【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素
(1)MOSFET器件結(jié)構(gòu)將根據(jù)要求的耐受電壓來選擇。確定導(dǎo)通電阻RDS(ON)的因素如圖3-7和方程式3-(1)所示。根據(jù)器件的結(jié)構(gòu)，決定導(dǎo)通電阻的因素比例將發(fā)生變化。
(2)例如，許多中高壓MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS(U-MOS)結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS=600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。
圖3-7(a)D-MOS的導(dǎo)通電阻決定因素
圖3-7(b)溝槽MOS的導(dǎo)通電阻決定因素
RDS(ON)=Rsub+Rdrift+RJ-FET+Rch+RN+
RDS(ON)=Rsub+Rdrift+Rch+RN+???方程式3-(1)
如果是VDSS=600V，順序?yàn)镽drift >> Rch > RJ-FET，RN+，Rsub和RDS(ON)取決于Rdrift
如果是VDSS=30V，順序?yàn)镽ch >> Rdrift > RN+，Rsub。溝槽MOS結(jié)構(gòu)的精細(xì)圖形化可以最大限度降低RDS(ON)對Rch的依賴性
審核編輯：湯梓紅
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