義）
IDp：脈沖漏極電流
?指定脈寬下的最大漏極電流。一般是直流電流的4倍。
審核編輯 黃宇
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